公开(公告)号：US08754188B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US13429005

申请日：2012-03-23

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Pierre-Luc Boudreault ,  Hiroyuki Miyauchi

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Pierre-Luc Boudreault ,  Hiroyuki Miyauchi

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： H01L51/0074 ,  B82Y10/00 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

摘要： Disclosed are molecular and polymeric compounds having desirable properties as semiconducting materials. Such compounds can exhibit desirable electronic properties and possess processing advantages including solution-processability and/or good stability. Organic transistor and photovoltaic devices incorporating the present compounds as the active layer exhibit good device performance.

摘要翻译： 公开了具有期望性质的分子和聚合物作为半导体材料。 这样的化合物可以表现出所需的电子性质，并具有加工性和/或稳定性好的加工优点。 结合本发明化合物作为活性层的有机晶体管和光伏器件表现出良好的器件性能。

公开(公告)号：US08110432B1

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US11891720

申请日：2007-08-13

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L51/102 ,  H01L2251/105 ,  H01L2251/556

摘要： Thin film transistor substrates with conductor components in conjunction therewith, and related methods of fabrication.

摘要翻译： 具有导体部件的薄膜晶体管衬底及其制造方法。

公开(公告)号：US07893265B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12006934

申请日：2008-01-07

申请人： Antonio Facchetti ,  Tobin J. Marks ,  He Yan

发明人： Antonio Facchetti ,  Tobin J. Marks ,  He Yan

IPC分类号： C07D471/02 ,  C07D493/02

CPC分类号： C07D491/06 ,  C07D471/06 ,  C07D487/04 ,  C09B5/62 ,  C09B57/08

摘要： The present teachings provide compounds of formulae I and II: where Q, Ra, R1, W, and n are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing compounds of formulae I and II, including methods of preparing compounds of formula II from compounds of formula I. The compounds disclosed herein can be used to prepare semiconductor materials and related composites and electronic devices.

摘要翻译： 本教导提供式I和II的化合物：其中Q，Ra，R1，W和n如本文所定义。 本教导还提供制备式I和II化合物的方法，包括由式I化合物制备式II化合物的方法。本文公开的化合物可用于制备半导体材料及相关复合材料和电子器件。

公开(公告)号：US20090267061A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12432063

申请日：2009-04-29

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L51/30 ,  C07D409/14 ,  C07D333/50

CPC分类号： C07D333/22 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0562

摘要： Carbonyl-functionalized oligo/polythiophene compounds, and related semiconductor components and related device structures.

摘要翻译： 羰基官能化的寡聚/聚噻吩化合物，以及相关的半导体组件和相关的器件结构。

公开(公告)号：US07528176B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US11227559

申请日：2005-09-14

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： A61K31/795 ,  C07D409/14

CPC分类号： C07D333/22 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0562

摘要： Carbonyl-functionalized oligo/polythiophene compounds, and related semiconductor components and related device structures.

摘要翻译： 羰基官能化的寡聚/聚噻吩化合物，以及相关的半导体组件和相关的器件结构。

公开(公告)号：US06608323B2

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：US09915210

申请日：2001-07-24

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Henning Sirringhaus ,  Richard H. Friend

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Henning Sirringhaus ,  Richard H. Friend

IPC分类号： H01L3524

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L27/32 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0545

摘要： The new fluorocarbon-functionalized polythiophenes, in particular, &agr;,&ohgr;-diperfluorohexylsexithiophene DFH-6T (1) can be straightforwardly prepared in high yield and purified by gradient sublimation. Introduction of perfluorocarbon chains on the thiophene core affords enhanced thermal stability and volatility, and increased electron affinity versus the fluorine-free analog 2. Evaporated films of 1, for example, behave as n-type semiconductors, and can be used to fabricate thin film transistors with FET mobilities on the order of ˜0.01 cm2/Vs—some of the highest reported to date for n-type organic semiconductors.

公开(公告)号：US06585914B2

公开(公告)日：2003-07-01

申请号：US09915206

申请日：2001-07-24

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01B112

CPC分类号： H01B1/128 ,  C08G61/126 ,  H01B1/127 ,  H01L27/32 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： The new fluorocarbon-functionalized and/or heterocycle-modified polythiophenes, in particular, &agr;,&ohgr;-diperfluorohexylsexithiophene DFH-6T can be straightforwardly prepared in high yield and purity. Introduction of such modifications to a thiophene core affords enhanced thermal stability and volatility, and increased electron affinity versus the unmodified compositions of the prior art. Evaporated films behave as n-type semiconductors, and can be used to fabricate thin film transistors with FET mobilities ˜0.01 cm2/Vs—some of the highest reported to date for n-type organic semiconductors.

摘要翻译： 可以以高产率和纯度直接制备新的氟碳官能化和/或杂环改性的聚噻吩，特别是α，ω-二全氟己基噻吩DFH-6T。 引入噻吩核心的这种修饰提供了增强的热稳定性和挥发性，并且相对于现有技术的未改性组合物提高了电子亲和力。 蒸发膜表现为n型半导体，并且可用于制造具有约0.01cm 2 / Vs的FET迁移率的薄膜晶体管 - 对于n型有机半导体迄今为止最高的一些。

公开(公告)号：US08471253B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13111545

申请日：2011-05-19

申请人： Tobin J. Marks ,  Young-geun Ha ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Young-geun Ha ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02282 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537

摘要： Disclosed are thin film transistor devices incorporating a crosslinked inorganic-organic hybrid blend material as the gate dielectric. The blend material, obtained by thermally curing a mixture of an inorganic oxide precursor sol and an organosilane crosslinker at relatively low temperatures, can afford a high gate capacitance, a low leakage current density, and a smooth surface, and can be used to enable satisfactory transistor device performance at low operating voltages.

摘要翻译： 公开了掺入交联的无机 - 有机混合共混材料作为栅极电介质的薄膜晶体管器件。 通过在较低温度下热固化无机氧化物前体溶胶和有机硅烷交联剂的混合物获得的共混材料可以提供高栅极电容，低漏电流密度和光滑表面，并且可以用于令人满意 晶体管器件在低工作电压下的性能。

公开(公告)号：US20110253970A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13065396

申请日：2011-03-21

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/336 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

公开(公告)号：US08022214B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12011030

申请日：2008-01-23

申请人： Antonio Facchetti ,  Tobin J. Marks ,  He Yan

发明人： Antonio Facchetti ,  Tobin J. Marks ,  He Yan

IPC分类号： C07D471/08 ,  H01L21/36 ,  H01L51/50

CPC分类号： C07D471/06 ,  C07D471/12 ,  H01L51/0053 ,  Y02E10/549

摘要： The present teachings provide novel organic semiconductor compounds and their soluble precursors, methods for preparing these compounds and precursors, as well as compositions, materials, articles, structures, and devices that incorporate such compounds.

摘要翻译： 本发明提供新颖的有机半导体化合物及其可溶性前体，制备这些化合物和前体的方法，以及掺入这些化合物的组合物，材料，制品，结构和装置。