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    Magnetoresistive element, magnetic head assembly, magnetic recording/reproducing apparatus, memory cell array, and manufacturing method of magnetoresistive element
    21.
    发明授权
    Magnetoresistive element, magnetic head assembly, magnetic recording/reproducing apparatus, memory cell array, and manufacturing method of magnetoresistive element 有权
    磁阻元件，磁头组件，磁记录/再现装置，存储单元阵列和磁阻元件的制造方法

    公开(公告)号：US08213130B1

    公开(公告)日：2012-07-03

    申请号：US13234356

    申请日：2011-09-16

    申请人： Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

    发明人： Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3983 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161

    摘要： A magnetoresistive element includes a first electrode, a second electrode, a first magnetic layer, a second magnetic layer, a spacer layer, an oxide layer, and a metal layer. The oxide layer is provided between the first electrode and the first magnetic layer, or within the first magnetic layer, or between the first magnetic layer and the spacer layer, or within the spacer layer, or between the spacer layer and the second magnetic layer, or within the second magnetic layer, or between the second magnetic layer and the second electrode. The oxide layer includes at least one element of Zn, In, Sn, and Cd, and at least one element of Fe, Co, and Ni. The metal layer includes at least one element of Zn, In, Sn, and Cd by not less than 5 at % and not more than 80 at %, and at least one element of Fe, Co, and Ni.

    摘要翻译： 磁阻元件包括第一电极，第二电极，第一磁性层，第二磁性层，间隔层，氧化物层和金属层。 氧化物层设置在第一电极和第一磁性层之间，或在第一磁性层内，或第一磁性层与间隔层之间，或间隔层内，或间隔层与第二磁性层之间， 或在第二磁性层内，或在第二磁性层和第二电极之间。 氧化物层包括Zn，In，Sn和Cd中的至少一种元素，以及Fe，Co和Ni中的至少一种元素。 金属层包括Zn，In，Sn和Cd中的至少一种元素，不小于5原子％且不大于80原子％，以及至少一种Fe，Co和Ni元素。

    METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    22.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE ELEMENT 失效
    制造磁性元件的方法

    公开(公告)号：US20120050920A1

    公开(公告)日：2012-03-01

    申请号：US13186389

    申请日：2011-07-19

    申请人： Akihiko Takeo ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa

    发明人： Akihiko Takeo ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa

    IPC分类号： H01F1/04 ,  G11B5/48

    CPC分类号： G11B5/3903 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3983 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/303 ,  H01F41/325 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1129

    摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetoresistive element includes a layered structure and a pair of electrodes, the layered structure including a cap layer, a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, a spacer layer and a functional layer provided in the magnetization pinned layer, between the magnetization pinned layer and the spacer layer, between the spacer layer and the magnetization free layer, in the magnetization free layer, or between the magnetization free layer and the cap layer and including an oxide, the method including forming a film including a base material of the functional layer, performing an oxidation treatment on the film using a gas containing oxygen in a form of at least one selected from the group consisting of molecule, ion, plasma and radical, and performing a reduction treatment using a reducing gas on the film after the oxidation treatment.

    摘要翻译： 根据一个实施例，制造磁阻元件的方法包括层状结构和一对电极，所述层叠结构包括盖层，磁化固定层，磁化自由层，间隔层和功能层 在磁化被钉扎层和间隔层之间，在间隔层和磁化自由层之间，在磁化自由层中，或在磁化自由层和覆盖层之间并包括氧化物的磁化钉扎层，该方法包括形成 膜，其包括功能层的基材，使用含有选自分子，离子，等离子体和自由基中的至少一种形式的含氧气体，对膜进行氧化处理，并使用 在氧化处理后还原气膜。

    Strain sensor element and blood pressure sensor
    23.
    发明授权
    Strain sensor element and blood pressure sensor 有权
    应变传感器元件和血压传感器

    公开(公告)号：US08760154B2

    公开(公告)日：2014-06-24

    申请号：US13110392

    申请日：2011-05-18

    申请人： Alexander Devin Giddings ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami

    发明人： Alexander Devin Giddings ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami

    IPC分类号： G01B7/24 ,  G01L1/00

    CPC分类号： A61B5/021 ,  A61B5/02108 ,  G01B7/24 ,  G01L1/125

    摘要： A strain sensor element comprises a laminated film which has a magnetic free layer, a spacer layer, and a magnetic reference layer. The free layer has a variable magnetization direction and a out-of-plane magnetization direction. The reference layer has a variable magnetization direction which is pinned more strongly than the magnetization of the free layer. The spacer layer provided between the free layer and the reference layer. A pair of electrodes is provided with a plane of the laminated film. A substrate is provided with either of the pair electrodes and can be strained. The rotation angle of the magnetization of the free layer is different from the rotation angle of the magnetization of the reference layer when the substrate is distorted. Electrical resistance is changed depending on the magnetization angle between the free layer and the reference layer, which allows the element to operate as a strain sensor.

    摘要翻译： 应变传感器元件包括具有无磁性层，间隔层和磁性参考层的层压膜。 自由层具有可变的磁化方向和面外磁化方向。 参考层具有可变的磁化方向，该自由层的磁化强度比自由层的磁化强。 间隔层设置在自由层和参考层之间。 一对电极设置有层叠膜的平面。 基板设置有对电极中的任一个并且可以变形。 当衬底失真时，自由层的磁化的旋转角度与参考层的磁化的旋转角度不同。 电阻根据自由层和参考层之间的磁化角度而改变，这允许元件作为应变传感器工作。

    METHOD FOR MANUFACTURING PRESSURE SENSING DEVICE
    25.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING PRESSURE SENSING DEVICE 有权
    制造压力传感装置的方法

    公开(公告)号：US20130255069A1

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：US13710718

    申请日：2012-12-11

    申请人： Yoshihiro HIGASHI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Tomohiko Nagata

    发明人： Yoshihiro HIGASHI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Tomohiko Nagata

    IPC分类号： G01R3/00

    CPC分类号： G01R3/00 ,  A61B5/02141 ,  A61B2562/0247 ,  G01L1/125 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/16 ,  Y10T29/49007

    摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a pressure sensing device includes preparing a sensor unit and a mounting substrate. The sensor unit includes: a membrane body; and an element unit provided on the membrane body. The element unit includes: a first electrode; a second electrode; and a first magnetic layer provided between the first electrode and the second electrode and having magnetization in a first direction. The mounting substrate includes: a base; a first electrode pad provided on the base; and a second electrode pad provided on the base and provided apart from the first electrode pad. The method further includes joining the first electrode pad to the first electrode while heated, and joining the second electrode pad to the second electrode while heated, with an external magnetic field along the first direction applied to the sensor unit.

    摘要翻译： 根据一个实施例，用于制造压力感测装置的方法包括制备传感器单元和安装基板。 传感器单元包括：膜体; 以及设置在膜体上的元件单元。 元件单元包括：第一电极; 第二电极; 以及设置在第一电极和第二电极之间并且在第一方向上具有磁化的第一磁性层。 安装基板包括：基座; 设置在基座上的第一电极焊盘; 以及设置在基座上并与第一电极焊盘分开设置的第二电极焊盘。 该方法还包括在加热时将第一电极焊盘接合到第一电极，并且在加热时将第二电极焊盘接合到第二电极，沿着施加到传感器单元的第一方向的外部磁场。

    Method for manufacturing pressure sensing device
    28.
    发明授权
    Method for manufacturing pressure sensing device 有权
    制造压力传感装置的方法

    公开(公告)号：US09046549B2

    公开(公告)日：2015-06-02

    申请号：US13710718

    申请日：2012-12-11

    申请人： Yoshihiro Higashi ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Tomohiko Nagata

    发明人： Yoshihiro Higashi ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Tomohiko Nagata

    IPC分类号： G01R3/00 ,  G01L9/16 ,  G01L1/12 ,  G01L9/00 ,  A61B5/021

    CPC分类号： G01R3/00 ,  A61B5/02141 ,  A61B2562/0247 ,  G01L1/125 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/16 ,  Y10T29/49007

    摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a pressure sensing device includes preparing a sensor unit and a mounting substrate. The sensor unit includes: a membrane body; and an element unit provided on the membrane body. The element unit includes: a first electrode; a second electrode; and a first magnetic layer provided between the first electrode and the second electrode and having magnetization in a first direction. The mounting substrate includes: a base; a first electrode pad provided on the base; and a second electrode pad provided on the base and provided apart from the first electrode pad. The method further includes joining the first electrode pad to the first electrode while heated, and joining the second electrode pad to the second electrode while heated, with an external magnetic field along the first direction applied to the sensor unit.

    摘要翻译： 根据一个实施例，用于制造压力感测装置的方法包括制备传感器单元和安装基板。 传感器单元包括：膜体; 以及设置在膜体上的元件单元。 元件单元包括：第一电极; 第二电极; 以及设置在第一电极和第二电极之间并且在第一方向上具有磁化的第一磁性层。 安装基板包括：基座; 设置在基座上的第一电极焊盘; 以及设置在基座上并与第一电极焊盘分开设置的第二电极焊盘。 该方法还包括在加热时将第一电极焊盘接合到第一电极，并且在加热时将第二电极焊盘接合到第二电极，沿着施加到传感器单元的第一方向的外部磁场。

    Pressure sensor and microphone
    29.
    发明授权
    Pressure sensor and microphone 有权
    压力传感器和麦克风

    公开(公告)号：US08973446B2

    公开(公告)日：2015-03-10

    申请号：US13730016

    申请日：2012-12-28

    申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Akihiko Enamito ,  Osamu Nishimura ,  Michiko Hara ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Masayuki Kii ,  Eizo Fujisawa

    发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Akihiko Enamito ,  Osamu Nishimura ,  Michiko Hara ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Masayuki Kii ,  Eizo Fujisawa

    IPC分类号： G01B7/16 ,  G01L9/00 ,  G01L9/16 ,  G01L1/12

    CPC分类号： G01L1/12 ,  G01L1/125 ,  G01L9/005 ,  G01L9/008 ,  G01L9/16

    摘要： According to one embodiment, a pressure sensor includes a base, and a first sensor unit. The first sensor unit includes a first transducer thin film, a first strain sensing device and a second strain sensing device. The first strain sensing device includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a first intermediate layer provided between the first and the second magnetic layers. The second strain sensing device is provided apart from the first strain sensing device on the first membrane surface and provided at a location different from a location of the barycenter, the second strain sensing device including a third magnetic layer, a fourth magnetic layer, and a second intermediate layer provided between the third and the fourth magnetic layers, the first and the second intermediate layers being nonmagnetic. The first and the second strain sensing devices, and the barycenter are in a straight line.

    摘要翻译： 根据一个实施例，压力传感器包括基座和第一传感器单元。 第一传感器单元包括第一换能器薄膜，第一应变感测装置和第二应变感测装置。 第一应变感测装置包括第一磁性层，第二磁性层和设置在第一和第二磁性层之间的第一中间层。 第二应变感测装置与第一膜表面上的第一应变感测装置分开设置，并且设置在与重心的位置不同的位置处，第二应变感测装置包括第三磁性层，第四磁性层和 第二中间层设置在第三和第四磁性层之间，第一和第二中间层是非磁性的。 第一和第二应变感测装置和重心处于直线。