公开(公告)号：US09445731B2

公开(公告)日：2016-09-20

申请号：US13468511

申请日：2012-05-10

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Osamu Nishimura ,  Takehiko Suzuki ,  Michiko Hara ,  Yoshihiko Fuji

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Osamu Nishimura ,  Takehiko Suzuki ,  Michiko Hara ,  Yoshihiko Fuji

IPC分类号： A61B5/02 ,  A61B5/021 ,  A61B5/00

CPC分类号： A61B5/02141 ,  A61B5/02125 ,  A61B5/6832 ,  A61B2562/0223

摘要： According to one embodiment, a pulse wave velocity measuring device includes a first sensor, a second sensor, a base body and a calculation unit. The first sensor is configured to sense a pulse wave propagating through an interior of a vessel. The second sensor is separated from the first sensor and is configured to sense the pulse wave. The base body is configured to hold the first sensor and the second sensor and regulate a distance between the first sensor and the second sensor. The calculation unit is configured to derive a difference between a time of the sensing of the pulse wave by the first sensor and a time of the sensing of the pulse wave by the second sensor.

摘要翻译： 根据一个实施例，脉搏波速度测量装置包括第一传感器，第二传感器，基体和计算单元。 第一传感器被配置为感测通过血管内部传播的脉波。 第二传感器与第一传感器分离并被配置为感测脉搏波。 基体构造成保持第一传感器和第二传感器并调节第一传感器和第二传感器之间的距离。 计算单元被配置为导出由第一传感器检测脉搏波的时间与第二传感器对脉搏波的感测时间之间的差异。

公开(公告)号：US09032808B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US13246069

申请日：2011-09-27

申请人： Devin Giddings ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hiromi Yuasa

发明人： Devin Giddings ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： G01L1/22 ,  G11B5/127 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08 ,  H01F10/30 ,  A61B5/021 ,  A61B5/022 ,  H01F10/32

CPC分类号： G01R33/091 ,  A61B5/02108 ,  A61B5/022 ,  A61B2562/0247 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/399 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/30 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magneto-resistive effect device, includes a stacked body stacked on a substrate, a pair of first electrodes that feeds current to the stacked body, a strain introduction member, and a second electrode for applying a voltage to the strain introduction member. The stacked body includes a first magnetic layer that includes one or more metals selected from the group consisting of iron, cobalt, and nickel, a second magnetic layer stacked on the first magnetic layer, having a composition that is different from the first magnetic layer, and a spacer layer disposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应装置包括堆叠在基板上的堆叠体，将一个电流馈送到堆叠体的一对第一电极，应变引入部件和用于向该应变施加电压的第二电极 介绍会员。 层叠体包括：第一磁性层，其包含选自铁，钴和镍的一种或多种金属，堆叠在第一磁性层上的具有与第一磁性层不同的组成的第二磁性层， 以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间的间隔层。

公开(公告)号：US08933909B2

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：US13479861

申请日：2012-05-24

申请人： Devin Giddings ,  Nobuyoshi Saito ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hajime Yamaguchi

发明人： Devin Giddings ,  Nobuyoshi Saito ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hajime Yamaguchi

IPC分类号： B82Y25/00 ,  G01N17/00 ,  G06F3/041

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/0414

摘要： According to one embodiment, a touch panel includes first interconnections, second interconnections, sensor units and a control unit. The first interconnections are arranged along a first direction, and extend along a second direction intersecting with the first direction. The second interconnections are arranged along a third direction intersecting with the first direction, and extend along a fourth direction intersecting with the third direction. The sensor units are provided in intersection portions of the first and second interconnections, include first and second ferromagnetic layers, and an intermediate layer, allow a current to be passed, and have one end connected to the first interconnections and another end connected to the second interconnections. The control unit is connected to the first and second interconnections. An electric resistance of the sensor units changes in accordance with a stress applied. The control unit senses a change in the electric resistance.

摘要翻译： 根据一个实施例，触摸面板包括第一互连，第二互连，传感器单元和控制单元。 第一互连沿着第一方向布置，并且沿着与第一方向相交的第二方向延伸。 第二互连沿着与第一方向相交的第三方向布置，并且沿与第三方向相交的第四方向延伸。 传感器单元设置在第一和第二互连的交叉部分中，包括第一和第二铁磁层，以及中间层，允许电流通过，并且一端连接到第一互连，另一端连接到第二互连 互连。 控制单元连接到第一和第二互连。 传感器单元的电阻根据施加的应力而变化。 控制单元感测电阻的变化。

公开(公告)号：US08671554B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13419198

申请日：2012-03-13

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

IPC分类号： G11B5/17 ,  H04R31/00

CPC分类号： B25G1/102

摘要： An example method for manufacturing a magneto-resistance effect element having a magnetic layer, a free magnetization layer, and a spacer layer includes forming a first metallic layer and forming, on the first metallic layer, a second metallic layer. A first conversion treatment is performed to convert the second metallic layer into a first insulating layer and to form a first metallic portion penetrating through the first insulating layer. A third metallic layer is formed on the first insulating layer and the first metallic portion. A second conversion treatment is performed to convert the third metallic layer into a second insulating layer and to form a second metallic portion penetrating through the second insulating layer.

摘要翻译： 用于制造具有磁性层，自由磁化层和间隔层的磁阻效应元件的示例性方法包括形成第一金属层，并在第一金属层上形成第二金属层。 执行第一转换处理以将第二金属层转换成第一绝缘层并形成贯穿第一绝缘层的第一金属部分。 在第一绝缘层和第一金属部分上形成第三金属层。 执行第二转换处理以将第三金属层转换成第二绝缘层并形成贯穿第二绝缘层的第二金属部分。

公开(公告)号：US20130242435A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13728281

申请日：2012-12-27

申请人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

发明人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： G11B5/127 ,  H01L43/10

CPC分类号： G11B5/1274 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： According to one embodiment, a magneto-resistance effect element includes: a first electrode; a second electrode; a first magnetic layer provided between the first and the second electrodes; a second magnetic layer provided between the first magnetic layer and the second electrode; and an oxide layer of a metal oxide provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The oxide layer includes wustite crystal grains of a wustite structure with a (1 1 1) plane orientation containing iron. A lattice spacing of a (1 1 1) plane of the wustite crystal grains is not less than 0.253 nanometers and not more than 0.275 nanometers.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应元件包括：第一电极; 第二电极; 设置在第一和第二电极之间的第一磁性层; 设置在所述第一磁性层和所述第二电极之间的第二磁性层; 以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间的金属氧化物的氧化物层。 氧化物层包括具有含（111）面取向的方铁矿结构的方铁矿晶粒含铁。 方铁矿晶粒的（111）面的晶格间距不小于0.253纳米，不大于0.275纳米。

公开(公告)号：US20130076687A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13479861

申请日：2012-05-24

申请人： Devin GIDDINGS ,  Nobuyoshi Saito ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hajime Yamaguchi

发明人： Devin GIDDINGS ,  Nobuyoshi Saito ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hajime Yamaguchi

IPC分类号： G06F3/045

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/0414

摘要： According to one embodiment, a touch panel includes first interconnections, second interconnections, sensor units and a control unit. The first interconnections are arranged along a first direction, and extend along a second direction intersecting with the first direction. The second interconnections are arranged along a third direction intersecting with the first direction, and extend along a fourth direction intersecting with the third direction. The sensor units are provided in intersection portions of the first and second interconnections, include first and second ferromagnetic layers, and an intermediate layer, allow a current to be passed, and have one end connected to the first interconnections and another end connected to the second interconnections. The control unit is connected to the first and second interconnections. An electric resistance of the sensor units changes in accordance with a stress applied. The control unit senses a change in the electric resistance.

摘要翻译： 根据一个实施例，触摸面板包括第一互连，第二互连，传感器单元和控制单元。 第一互连沿着第一方向布置，并且沿着与第一方向相交的第二方向延伸。 第二互连沿着与第一方向相交的第三方向布置，并且沿与第三方向相交的第四方向延伸。 传感器单元设置在第一和第二互连的交叉部分中，包括第一和第二铁磁层，以及中间层，允许电流通过，并且一端连接到第一互连，另一端连接到第二互连 互连。 控制单元连接到第一和第二互连。 传感器单元的电阻根据施加的应力而变化。 控制单元感测电阻的变化。

公开(公告)号：US20120308728A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13584293

申请日：2012-08-13

申请人： Hideaki FUKUZAWA ,  Shuichi Murakami ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

发明人： Hideaki FUKUZAWA ,  Shuichi Murakami ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

IPC分类号： B05D1/38

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/04 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A magnetoresistive element includes a magnetoresistive film including a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, an intermediate layer arranged between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer, a cap layer arranged on the magnetization pinned layer or on the magnetization free layer, and a functional layer arranged in the magnetization pinned layer, in the magnetization free layer, in the interface between the magnetization pinned layer and the intermediate layer, in the interface between the intermediate layer and the magnetization free layer, or in the interface between the magnetization pinned layer or the magnetization free layer and the cap layer, and a pair of electrodes which pass a current perpendicularly to a plane of the magnetoresistive film, in which the functional layer is formed of a layer including nitrogen and a metal material containing 5 atomic % or more of Fe.

摘要翻译： 磁阻元件包括磁阻膜，其包括磁化被钉扎层，磁化自由层，布置在磁化钉扎层和磁化自由层之间的中间层，布置在磁化钉扎层或磁化自由层上的盖层，以及 功能层，布置在磁化固定层中，在磁化自由层中，在磁化被钉扎层和中间层之间的界面中，在中间层和磁化自由层之间的界面中，或者在磁化固定 层或磁化自由层和盖层，以及一对电极，其垂直于磁阻膜的平面通过电流，其中功能层由包含氮的层和含有5原子％的金属材料形成，或 更多的铁。

公开(公告)号：US20120206838A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13454846

申请日：2012-04-24

申请人： Yoshihiko FUJI ,  Hideaki FUKUZAWA ,  Hiromi YUASA

发明人： Yoshihiko FUJI ,  Hideaki FUKUZAWA ,  Hiromi YUASA

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11B5/3983 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  G11C11/161 ,  H01F10/187 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  Y10T428/1121

摘要： An example magnetoresistive element includes a first magnetic layer whose magnetization direction is substantially pinned toward one direction; a second magnetic layer whose magnetization direction is changed in response to an external magnetic field; and a spacer layer. At least one of the first magnetic layer and the second magnetic layer includes a magnetic compound layer including a magnetic compound that is expressed by M1aM2bOc (where 5≦a≦68, 10≦b≦73, and 22≦c≦85). M1 is at least one element selected from the group consisting of Co, Fe, and Ni. M2 is at least one element selected from the group consisting of Ti, V, and Cr.

摘要翻译： 示例性磁阻元件包括其磁化方向基本上朝向一个方向固定的第一磁性层; 其磁化方向响应于外部磁场而改变的第二磁性层; 和间隔层。 第一磁性层和第二磁性层中的至少一个包括由M1aM2bOc（其中5和nlE; a＆nlE; 68,10和nlE; b＆nlE; 73和22＆nlE; c＆nlE; 85）表示的磁性化合物的磁性化合物层。 M1是选自Co，Fe和Ni中的至少一种元素。 M2是选自Ti，V和Cr中的至少一种元素。

公开(公告)号：US08228643B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12585854

申请日：2009-09-25

申请人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Shuichi Murakami ,  Michiko Hara ,  Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Erhard Schreck

发明人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Shuichi Murakami ,  Michiko Hara ,  Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Erhard Schreck

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3983 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A method for manufacturing a magneto-resistance effect element is provided. The magneto-resistance effect element includes a first magnetic layer including a ferromagnetic material, a second magnetic layer including a ferromagnetic material and a spacer layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer, the spacer layer having an insulating layer and a conductive portion penetrating through the insulating layer. The method includes: forming a film to be a base material of the spacer layer; performing a first treatment using a gas including at least one of oxygen molecules, oxygen atoms, oxygen ions, oxygen plasma and oxygen radicals on the film; and performing a second treatment using a gas including at least one of nitrogen ions, nitrogen atoms, nitrogen plasma, and nitrogen radicals on the film submitted to the first treatment.

摘要翻译： 提供一种制造磁阻效应元件的方法。 磁阻效应元件包括包括铁磁材料的第一磁性层，包括铁磁材料的第二磁性层和设置在第一磁性层和第二磁性层之间的间隔层，间隔层具有绝缘层和导电 部分穿透绝缘层。 该方法包括：将膜形成为间隔层的基材; 使用包含氧分子，氧原子，氧离子，氧等离子体和氧自由基中的至少一种的气体进行第一处理; 以及使用包含氮离子，氮原子，氮等离子体和氮自由基中的至少一种的气体进行第一次处理的膜的第二处理。

公开(公告)号：US08184410B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US11902657

申请日：2007-09-24

申请人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

发明人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11B5/3983 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  G11C11/161 ,  H01F10/187 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  Y10T428/1121

摘要： An example magnetoresistive element includes a first magnetic layer whose magnetization direction is substantially pinned toward one direction; a second magnetic layer whose magnetization direction is changed in response to an external magnetic field; and a spacer layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. At least one of the first magnetic layer and the second magnetic layer has a magnetic compound that is expressed by M1aM2bXc(where 5≦a≦68, 10≦b≦73, and 22≦c≦85). M1 is at least one element selected from the group consisting of Co, Fe, and Ni. M2 is at least one element selected from the group consisting of Ti, V, Cr, and Mn. X is at least one element selected from the group consisting of N, O, and C.

摘要翻译： 示例性磁阻元件包括其磁化方向基本上朝向一个方向固定的第一磁性层; 其磁化方向响应于外部磁场而改变的第二磁性层; 以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间的间隔层。 第一磁性层和第二磁性层中的至少一个具有由M1aM2bXc（其中5＆nlE; a＆nlE; 68,10＆amp; nlE; b＆nlE; 73和22＆nlE; c＆nlE; 85）表示的磁性化合物。 M1是选自Co，Fe和Ni中的至少一种元素。 M2是选自Ti，V，Cr和Mn中的至少一种元素。 X是选自N，O和C中的至少一种元素。