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    Memory devices and methods of operating the same
    22.
    发明授权
    Memory devices and methods of operating the same 有权
    内存设备及操作方法

    公开(公告)号：US08456900B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US12926443

    申请日：2010-11-18

    申请人： Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

    发明人： Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： A memory device includes a memory cell. The memory cell includes: a bipolar memory element and a bidirectional switching element. The bidirectional switching element is connected to ends of the bipolar memory element, and has a bidirectional switching characteristic. The bidirectional switching element includes: a first switching element and a second switching element. The first switching element is connected to a first end of the bipolar memory element and has a first switching direction. The second switching element is connected to a second end of the bipolar memory element and has a second switching direction. The second switching direction is opposite to the first switching direction.

    摘要翻译： 存储器件包括存储器单元。 存储单元包括：双极存储元件和双向开关元件。 双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并且具有双向开关特性。 双向开关元件包括：第一开关元件和第二开关元件。 第一开关元件连接到双极存储元件的第一端并且具有第一开关方向。 第二开关元件连接到双极存储元件的第二端并具有第二开关方向。 第二切换方向与第一切换方向相反。

    Heterojunction diode, method of manufacturing the same, and electronic device including the heterojunction diode
    25.
    发明授权
    Heterojunction diode, method of manufacturing the same, and electronic device including the heterojunction diode 有权
    异质结二极管及其制造方法以及包含异质结二极管的电子器件

    公开(公告)号：US08227872B2

    公开(公告)日：2012-07-24

    申请号：US12591917

    申请日：2009-12-04

    申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

    发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

    IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/732

    CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861

    摘要： Example embodiments relate to a heterojunction diode, a method of manufacturing the heterojunction diode, and an electronic device including the heterojunction diode. The heterojunction diode may include a first conductive type non-oxide layer and a second conductive type oxide layer bonded to the non-oxide layer. The non-oxide layer may be a Si layer. The Si layer may be a p++ Si layer or an n++ Si layer. A difference in work functions of the non-oxide layer and the oxide layer may be about 0.8-1.2 eV. Accordingly, when a forward voltage is applied to the heterojunction diode, rectification may occur. The heterojunction diode may be applied to an electronic device, e.g., a memory device.

    摘要翻译： 示例实施例涉及异质结二极管，制造异质结二极管的方法，以及包括异质结二极管的电子器件。 异质结二极管可以包括结合到非氧化物层的第一导电型非氧化物层和第二导电型氧化物层。 非氧化物层可以是Si层。 Si层可以是p ++ Si层或n ++ Si层。 非氧化物层和氧化物层的功函数差可以为约0.8-1.2eV。 因此，当向异质结二极管施加正向电压时，可能发生整流。 异质结二极管可以被施加到电子设备，例如存储器件。