公开(公告)号：US20100308297A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12591917

申请日：2009-12-04

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L45/00 ,  H01L21/34 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861

摘要： Example embodiments relate to a heterojunction diode, a method of manufacturing the heterojunction diode, and an electronic device including the heterojunction diode. The heterojunction diode may include a first conductive type non-oxide layer and a second conductive type oxide layer bonded to the non-oxide layer. The non-oxide layer may be a Si layer. The Si layer may be a p++ Si layer or an n++ Si layer. A difference in work functions of the non-oxide layer and the oxide layer may be about 0.8-1.2 eV. Accordingly, when a forward voltage is applied to the heterojunction diode, rectification may occur. The heterojunction diode may be applied to an electronic device, e.g., a memory device.

摘要翻译： 示例实施例涉及异质结二极管，制造异质结二极管的方法，以及包括异质结二极管的电子器件。 异质结二极管可以包括结合到非氧化物层的第一导电型非氧化物层和第二导电型氧化物层。 非氧化物层可以是Si层。 Si层可以是p ++ Si层或n ++ Si层。 非氧化物层和氧化物层的功函数差可以为约0.8-1.2eV。 因此，当向异质结二极管施加正向电压时，可能发生整流。 异质结二极管可以被施加到电子设备，例如存储器件。

公开(公告)号：US08227872B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12591917

申请日：2009-12-04

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-bae Kim ,  Seung-ryul Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/22 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/861

摘要： Example embodiments relate to a heterojunction diode, a method of manufacturing the heterojunction diode, and an electronic device including the heterojunction diode. The heterojunction diode may include a first conductive type non-oxide layer and a second conductive type oxide layer bonded to the non-oxide layer. The non-oxide layer may be a Si layer. The Si layer may be a p++ Si layer or an n++ Si layer. A difference in work functions of the non-oxide layer and the oxide layer may be about 0.8-1.2 eV. Accordingly, when a forward voltage is applied to the heterojunction diode, rectification may occur. The heterojunction diode may be applied to an electronic device, e.g., a memory device.

摘要翻译： 示例实施例涉及异质结二极管，制造异质结二极管的方法，以及包括异质结二极管的电子器件。 异质结二极管可以包括结合到非氧化物层的第一导电型非氧化物层和第二导电型氧化物层。 非氧化物层可以是Si层。 Si层可以是p ++ Si层或n ++ Si层。 非氧化物层和氧化物层的功函数差可以为约0.8-1.2eV。 因此，当向异质结二极管施加正向电压时，可能发生整流。 异质结二极管可以被施加到电子设备，例如存储器件。

公开(公告)号：US20090184305A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12230223

申请日：2008-08-26

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistive memory device includes a first electrode and a first insulation layer arranged on the first electrode. A portion of the first electrode is exposed through a first hole in the first insulation layer. A first variable resistance layer contacts the exposed portion of the first electrode and extends on the first insulation layer around the first hole. A first switching device electrically connects to the first resistive switching layer.

摘要翻译： 电阻式存储器件包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。 第一电极的一部分通过第一绝缘层中的第一孔露出。 第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分并在第一绝缘层周围在第一孔周围延伸。 第一开关装置电连接到第一电阻开关层。

公开(公告)号：US20090116272A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12216529

申请日：2008-07-07

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： G11C5/06 ,  G11C11/36 ,  H01L29/12

CPC分类号： G11C11/36 ,  G11C11/14 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/1021

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a cross-point memory array including the same which have a diode characteristic enabling the non-volatile memory device and the cross-point memory array including the same to operate in a simple structure, without requiring a switching device separately formed so as to embody a high density non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a first electrode; a diode-storage node formed on the first electrode; and a second electrode formed on the diode-storage node.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的交叉点存储器阵列，其具有使得非易失性存储器件的二极管特性和包括其的交叉点存储器阵列能够以简单的结构工作，而不需要 开关装置分开形成，以便体现高密度非易失性存储装置。 非易失性存储器件包括第一电极; 形成在所述第一电极上的二极管存储节点; 以及形成在二极管存储节点上的第二电极。

公开(公告)号：US08586978B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US12216529

申请日：2008-07-07

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Bo-soo Kang ,  Myoung-jae Lee ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： G11C11/36 ,  G11C11/14 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/1021

摘要： Provided are a non-volatile memory device and a cross-point memory array including the same which have a diode characteristic enabling the non-volatile memory device and the cross-point memory array including the same to operate in a simple structure, without requiring a switching device separately formed so as to embody a high density non-volatile memory device. The non-volatile memory device includes a first electrode; a diode-storage node formed on the first electrode; and a second electrode formed on the diode-storage node.

公开(公告)号：US08890228B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US12292596

申请日：2008-11-21

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L23/498 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/06 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49833 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes: a memory array on a first substrate; and a peripheral circuit on a second substrate, wherein the first substrate and the second substrate may be attached to each other so that the memory array and the peripheral circuit are electrically connected to each other.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：第一衬底上的存储器阵列; 以及第二基板上的外围电路，其中第一基板和第二基板可以彼此附接，使得存储器阵列和外围电路彼此电连接。

公开(公告)号：US08853759B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US12230223

申请日：2008-08-26

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistive memory device includes a first electrode and a first insulation layer arranged on the first electrode. A portion of the first electrode is exposed through a first hole in the first insulation layer. A first variable resistance layer contacts the exposed portion of the first electrode and extends on the first insulation layer around the first hole. A first switching device electrically connects to the first resistive switching layer.

摘要翻译： 电阻式存储器件包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。 第一电极的一部分通过第一绝缘层中的第一孔露出。 第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分并在第一绝缘层周围在第一孔周围延伸。 第一开关装置电连接到第一电阻开关层。

公开(公告)号：US20090243115A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12292596

申请日：2008-11-21

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L23/49833 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes: a memory array on a first substrate; and a peripheral circuit on a second substrate, wherein the first substrate and the second substrate may be attached to each other so that the memory array and the peripheral circuit are electrically connected to each other.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：第一衬底上的存储器阵列; 以及第二基板上的外围电路，其中第一基板和第二基板可以彼此附接，使得存储器阵列和外围电路彼此电连接。

公开(公告)号：US20090184396A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12289069

申请日：2008-10-20

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/441

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： Provided are resistive random access memories (RRAMs) and methods of manufacturing the same. A RRAM includes a storage node including a variable resistance layer, a switching device connected to the storage node, and a protective layer covering an exposed part of the variable resistance layer. The protective layer includes at least one of aluminum oxide and titanium oxide. The variable resistance layer is a metal oxide layer.

摘要翻译： 提供了电阻随机存取存储器（RRAM）及其制造方法。 RRAM包括存储节点，包括可变电阻层，连接到存储节点的开关装置和覆盖可变电阻层的暴露部分的保护层。 保护层包括氧化铝和氧化钛中的至少一种。 可变电阻层是金属氧化物层。

公开(公告)号：US08169053B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12289069

申请日：2008-10-20

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： Provided are resistive random access memories (RRAMs) and methods of manufacturing the same. A RRAM includes a storage node including a variable resistance layer, a switching device connected to the storage node, and a protective layer covering an exposed part of the variable resistance layer. The protective layer includes at least one of aluminum oxide and titanium oxide. The variable resistance layer is a metal oxide layer.

摘要翻译： 提供了电阻随机存取存储器（RRAM）及其制造方法。 RRAM包括存储节点，包括可变电阻层，连接到存储节点的开关装置和覆盖可变电阻层的暴露部分的保护层。 保护层包括氧化铝和氧化钛中的至少一种。 可变电阻层是金属氧化物层。