公开(公告)号：US06582972B1

公开(公告)日：2003-06-24

申请号：US09544697

申请日：2000-04-07

申请人： Vikram Joshi ,  Jolanta Celinska ,  Narayan Solayappan ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Koji Arita

发明人： Vikram Joshi ,  Jolanta Celinska ,  Narayan Solayappan ,  Larry D. McMillan ,  Carlos A. Paz de Araujo ,  Koji Arita

IPC分类号： H01G2100

CPC分类号： H01L27/11502 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/31691

摘要： A thin film of precursor for forming a layered superlattice material is applied to an integrated circuit substrate, then a strong oxidizing agent is applied at low temperature in a range of from 100° C. to 300° C. to the precursor thin film, thereby forming a metal oxide thin film. The strong oxidizing agent may be liquid or gaseous. An example of a liquid strong oxidizing agent is hydrogen peroxide. An example of a gaseous strong oxidizing agent is ozone. The metal oxide thin film is crystallized by annealing at elevated temperature in a range of from 500° C. to 700° C., preferably not exceeding 650° C., for a time period in a range of from 30 minutes to two hours. Annealing is conducted in an oxygen-containing atmosphere, preferably including water vapor. Treatment by ultraviolet (UV) radiation may precede annealing. RTP in a range of from 500° C. to 700° C. may precede annealing.

摘要翻译： 将用于形成层状超晶格材料的前体薄膜施加到集成电路基板上，然后在100℃至300℃的低温下向前体薄膜施加强氧化剂，由此 形成金属氧化物薄膜。 强氧化剂可以是液体或气体。 液体强氧化剂的实例是过氧化氢。 气态强氧化剂的实例是臭氧。 金属氧化物薄膜通过在500℃至700℃，优选不超过650℃的范围内的升高温度退火30分钟至2小时的时间段而结晶。 退火在含氧气氛中进行，优选包括水蒸气。 紫外线（UV）辐射处理可能退火之前。 可以在退火之前从500℃到700℃的范围内的RTP。

公开(公告)号：US06174213B1

公开(公告)日：2001-01-16

申请号：US09388038

申请日：1999-09-01

申请人： Carlos A. Paz de Araujo ,  Jolanta Celinska ,  Joseph D. Cuchiaro ,  Jeffrey W. Bacon ,  Larry D. McMillan ,  Akihiro Matsuda ,  Gota Kano ,  Yoshio Yamaguchi ,  Tatsuo Morita ,  Hideo Nagai

发明人： Carlos A. Paz de Araujo ,  Jolanta Celinska ,  Joseph D. Cuchiaro ,  Jeffrey W. Bacon ,  Larry D. McMillan ,  Akihiro Matsuda ,  Gota Kano ,  Yoshio Yamaguchi ,  Tatsuo Morita ,  Hideo Nagai

IPC分类号： B05D722

CPC分类号： C03C17/3417 ,  C03C17/253 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/24 ,  C03C2217/244 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1291

摘要： Metal organic precursor compounds are dissolved in an organic solvent to form a nonaqueous liquid precursor. The liquid precursor is applied to the inner envelope surface of a fluorescent lamp and heated to form a metal oxide thin film layer. The metal oxide thin film layer may be a conductor, a protective layer or provide other functions. The films have a thickness of from 20 nm to 500 nm. A conductive layer comprising tin-antimony oxide with niobium dopant may be fabricated to have a differential resistivity profile by selecting a combination of precursor composition and annealing temperatures.

摘要翻译： 将金属有机前体化合物溶解在有机溶剂中以形成非水性液体前体。 将液体前体施加到荧光灯的内包络面上并加热形成金属氧化物薄膜层。 金属氧化物薄膜层可以是导体，保护层或提供其他功能。 膜的厚度为20nm至500nm。 可以通过选择前体组合物和退火温度的组合来制造包含具有铌掺杂剂的锡 - 锑氧化物的导电层以具有差分电阻率分布。