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39 条记录 (耗时 0.016 秒)

    In-station control system and method
    31.
    发明授权
    In-station control system and method 失效
    车站控制系统和方法

    公开(公告)号：US06343102B1

    公开(公告)日：2002-01-29

    申请号：US08633665

    申请日：1996-04-17

    申请人： Masaki Kira ,  Noriko Samejima ,  Yoshio Morita ,  Shiro Uriu

    发明人： Masaki Kira ,  Noriko Samejima ,  Yoshio Morita ,  Shiro Uriu

    IPC分类号： H04B300

    CPC分类号： H04L12/56

    摘要： A peripheral device cable, connected to a peripheral device, integrally incorporates a subscriber link that is a physical line for transmitting subscriber information in synchronization with a highway clock and a control link that is a physical line for transmitting control data in synchronization with the highway clock. A control data converter controls interfacing between the control data transferred over the control link synchronously with the highway clock and control data that a control unit transmits/receives asynchronously with the highway clock. The subscriber link is connected to a switch.

    摘要翻译： 连接到外围设备的外围设备电缆整体地结合有用户链路，该用户链路是用于与公路时钟同步地发送用户信息的物理线路和作为用于与公路时钟同步地发送控制数据的物理线路的控制链路 。 控制数据转换器控制通过控制链路传送的控制数据与公路时钟同步的控制数据和控制单元与高速公路时钟异步发送/接收的控制数据。 订户链路连接到交换机。

    Semiconductor light-emitting devices
    33.
    发明授权
    Semiconductor light-emitting devices 失效
    半导体发光器件

    公开(公告)号：US5250814A

    公开(公告)日：1993-10-05

    申请号：US894320

    申请日：1992-06-04

    申请人： Yoshio Morita

    发明人： Yoshio Morita

    IPC分类号： H01L29/201 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01S5/00 ,  H01S5/32 ,  H01S5/327 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L33/26 ,  H01S5/327 ,  H01S5/32

    摘要： A semiconductor light-emitting device, such as LEDs AND laser diodes having emission wavelengths in a range which includes the blue to ultra-violet region of the spectrum are disclosed. The LED comprises a substrate and an p-n junction structure formed on the substrate, the p-n junction structure having first and second semiconductor layers, each consisting essentially of (Cu.sub.a Ag.sub.1-a)(Al.sub.b Ga.sub.1-b)(Se.sub.o S.sub.1-o).sub.2, wherein 0.ltoreq.a.ltoreq.1, 0.ltoreq.b.ltoreq.1, and 0.ltoreq.c.ltoreq.1, the first semiconductor layer being doped with N, P, or As, the second semiconductor layer being doped with Zn, Cd, Cl, Br, or I. A semiconductor laser comprises a substrate and a double-hetero structure formed on the substrate, the double-hetero structure having: a p-type semiconductor layer, an active layer formed on the p-type semiconductor layer, and n-type semiconductor layer formed on the active layer, each of the p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer consisting essentially of (Cu.sub.a Ag.sub.1-a)(Al.sub.b Ga.sub.1-b)(Se.sub.o S.sub.1-o).sub.2, wherein 0.ltoreq.a.ltoreq.1, 0.ltoreq.b.ltoreq.1, and 0.ltoreq.c.ltoreq.1, the active layer consisting essentially of (Zn.sub.d Cd.sub.1-d)(Se.sub.m S.sub.n Te.sub.1-m-n), wherein 0.ltoreq.d.ltoreq.1, 0.ltoreq.m.ltoreq.1, 0.ltoreq.n.ltoreq.1, and m+n.ltoreq.1.

    摘要翻译： 公开了一种半导体发光器件，例如具有包括光谱的蓝色至紫外区域的范围内的发射波长的LED和激光二极管。 LED包括形成在基板上的基板和pn结结构，pn结结构具有第一和第二半导体层，每个主要由（CuaAg1-a）（AlbGa1-b）（SeoS1-o）2组成， 第一半导体层被掺杂有N，P或As，第二半导体层被掺杂有 Zn，Cd，Cl，Br或I.半导体激光器包括在衬底上形成的衬底和双异质结构，所述双异质结构具有：p型半导体层，形成在p型半导体层上的有源层， （CuaAg1-a）（AlbGa1-b）（SeoS1-o）2，基板上形成的p型半导体层和形成在有源层上的n型半导体层， 其中0≤b≤1,0,0≤c≤1，主要由（Znd Cd1-d）（SemSnTe1-mn）组成的有源层， 其中0≤d≤1,0≤m≤1,0≤n≤1，m + n <1。

    Electronic device and storage medium which stores a control program
    34.
    发明申请
    Electronic device and storage medium which stores a control program 失效
    存储控制程序的电子设备和存储介质

    公开(公告)号：US20070070433A1

    公开(公告)日：2007-03-29

    申请号：US11162946

    申请日：2005-09-28

    申请人： Yoshio Morita

    发明人： Yoshio Morita

    IPC分类号： H04N1/00

    CPC分类号： H04N1/00352 ,  H04N1/00387 ,  H04N1/00411 ,  H04N1/32037 ,  H04N1/32058

    摘要： An electronic device is disclosed in which parameters or functions thereof can be executed with fewer key operations. An electronic device such as a facsimile device has a display unit that displays a plurality of keys that can be respectively used to specify and select the parameters or functions thereof, and will determine whether the length of time that each of the plurality of keys is pushed is long or short. If a key is pushed for a short period of time, that key will simply be selected, and if a key is pushed for a long period of time, that key will be selected and facsimile transmission will automatically begin.

    摘要翻译： 公开了一种电子设备，其中可以用较少的键操作来执行其参数或功能。 诸如传真设备的电子设备具有显示单元，其显示可以分别用于指定和选择其参数或功能的多个键，并且将确定是否按下多个键中的每一个的时间长度 长或短 如果键短时间按下，该键将被简单地选择，如果长时间按下一个键，该键将被选择，传真传输将自动开始。

    Method for manufacturing tuning fork type piezoelectric device and tuning fork type piezoelectric device
    36.
    发明申请
    Method for manufacturing tuning fork type piezoelectric device and tuning fork type piezoelectric device 审中-公开
    音叉型压电装置及音叉式压电装置的制造方法

    公开(公告)号：US20050005411A1

    公开(公告)日：2005-01-13

    申请号：US10833006

    申请日：2004-04-28

    申请人： Osamu Kawauchi ,  Masayuki Kikushima ,  Yoshio Morita

    发明人： Osamu Kawauchi ,  Masayuki Kikushima ,  Yoshio Morita

    IPC分类号： H03H3/013 ,  H03H3/04 ,  H03H9/10 ,  H03H9/21 ,  H04R17/00

    CPC分类号： H03H9/1021 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435

    摘要： A method for manufacturing a tuning fork type piezoelectric device 10 includes a step of mounting a tuning fork type piezoelectric vibrating element 16 to a package base 12 having a sealing hole 20 with a conductive adhesive 14 having a Young's modulus of 1×10−2 GPa and below, a step of bonding a lid member 18 to an upper surface of the package base 12 with a low melting point glass 30, a step of a vacuum sealing the sealing hole 20 with a sealing member after vacuuming the inside of the package 28 through the sealing hole 20, and a step of adjusting a frequency by irradiating laser light to the tuning fork type piezoelectric vibrating element 16 through the lid member 18.

    摘要翻译： 音叉型压电装置10的制造方法包括将音叉型压电振动元件16安装到具有密封孔20的封装基座12的步骤，导电粘合剂14的杨氏模量为1×10 -2 GPa 以下，使用低熔点玻璃30将盖部件18接合到封装基板12的上表面的步骤，在对封装28的内部进行抽真空之后，用密封部件对密封孔20进行真空密封的工序 通过密封孔20和通过盖构件18向音叉型压电振动元件16照射激光来调节频率的步骤。

    Semiconductor light-emitting devices
    38.
    发明授权
    Semiconductor light-emitting devices 失效
    半导体发光器件

    公开(公告)号：US5008891A

    公开(公告)日：1991-04-16

    申请号：US507273

    申请日：1990-04-10

    申请人： Yoshio Morita

    发明人： Yoshio Morita

    IPC分类号： H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40 ,  H01S5/00 ,  H01S5/32 ,  H01S5/327

    CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/002 ,  H01L33/26 ,  H01S5/32 ,  H01S5/327

    摘要： Configurations of heterostructure semiconductor lasers and LEDs are desribed which enable emission wavelengths in the blue to ultra-violet region to be achieved. The structures are based on an n-type layer formed of a (ZnCd) (SSe) II-VI semiconductor and a p-type layer formed of Cu(AlGa) (SSe).sub.2 or (ZnCd)Ga.sub.2 (SSe).sub.4 semiconductor, epitaxially formed successively on a substrate, with each layer having an identical value of lattice constant to that of the substrate.

    摘要翻译： 描述了能够实现蓝色至紫外区域中的发射波长的异质结构半导体激光器和LED的配置。 该结构基于由（ZnCd）（SSe）II-VI半导体形成的n型层和由Cu（AlGa）（SSe）2或（ZnCd）Ga2（SSe）4半导体形成的p型层， 在衬底上连续地外延形成，每个层具有与衬底相同的晶格常数值。

    Optical film
    39.
    发明授权
    Optical film 失效
    光学胶片

    公开(公告)号：US4735869A

    公开(公告)日：1988-04-05

    申请号：US925637

    申请日：1986-09-18

    申请人： Yoshio Morita

    发明人： Yoshio Morita

    IPC分类号： C03C17/34 ,  C03C17/25 ,  C23C18/04 ,  C23C18/12 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  G02B1/111 ,  G02B5/28 ,  B05D5/06 ,  B32B9/00 ,  B32B19/00

    CPC分类号： C03C17/256 ,  G02B1/10 ,  C03C2217/212 ,  C03C2218/111 ,  Y10S359/90

    摘要： Process of forming a titanium dioxide film with controlled optical thickness on a surface comprising a pretreating step, at least one film-forming step and optionally a nucleation step between the pretreating and film-forming step, and articles coated with such a film.

    摘要翻译： PCT No.PCT / EP86 / 00003 Sec。 371日期1986年9月18日 102（e）1986年9月18日PCT PCT 1月7日，PCT PCT。 出版物WO86 / 04323 日期1986年7月31日。在包含预处理步骤的表面上形成具有受控光学厚度的二氧化钛膜的工艺，在预处理和成膜步骤之间的至少一个成膜步骤和任选的成核步骤，以及涂覆的制品 有这样的电影。