公开(公告)号：US07829444B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11269641

申请日：2005-11-09

申请人： Hisato Yabuta ,  Masafumi Sano ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hisato Yabuta ,  Masafumi Sano ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： Provided is a novel method for manufacturing a field effect transistor. Prior to forming an amorphous oxide layer on a substrate, ultraviolet rays are irradiated onto the substrate surface in an ozone atmosphere, plasma is irradiated onto the substrate surface, or the substrate surface is cleaned by a chemical solution containing hydrogen peroxide.

摘要翻译： 提供一种用于制造场效应晶体管的新颖方法。 在基板上形成无定形氧化物层之前，在臭氧气氛中将紫外线照射到基板表面上，将等离子体照射到基板表面上，或者通过含有过氧化氢的化学溶液清洁基板表面。

公开(公告)号：US20060113549A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11269768

申请日：2005-11-09

申请人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/12

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G03G5/08 ,  G03G5/144 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L2251/5315

摘要： An object of the present invention is to provide a new light-emitting device with the use of an amorphous oxide. The light-emitting device has a light-emitting layer existing between first and second electrodes and a field effect transistor, of which the active layer is an amorphous.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种使用无定形氧化物的新的发光装置。 发光器件具有存在于第一和第二电极之间的发光层和场效应晶体管，其中有源层是无定形的。

公开(公告)号：US20060113539A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11269647

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0376

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10 -6 / cm 3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层 包括与非晶氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。

公开(公告)号：US08237166B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12848671

申请日：2010-08-02

申请人： Hideya Kumomi ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hideya Kumomi ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/14621 ,  H01L29/04

摘要： An active matrix display comprising a light control device and a field effect transistor for driving the light control device. The active layer of the field effect transistor comprises an amorphous.

摘要翻译： 一种有源矩阵显示器，包括用于驱动光控制装置的光控制装置和场效应晶体管。 场效应晶体管的有源层包括非晶体。

公开(公告)号：US20110017996A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12882628

申请日：2010-09-15

申请人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G03G5/08 ,  G03G5/144 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L2251/5315

摘要： An Object of the Present Invention is to provide a new light-emitting device with the use of an amorphous oxide. The light-emitting device has a light-emitting layer existing between first and second electrodes and a field effect transistor, of which the active layer is an amorphous.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种使用无定形氧化物的新的发光装置。 发光器件具有存在于第一和第二电极之间的发光层和场效应晶体管，其中有源层是无定形的。

公开(公告)号：US20090179199A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12406464

申请日：2009-03-18

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A novel amorphous oxide applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide comprises microcrystals.

摘要翻译： 提供了可应用于例如TFT的有源层的新颖的无定形氧化物。 无定形氧化物包括微晶。

公开(公告)号：US20060110867A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11269641

申请日：2005-11-09

申请人： Hisato Yabuta ,  Masafumi Sano ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hisato Yabuta ,  Masafumi Sano ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： Provided is a novel method for manufacturing a field effect transistor. Prior to forming an amorphous oxide layer on a substrate, ultraviolet rays are irradiated onto the substrate surface in an ozone atmosphere, plasma is irradiated onto the substrate surface, or the substrate surface is cleaned by a chemical solution containing hydrogen peroxide.

摘要翻译： 提供一种用于制造场效应晶体管的新颖方法。 在基板上形成无定形氧化物层之前，在臭氧气氛中将紫外线照射到基板表面上，将等离子体照射到基板表面上，或者通过含有过氧化氢的化学溶液清洁基板表面。

公开(公告)号：US08420236B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US11909020

申请日：2006-08-01

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hidenori Hiramatsu ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi ,  Eiji Motomitsu

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： H01F10/193 ,  C01G45/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/42 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/407 ,  Y10T428/325

摘要： A magnetic semiconductor material contains at least one type of transition metals (Mn2+, Fe3+, Ru3+, Re2+, and Os3+) having five electrons in the d atomic orbital as a magnetic ion, in which the magnetic semiconductor material exhibits n-type electrical conduction by injection of an electron carrier and p-type electric conduction by injection of a hole carrier. A specific example is a layered oxy-pnictide compound represented by LnMnOPn (wherein Ln is at least one type selected from Y and rare earth elements of La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu, and Pn is at least one selected from pnicogen elements of N, P, As, Bi, and Sb). A high-sensitivity magnetic sensor, current sensor, or memory device can be made by using a magnetic pn homojunction structure made of thin films composed of the magnetic semiconductor material.

摘要翻译： 磁性半导体材料在d原子轨道中含有至少一种在d原子轨道中具有五个电子的过渡金属（Mn2 +，Fe3 +，Ru3 +，Re2 +和Os3 +）作为磁性离子，其中磁性半导体材料表现出n型导电 注入电子载体和p型导电注入孔载体。 具体实例是由LnMnOPn（其中Ln是选自Y中的至少一种和La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er的稀土元素中的至少一种类型的层状氧基化合物） ，Tm，Yb和Lu，Pn为选自N，P，As，Bi和Sb中的至少一种元素）。 可以通过使用由磁性半导体材料构成的薄膜制成的磁性pn均质结构来制造高灵敏度的磁传感器，电流传感器或存储器件。

公开(公告)号：US07892458B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12094936

申请日：2006-11-17

申请人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

发明人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

IPC分类号： H01B1/08

CPC分类号： H01B1/08 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02

摘要： In an electride C12A7 provided by replacing free oxygen in 12CaO.7Al2O3 with electrons, a material having metallic electroconductivity and an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature could not have been produced without difficulties. An electride 12CaO.7Al2O3, which has metallic electroconductivity and has an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature, can be produced by heat-treating titanium metal vapor and 12CaO.7Al2O3 single crystal, sinter, or thin film at a temperature above 600° C. and below 1,450° C. for less than 240 hours. Further, thermoelectric field electron release can also be realized using an electron release chip fabricated from the electride.

摘要翻译： 在12Ca0.7Al2O3中用电子代替游离氧提供的电化学C12A7中，在室温下具有金属导电性和电导率大于5×102S / cm的材料不能没有困难地产生。 通过热处理钛金属蒸气和12CaO.7Al2O3单晶，烧结体或薄膜，可以制备具有金属导电性并且室温下电导率大于5×102S / cm的电化学12CaO.7Al2O3 温度高于600℃，低于1450℃，时间不超过240小时。 此外，还可以使用由电极制造的电子释放芯片来实现热电场电子释放。

公开(公告)号：US20090224214A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12094936

申请日：2006-11-17

申请人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

发明人： Hideo Hosono ,  Sungwng Kim ,  Katsurou Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Satoru Matsuishi ,  Toshio Kamiya ,  Masahiro Hirano ,  Yoshitake Toda

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： H01B1/08 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02

摘要： In an electride C12A7 provided by replacing free oxygen in 12CaO.7Al2O3 with electrons, a material having metallic electroconductivity and an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature could not have been produced without difficulties.An electride 12CaO.7Al2O3, which has metallic electroconductivity and has an electric conductivity of more than 5×102 S/cm at room temperature, can be produced by heat-treating titanium metal vapor and 12CaO.7Al2O3 single crystal, sinter, or thin film at a temperature above 600° C. and below 1,450° C. for less than 240 hours. Further, thermoelectric field electron release can also be realized using an electron release chip fabricated from the electride.

摘要翻译： 在通过用电子代替12CaO.7Al2O3中的游离氧提供的电化学C12A7中，不能没有困难地产生在室温下具有金属导电性和大于5×102S / cm的电导率的材料。 具有金属导电性并且室温下电导率大于5×102S / cm的电化学12CaO.7Al2O3可以通过将钛金属蒸气和12CaO.7Al2O3单晶，烧结体或薄膜热处理在 温度高于600℃，低于1450℃，时间不超过240小时。 此外，还可以使用由电极制造的电子释放芯片来实现热电场电子释放。