公开(公告)号：US07601984B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11269600

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A novel amorphous oxide applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide comprises microcrystals.

摘要翻译： 提供了可应用于例如TFT的有源层的新颖的无定形氧化物。 无定形氧化物包括微晶。

公开(公告)号：US20060108636A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11269600

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A novel amorphous oxide applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide comprises microcrystals.

公开(公告)号：US20060113539A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11269647

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0376

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10 -6 / cm 3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层 包括与非晶氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。

公开(公告)号：US08168974B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12882647

申请日：2010-09-15

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US20090179199A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12406464

申请日：2009-03-18

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A novel amorphous oxide applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide comprises microcrystals.

摘要翻译： 提供了可应用于例如TFT的有源层的新颖的无定形氧化物。 无定形氧化物包括微晶。

公开(公告)号：US20110012107A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12882647

申请日：2010-09-15

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US07868326B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11269647

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10-18 / cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层由与非晶氧化物接触的第一层 以及与第一层不同的第二层。

公开(公告)号：US08062774B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12729340

申请日：2010-03-23

申请人： Katsumi Nakagawa

发明人： Katsumi Nakagawa

IPC分类号： H01L51/54

CPC分类号： H01L27/3283 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/56 ,  Y10S428/917 ,  Y10S525/928 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31721

摘要： There is provided an organic electroluminescence display includes a lower electrode formed on a substrate, a device separation film formed on the lower electrode, an organic compound layer formed on the device separation film and including a light emission layer, and an upper electrode formed on the organic compound layer, wherein the device separation film is a polyimide film having an imidation ratio in a range of 65% or more to less than 90%. The display is expected to have longer operating life.

摘要翻译： 提供一种有机电致发光显示器，其包括形成在基板上的下电极，形成在下电极上的器件分离膜，形成在器件分离膜上并包括发光层的有机化合物层，以及形成在其上的上电极 有机化合物层，其中，所述器件分离膜是酰亚胺化率在65％以上且小于90％的范围内的聚酰亚胺膜。 预计显示屏具有更长的使用寿命。

公开(公告)号：US07282190B2

公开(公告)日：2007-10-16

申请号：US10563115

申请日：2005-05-17

申请人： Masaki Mizutani ,  Shoji Nishida ,  Katsumi Nakagawa

发明人： Masaki Mizutani ,  Shoji Nishida ,  Katsumi Nakagawa

IPC分类号： C01B33/26 ,  C30B15/20

CPC分类号： H01L31/182 ,  C30B19/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02658 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： A solar cell is produced by dipping a multicrystalline silicon substrate 28 in a solution 24 containing silicon, growing a silicon layer on the substrate 28 while decreasing with time the temperature drop rate of the solution during the dipping of the substrate in the solution, and forming a pn junction in the silicon layer. Thereby, there is provided a silicon layer production method that can form a thick layer while restraining the degree of roughness, whereby a low-cost, multicrystalline-silicon solar cell production method is provided that realizes both a large current and a high FF.

摘要翻译： 通过将多晶硅基板28浸渍在含硅的溶液24中来生产太阳能电池，在衬底28上生长硅层，同时随着时间的推移在衬底浸入溶液中时溶液的温度降低速率降低，并形成 硅层中的pn结。 因此，提供了可以在抑制粗糙度的同时形成厚层的硅层制造方法，由此提供实现大电流和高FF的低成本多晶硅太阳能电池制造方法。

公开(公告)号：US20070001595A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11476084

申请日：2006-06-28

申请人： Katsumi Nakagawa

发明人： Katsumi Nakagawa

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L27/3283 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/56 ,  Y10S428/917 ,  Y10S525/928 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31721

摘要： There is provided an organic electroluminescence display includes a lower electrode formed on a substrate, a device separation film formed on the lower electrode, an organic compound layer formed on the device separation film and including a light emission layer, and an upper electrode formed on the organic compound layer, wherein the device separation film is a polyimide film having an imidation ratio in a range of 65% or more to less than 90%. The display is expected to have longer operating life.

摘要翻译： 提供一种有机电致发光显示器，其包括形成在基板上的下电极，形成在下电极上的器件分离膜，形成在器件分离膜上并包括发光层的有机化合物层，以及形成在其上的上电极 有机化合物层，其中，所述器件分离膜是酰亚胺化率在65％以上且小于90％的范围内的聚酰亚胺膜。 显示器预计具有更长的使用寿命。