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    Linked arylamine polymers
    33.
    发明授权
    Linked arylamine polymers 有权
    连接芳基胺聚合物

    公开(公告)号：US07847052B2

    公开(公告)日：2010-12-07

    申请号：US11399065

    申请日：2006-04-06

    申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

    发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

    IPC分类号： C08G75/00

    CPC分类号： C08G61/12 ,  C08G61/122 ,  C08G73/0694

    摘要： A polymer of the following formula wherein Ar is aryl or heteroaryl; X represents CH2, sulfur, oxygen, selenium, NR′, or SiR″2 wherein R′ and R″ are each a suitable hydrocarbon; m represents the number of X substituents; and n represents the number of the repeating units.

    摘要翻译： 下式的聚合物，其中Ar是芳基或杂芳基; X表示CH 2，硫，氧，硒，NR'或SiR“2，其中R'和R”各自为合适的烃; m表示X取代基的数量; n表示重复单元的数量。

    Polythiophene electronic devices
    35.
    发明授权
    Polythiophene electronic devices 有权
    聚噻吩电子器件

    公开(公告)号：US07718999B2

    公开(公告)日：2010-05-18

    申请号：US11638726

    申请日：2006-12-14

    申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

    发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

    IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

    CPC分类号： C08G61/126 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device with a semiconductor layer of (I) wherein X is O or NR′; m represents the number of methylenes; M is a conjugated moiety; R and R′ are selected from the group consisting of at least one of hydrogen, a suitable hydrocarbon, and a suitable hetero-containing group; a represents the number of 3-substituted thiophene units; b represents the number of conjugated moieties, and n represents the number of polymer repeating units.

    摘要翻译： 一种具有半导体层（I）的电子器件，其中X为O或NR'; m表示亚甲基的数量; M是共轭部分; R和R'选自氢，合适的烃和合适的含杂原子团中的至少一种; a表示3-取代噻吩单元的数目; b表示共轭部分的数目，n表示聚合物重复单元的数目。

    DEVICE AND PROCESS INVOLVING PINHOLE UNDERCUT AREA
    37.
    发明申请
    DEVICE AND PROCESS INVOLVING PINHOLE UNDERCUT AREA 有权
    涉及钻孔区域的装置和过程

    公开(公告)号：US20100038714A1

    公开(公告)日：2010-02-18

    申请号：US12193249

    申请日：2008-08-18

    申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Hualong Pan

    发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Hualong Pan

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L51/0516 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102

    摘要： An electronic device fabrication method including: (a) providing a dielectric region and a lower electrically conductive region, wherein the dielectric region includes a plurality of pinholes each with an entry and an exit; and (b) depositing an etchant for the lower electrically conductive region into the pinholes that undercuts the pinholes to create for a number of the pinholes an overhanging surface of the dielectric region around the exit facing an undercut area of the lower electrically conductive region wider than the exit.

    摘要翻译： 一种电子器件制造方法，包括：（a）提供电介质区域和下部导电区域，其中所述电介质区域包括多个具有入口和出口的针孔; 并且（b）将用于下部导电区域的蚀刻剂沉积到针孔中，该针孔削弱针孔以产生多个针孔，所述导电区域周围的电介质区域的悬垂表面面向较低导电区域的底切区域宽于 出口。

    SILVER NANOPARTICLES AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
    38.
    发明申请
    SILVER NANOPARTICLES AND PROCESS FOR PRODUCING SAME 有权
    银纳米粒子及其生产方法

    公开(公告)号：US20100037731A1

    公开(公告)日：2010-02-18

    申请号：US12193203

    申请日：2008-08-18

    申请人： Yuning Li

    发明人： Yuning Li

    IPC分类号： B22F9/16 ,  B32B5/16 ,  H01L29/786

    CPC分类号： B22F1/0018 ,  B22F1/0022 ,  B22F1/0062 ,  B22F9/24 ,  B82Y30/00 ,  H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  Y10T428/2982

    摘要： Processes for producing silver nanoparticles are disclosed. A reaction mixture comprising a silver compound, a carboxylic acid, an amine compound, and an optional solvent is optionally heated. A hydrazine compound is then added and the mixture is further reacted to produce the silver nanoparticles.

    摘要翻译： 公开了制备银纳米颗粒的方法。 任选地加热包含银化合物，羧酸，胺化合物和任选的溶剂的反应混合物。 然后加入肼化合物，并进一步反应混合物以产生银纳米颗粒。

    TFT containing coalesced nanoparticles
    39.
    发明授权
    TFT containing coalesced nanoparticles 有权
    含有聚结的纳米粒子的TFT

    公开(公告)号：US07612374B2

    公开(公告)日：2009-11-03

    申请号：US11954736

    申请日：2007-12-12

    申请人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S Ong

    发明人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S Ong

    IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

    CPC分类号： B22F7/04 ,  B22F1/0022 ,  B22F2999/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/288 ,  H01L23/53242 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/25 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/0085 ,  H01L2924/00

    摘要： A thin film transistor comprising: (a) an insulating layer; (b) a gate electrode; (c) a semiconductor layer; (d) a source electrode; and (e) a drain electrode, wherein the insulating layer, the gate electrode, the semiconductor layer, the source electrode, and the drain electrode are in any sequence as long as the gate electrode and the semiconductor layer both contact the insulating layer, and the source electrode and the drain electrode both contact the semiconductor layer, and wherein at least one of the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode comprise coalesced coinage metal containing nanoparticles and a residual amount of one or both of a stabilizer covalently bonded to the coalesced coinage metal containing nanoparticles and a decomposed stabilizer covalently bonded to the coalesced coinage metal containing nanoparticles.

    摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括：（a）绝缘层; （b）栅电极; （c）半导体层; （d）源电极; 和（e）漏电极，其中绝缘层，栅极电极，半导体层，源电极和漏电极是任何顺序的，只要栅电极和半导体层都接触绝缘层，以及 源电极和漏电极都接触半导体层，并且其中源电极，漏电极和栅极电极中的至少一个包括聚结的含有金属的含金属纳米颗粒和剩余量的一种或两种稳定剂共价键合 包含聚合的含金属的纳米颗粒和分解的稳定剂共价结合到含聚合物的含金属的纳米颗粒上。

    Polyacenes and electronic devices generated therefrom
    40.
    发明授权
    Polyacenes and electronic devices generated therefrom 有权
    由其生成的聚烯烃和电子设备

    公开(公告)号：US07550760B2

    公开(公告)日：2009-06-23

    申请号：US11399216

    申请日：2006-04-06

    申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

    发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

    IPC分类号： H01L35/24

    CPC分类号： C08G61/02 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device comprises a semiconductive material containing a homopolyacene of Formula (I): wherein R is a suitable hydrocarbon, a halogen, or a heteroatom containing group; each R′ and R″ are independently a suitable hydrocarbon, a heteroatom containing group, or a halogen; a represents a number of benzene rings on a left side of the central benzene ring; b represents a number of benzene rings on a right side of the central benzene ring; x represents a total number of R′ groups on the left side of the central benzene ring; y represents a total number of R″ groups on the right side of the central benzene ring; and n represents the number of repeating units and is from 2 to about 5,000.

    摘要翻译： 电子器件包括含有式（I）的均聚并苯的半导体材料：其中R是合适的烃，卤素或含杂原子的基团; 每个R'和R“独立地是合适的烃，含杂原子的基团或卤素; a表示中心苯环左侧的多个苯环; b表示中心苯环右侧的苯环数目; x表示中心苯环左侧的R'基团的总数; y表示中心苯环右侧的R“基团的总数; n表示重复单元的数量，为2〜约5,000。