公开(公告)号：US20080152932A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11957797

申请日：2007-12-17

申请人： Johannes Georg Bednorz ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer

发明人： Johannes Georg Bednorz ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  G11C13/0002 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  Y10T29/49 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

摘要： The present invention relates to a memory cell (10) comprising: a resistive structure (1), and at least two electrodes (2) coupled to the resistive structure (1), wherein: the resistive structure (1) comprises hydrogen, and the resistive structure (1) comprises a material that exhibits a hydrogen ion mobility value of at least 10−8 cm2/Vs.

摘要翻译： 本发明涉及一种存储单元（10），包括：电阻结构（1）和耦合到电阻结构（1）的至少两个电极（2），其中：电阻结构（1）包括氢，并且 电阻结构（1）包括表现出至少10 -8 V 2 / Vs / Vs的氢离子迁移率值的材料。

公开(公告)号：US20080142925A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11612501

申请日：2006-12-19

申请人： Johannes G. Bednorz ,  Eric A. Joseph ,  Siegfried F. Karg ,  Chung H. Lam ,  Gerhard I. Meijer ,  Alejandro G. Schrott

发明人： Johannes G. Bednorz ,  Eric A. Joseph ,  Siegfried F. Karg ,  Chung H. Lam ,  Gerhard I. Meijer ,  Alejandro G. Schrott

IPC分类号： H01L29/86 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1641 ,  Y10S438/90

摘要： The present invention relates to a memory cell comprising: a resistive structure; at least two electrodes coupled to the resistive structure, and at least one hydrogen reservoir structure, wherein the application of an electrical signal to one of the at least two electrodes causes the electrical resistance of the resistive structure to be modified by altering a hydrogen-ion concentration in the resistive structure.

摘要翻译： 本发明涉及一种存储单元，包括：电阻结构; 耦合到电阻结构的至少两个电极和至少一个氢储存器结构，其中将电信号施加到所述至少两个电极中的一个电极导致通过改变氢离子来修改电阻结构的电阻 电阻结构中的浓度。

公开(公告)号：US20080011996A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11456591

申请日：2006-07-11

申请人： Johannes Georg Bednorz ,  Walter Heinrich Riess ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  German Hammerl

发明人： Johannes Georg Bednorz ,  Walter Heinrich Riess ,  Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer ,  German Hammerl

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1658

摘要： The present invention provides a microelectronic device comprising a resistance structure including a plurality of programmable resistance layers and at least one intermediate layer such that an intermediate layer is placed between two programmable resistance layers. The programmable resistance layers can be individually doped or may consist of different materials. Each programmable resistance layer may be optimized for a specific application. The microelectronic device can be used as a programmable resistor or a memory cell as it exhibits switchable electrical resistance and does not require a time-consuming conditioning process.

摘要翻译： 本发明提供了一种微电子器件，其包括电阻结构，该电阻结构包括多个可编程电阻层和至少一个中间层，使得中间层位于两个可编程电阻层之间。 可编程电阻层可以单独掺杂或由不同的材料组成。 可针对特定应用优化每个可编程电阻层。 微电子器件可以用作可编程电阻器或存储器单元，因为其具有可切换的电阻并且不需要耗时的调节处理。

公开(公告)号：US20080001172A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11427820

申请日：2006-06-30

申请人： Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer

发明人： Siegfried F. Karg ,  Gerhard Ingmar Meijer

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A nonvolatile programmable resistance memory cell comprising a high-mobility ion conductor and a method for fabricating the same are provides. The memory cell comprises of a first and second electrode and a reversible and persistent programmable resistance structure connecting the first and second electrode. The resistance is modifiable by altering the ionic distribution of a high-mobility oxygen ion conductor region. As an alternate embodiment, the memory cell further includes a transition-metal oxide region.

摘要翻译： 提供了包括高迁移率离子导体的非易失性可编程电阻存储单元及其制造方法。 存储单元包括第一和第二电极以及连接第一和第二电极的可逆且持久的可编程电阻结构。 通过改变高迁移率氧离子导体区域的离子分布可以改变电阻。 作为替代实施例，存储单元还包括过渡金属氧化物区域。

公开(公告)号：US06995391B2

公开(公告)日：2006-02-07

申请号：US10499538

申请日：2002-11-26

申请人： Santos F. Alvarado ,  Tilman A. Beierlein ,  Brian K. Crone ,  Ute Drechsler ,  Roland Germann ,  Siegfried F. Karg ,  Peter Mueller ,  Lieike Riel ,  Walter Riess ,  Beat Ruhstaller ,  Paul Seidler ,  Roland Widmer

发明人： Santos F. Alvarado ,  Tilman A. Beierlein ,  Brian K. Crone ,  Ute Drechsler ,  Roland Germann ,  Siegfried F. Karg ,  Peter Mueller ,  Lieike Riel ,  Walter Riess ,  Beat Ruhstaller ,  Paul Seidler ,  Roland Widmer

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00 ,  H01L29/22

CPC分类号： H01L51/5088 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315

摘要： The present invention discloses an electrode structure for electronic and opto-electronic devices. Such a device comprises a first electrode substantially having a conductive layer (204), a nonmetal layer (206) formed on the conductive layer, a fluorocarbon layer (208) formed on the nonmetal layer, a structure (210) formed on the structure. The electrode may further comprise a buffer layer (205) between the conductive layer and the nonmetal layer.

摘要翻译： 本发明公开了一种电子和光电器件的电极结构。 这种器件包括基本上具有导电层（204）的第一电极，形成在导电层上的非金属层（206），形成在非金属层上的碳氟化合物层（208），形成在该结构上的结构（210）。 电极还可以包括在导电层和非金属层之间的缓冲层（205）。

公开(公告)号：US06580090B2

公开(公告)日：2003-06-17

申请号：US09887639

申请日：2001-06-22

申请人： Siegfried Johannes Barth ,  Tilman A. Beierlein ,  Siegfried F. Karg ,  Heike Riel ,  Walter Heinrich Riess

发明人： Siegfried Johannes Barth ,  Tilman A. Beierlein ,  Siegfried F. Karg ,  Heike Riel ,  Walter Heinrich Riess

IPC分类号： H01L3524

CPC分类号： H01L51/525 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5243

摘要： A method of making a light-emitting device comprises forming a first and second components. The first component has a first substrate, a first electrode on the first substrate, an organic layer on the first electrode, and a light-transmissive second electrode on the organic layer. The second component has a light-transmissive second substrate, and a light transmissive, electrically conductive layer on the second substrate. The first and second components are joined with the second electrode of the first component facing the conductive layer of the second component. An electrical contact is formed between the second electrode of the first component and the electrically conductive layer of the second component.

摘要翻译： 制造发光器件的方法包括形成第一和第二组分。 第一部件具有第一基板，第一基板上的第一电极，第一电极上的有机层和有机层上的透光第二电极。 第二部件具有透光的第二基板和在第二基板上的透光的导电层。 第一和第二部件与面向第二部件的导电层的第一部件的第二电极接合。 在第一部件的第二电极和第二部件的导电层之间形成电接触。