公开(公告)号：US20100301358A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12087048

申请日：2007-03-15

申请人： Naoki Shibata ,  Koji Hirata ,  Shiro Yamazaki ,  Katsuhiro Imai ,  Makoto Iwai ,  Takatomo Sasaki ,  Yusuke Mori ,  Fumio Kawamura

发明人： Naoki Shibata ,  Koji Hirata ,  Shiro Yamazaki ,  Katsuhiro Imai ,  Makoto Iwai ,  Takatomo Sasaki ,  Yusuke Mori ,  Fumio Kawamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  C30B9/12 ,  H01L29/772 ,  H01L33/30 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/063 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0075

摘要： The present invention provides a method for producing a semiconductor substrate, the method including reacting nitrogen (N) with gallium (Ga), aluminum (Al), or indium (In), which are group III elements, in a flux mixture containing a plurality of metal elements selected from among alkali metals and alkaline earth metals, to thereby grow a group III nitride based compound semiconductor crystal. The group III nitride based compound semiconductor crystal is grown while the flux mixture and the group III element are mixed under stirring. At least a portion of a base substrate on which the group III nitride based compound semiconductor crystal is grown is formed of a flux-soluble material, and the flux-soluble material is dissolved in the flux mixture, at a temperature near the growth temperature of the group III nitride based compound semiconductor crystal, during the course of growth of the semiconductor crystal.

摘要翻译： 本发明提供了一种制造半导体衬底的方法，该方法包括使氮（N）与作为III族元素的镓（Ga），铝（Al）或铟（In））在含有多个 选自碱金属和碱土金属的金属元素，从而生长III族氮化物基化合物半导体晶体。 在熔融混合物和III族元素在搅拌下混合，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。 在其上生长III族氮化物基化合物半导体晶体的基底基板的至少一部分由助溶剂材料形成，并且将助熔剂材料溶解在助熔剂混合物中，在接近生长温度的温度 在所述半导体晶体的生长过程中，所述III族氮化物基化合物半导体晶体。

公开(公告)号：US07772970B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11783111

申请日：2007-04-05

申请人： Toshio Masuda ,  Kenichi Yamamoto ,  Kenji Hijikata ,  Satoshi Satomura ,  Hiroshi Oishi ,  Toyohide Sunaguchi ,  Yoshio Iwakami ,  Munenori Homma ,  Kouji Kaneda ,  Atsushi Atake ,  Tatsuru Fukuda ,  Masayuki Ushiki ,  Minoru Yuki ,  Tsuyoshi Kobayashi ,  Masahito Motoi ,  Naoki Shibata ,  Hiroshi Ogiwara ,  Katsumasa Igarashi ,  Junzo Shinozuka ,  Akihisa Nakamura

发明人： Toshio Masuda ,  Kenichi Yamamoto ,  Kenji Hijikata ,  Satoshi Satomura ,  Hiroshi Oishi ,  Toyohide Sunaguchi ,  Yoshio Iwakami ,  Munenori Homma ,  Kouji Kaneda ,  Atsushi Atake ,  Tatsuru Fukuda ,  Masayuki Ushiki ,  Minoru Yuki ,  Tsuyoshi Kobayashi ,  Masahito Motoi ,  Naoki Shibata ,  Hiroshi Ogiwara ,  Katsumasa Igarashi ,  Junzo Shinozuka ,  Akihisa Nakamura

IPC分类号： B60Q1/00

CPC分类号： F02D11/105 ,  B60K2350/1092 ,  F02D2200/604 ,  Y02T10/84

摘要： The present invention provides a vehicle display device which can display fuel consumption information of a vehicle in a useful and optimum mode for a driver. A meter_EUC calculates an instantaneous fuel consumption of a vehicle based on a mileage and a fuel injection quantity within a set time, calculates an average fuel consumption of the vehicle based on respective cumulative values of the mileage and the fuel injection quantity repeatedly calculated for every set time, and displays the deviation of the instantaneous fuel consumption with respect to the average fuel consumption as fuel consumption information on a fuel consumption meter. The display on the fuel consumption meter is performed by swinging a pointer with respect to a neutral position. When the deviation takes a positive value, the pointer is swung in the pulse direction with a swinging width corresponding to the deviation quantity, while when the deviation takes a negative value, the pointer is swung in the minus direction with a swinging width corresponding to the deviation quantity.

摘要翻译： 本发明提供一种能够以驾驶员的有用且最佳模式显示车辆的燃料消耗信息的车辆显示装置。 根据在设定时间内的里程和燃料喷射量计算车辆的瞬时燃料消耗量，根据对于每个集合重复计算的里程和燃料喷射量的累计值，计算出车辆的平均燃料消耗量 时间，并且将相对于平均燃料消耗的瞬时燃料消耗的偏差显示为燃料消耗计量器上的燃料消耗信息。 通过相对于中立位置摆动指针来执行燃料消耗计的显示。 当偏差为正值时，指针以对应于偏差量的摆动宽度在脉冲方向上摆动，而当偏差为负值时，指针以负方向摆动，摆动宽度对应于 偏差量。

公开(公告)号：US20100146693A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US11996903

申请日：2006-07-26

申请人： Shigeyuki Yamaguchi ,  Hitoshi Kitamura ,  Yasunari Maeda ,  Takaya Niu ,  Kazumasa Rokushima ,  Yoshihiro Ito ,  Naoki Shibata ,  Noriyuki Kitachi ,  Masato Suzuki

发明人： Shigeyuki Yamaguchi ,  Hitoshi Kitamura ,  Yasunari Maeda ,  Takaya Niu ,  Kazumasa Rokushima ,  Yoshihiro Ito ,  Naoki Shibata ,  Noriyuki Kitachi ,  Masato Suzuki

IPC分类号： E03D11/00

CPC分类号： E03D11/08 ,  C02F1/4672 ,  E03D5/10

摘要： Flush toilet equipment comprises a bowl, a flush mechanism that supplies flush water to the bowl through a flush water passage, and a minute bubble generator. The minute bubble generator generates minute bubbles. The bubbles are 0.1-1000 μm in bubble diameter and mixed with the flush water. In this construction, since the minute bubbles are fully diffused into the flush water, various effects such as improvement of toilet flush effect, etc. can be further enhanced.

摘要翻译： 冲洗式厕所设备包括碗，冲洗机构，其通过冲洗水通道向碗内提供冲洗水，以及微小的气泡发生器。 微小的气泡发生器产生微小的气泡。 气泡直径为0.1-1000微米，与冲洗水混合。 在这种结构中，由于微小气泡完全扩散到冲洗水中，因此可以进一步提高诸如提高马桶冲洗效果等的各种效果。

公开(公告)号：USD599075S1

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US29309681

申请日：2008-09-25

申请人： Naoki Shibata ,  Naoki Ishikawa

设计人： Naoki Shibata ,  Naoki Ishikawa

公开(公告)号：USD594624S1

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：US29309343

申请日：2008-07-29

申请人： Naoki Shibata ,  Akihiro Ishigami ,  Yuichi Ishimura ,  Nobutaka Umezawa

设计人： Naoki Shibata ,  Akihiro Ishigami ,  Yuichi Ishimura ,  Nobutaka Umezawa

公开(公告)号：USD594172S1

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US29309341

申请日：2008-07-29

申请人： Naoki Shibata ,  Akihiro Ishigami ,  Yuichi Ishimura

设计人： Naoki Shibata ,  Akihiro Ishigami ,  Yuichi Ishimura

公开(公告)号：US07546197B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11783266

申请日：2007-04-06

申请人： Toshio Masuda ,  Kenichi Yamamoto ,  Kenji Hijikata ,  Satoshi Satomura ,  Atsushi Atake ,  Kouji Kaneda ,  Tatsuru Fukuda ,  Minoru Yuki ,  Masayuki Ushiki ,  Tsuyoshi Kobayashi ,  Masahito Motoi ,  Naoki Shibata ,  Hiroshi Ogiwara ,  Katsumasa Igarashi ,  Junzo Shinozuka ,  Akihisa Nakamura

发明人： Toshio Masuda ,  Kenichi Yamamoto ,  Kenji Hijikata ,  Satoshi Satomura ,  Atsushi Atake ,  Kouji Kaneda ,  Tatsuru Fukuda ,  Minoru Yuki ,  Masayuki Ushiki ,  Tsuyoshi Kobayashi ,  Masahito Motoi ,  Naoki Shibata ,  Hiroshi Ogiwara ,  Katsumasa Igarashi ,  Junzo Shinozuka ,  Akihisa Nakamura

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： F02D11/105 ,  F02D41/2422 ,  F02D2200/604

摘要： A driving force control device can set driving force characteristics which conform to tastes of drivers using one vehicle thus giving the easy-to-drive feeling to the drivers. An E/G13ECU possesses three modes 1 to 3 as control modes and selects one mode from these modes based on a manipulation input using a mode selection switch. Further, any one of the mode out of these modes 1 to 3 is preset in the E/G13ECU as a temporary changeover mode, and the E/G13ECU changes over a mode selected by the mode selection switch and the preset temporary changeover mode alternatively by the temporary changeover switch.

摘要翻译： 驱动力控制装置可以设置符合使用一个车辆的驾驶员的口味的驱动力特性，从而给驾驶员提供易于驾驶的感觉。 E / G13ECU具有三种模式1至3作为控制模式，并且基于使用模式选择开关的操纵输入从这些模式中选择一种模式。 此外，这些模式1至3中的模式中的任何一种在E / G13ECU中被预设为临时切换模式，并且E / G13ECU通过模式选择开关选择的模式和预设的临时切换模式交替地改变 临时切换开关。

公开(公告)号：USD590409S1

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US29273005

申请日：2007-02-26

申请人： Naoki Shibata ,  Kumiko Shibata

设计人： Naoki Shibata ,  Kumiko Shibata

公开(公告)号：US20070247975A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11783275

申请日：2007-04-06

申请人： Toshio Masuda ,  Kenichi Yamamoto ,  Kenji Hijikata ,  Satoshi Satomura ,  Hiroshi Oishi ,  Toyohide Sunaguchi ,  Yoshio Iwakami ,  Munenori Homma ,  Atsushi Atake ,  Kouji Kaneda ,  Tatsuru Fukuda ,  Minoru Yuki ,  Masayuki Ushiki ,  Tsuyoshi Kobayashi ,  Masahito Motoi ,  Naoki Shibata ,  Hiroshi Ogiwara ,  Katsumasa Igarashi ,  Junzo Shinozuka ,  Akihisa Nakamura

发明人： Toshio Masuda ,  Kenichi Yamamoto ,  Kenji Hijikata ,  Satoshi Satomura ,  Hiroshi Oishi ,  Toyohide Sunaguchi ,  Yoshio Iwakami ,  Munenori Homma ,  Atsushi Atake ,  Kouji Kaneda ,  Tatsuru Fukuda ,  Minoru Yuki ,  Masayuki Ushiki ,  Tsuyoshi Kobayashi ,  Masahito Motoi ,  Naoki Shibata ,  Hiroshi Ogiwara ,  Katsumasa Igarashi ,  Junzo Shinozuka ,  Akihisa Nakamura

IPC分类号： G04B19/22

CPC分类号： G01D7/08 ,  G01D1/18 ,  G01D7/12 ,  G07C5/0825 ,  G07C5/0841

摘要： The present invention provides a vehicle display device which allows a driver to instantaneously grasp driving force information. A meter_ECU displays a driving force display image which displays driving force information of a vehicle on an MID, displays an acceleration-torque line (driving force characteristic line) L corresponding to the currently selected mode M and, at the same time, changes a power level which is indicated in a power display region P set within the acceleration-torque line L interlockingly with an accelerator operation of a driver. Due to such a constitution, the vehicle display device allows the driver to instantaneously grasp the driving force information.

摘要翻译： 本发明提供一种车辆显示装置，其允许驾驶员即时掌握驱动力信息。 米_ECU显示在MID上显示车辆的驱动力信息的驱动力显示图像，显示与当前选择的模式M对应的加速度 - 转矩线（驱动力特性线）L，并且同时改变功率 在加速扭矩线L内设置的功率显示区域P中指示的电平与驾驶员的加速器操作互锁。 由于这样的构成，车辆用显示装置能够使驾驶员立即掌握驱动力信息。

公开(公告)号：US06806571B2

公开(公告)日：2004-10-19

申请号：US10239895

申请日：2003-02-19

申请人： Naoki Shibata ,  Toshiya Uemura ,  Makoto Asai ,  Yasuo Koide ,  Masanori Murakami

发明人： Naoki Shibata ,  Toshiya Uemura ,  Makoto Asai ,  Yasuo Koide ,  Masanori Murakami

IPC分类号： H01L3300

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L21/242 ,  H01L21/28575 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341

摘要： An AlN buffer layer 2; a silicon (Si)-doped GaN high-carrier-concentration n+ layer 3; an Si-doped n-type Al0.07Ga0.93N n-cladding layer 4; an Si-doped n-type GaN n-guide layer 5; an active layer 6 having a multiple quantum well (MQW) structure, and including a Ga0.9In0.1N well layer 61 (thickness: about 2 nm) and a Ga0.97In0.03N barrier layer 62 (thickness: about 4 nm), the layers 61 and 62 being laminated alternately; an Mg-doped GaN p-guide layer 7; an Mg-doped Al0.07Ga0.93N p-cladding layer 8; and an Mg-doped GaN p-contact layer 9 are successively formed on a sapphire substrate. A p-electrode 10 is formed of a film of titanium nitride (TiN) or tantalum nitride (TaN) (thickness: 50 nm). The contact resistance of this electrode is reduced through heat treatment.

摘要翻译： AlN缓冲层2; 硅（Si）掺杂的GaN高载流子浓度n + 3层; Si掺杂n型Al0.07Ga0.93N n包层4; Si掺杂的n型GaN n引导层5; 具有多量子阱（MQW）结构的有源层6，并且包括Ga 0.9 In 0.1 N阱层61（厚度：约2nm）和Ga 0.97 In 0.03 N势垒层62（厚度：约4nm）， 层61和62交替层压; Mg掺杂的GaN p引导层7; Mg掺杂的Al0.07Ga0.93N p型包层8; 并且在蓝宝石衬底上依次形成Mg掺杂的GaN p接触层9。 p电极10由氮化钛（TiN）或氮化钽（TaN）（厚度：50nm）的膜形成。 该电极的接触电阻通过热处理而降低。