公开(公告)号：US08084367B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US11752834

申请日：2007-05-23

申请人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

发明人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02101 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L27/10852 ,  Y10S134/902

摘要： Provided herein are etching, cleaning and drying methods using a supercritical fluid, and a chamber system for conducting the same. The etching method includes etching the material layer using a supercritical carbon dioxide in which an etching chemical is dissolved, and removing an etching by-product created from a reaction between the material layer and the etching chemical using a supercritical carbon dioxide in which a cleaning chemical is dissolved. Methods of manufacturing a semiconductor device are also provided.

摘要翻译： 本文提供了使用超临界流体的蚀刻，清洁和干燥方法以及用于进行该临界流体的室系统。 蚀刻方法包括使用其中溶解蚀刻剂的超临界二氧化碳蚀刻材料层，以及使用超临界二氧化碳除去由材料层和蚀刻化学品之间的反应产生的蚀刻副产物，其中清洁化学品 溶解 还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：US08058180B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12032048

申请日：2008-02-15

申请人： Doo-Won Kwon ,  Hyung-Ho Ko ,  Chang-Sup Mun ,  Woo-Gwan Shim ,  Im-Soo Park ,  Yu-Kyung Kim ,  Jeong-Nam Han

发明人： Doo-Won Kwon ,  Hyung-Ho Ko ,  Chang-Sup Mun ,  Woo-Gwan Shim ,  Im-Soo Park ,  Yu-Kyung Kim ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02052

摘要： This invention provides methods of fabricating semiconductor devices, wherein an alloy layer is formed on a semiconductor substrate to form a substrate structure, which methods include using an aqueous solution diluted ammonia and peroxide mixture (APM) to perform cleaning and/or wet etching treatment steps on the substrate structure.

摘要翻译： 本发明提供制造半导体器件的方法，其中在半导体衬底上形成合金层以形成衬底结构，该方法包括使用稀氨水溶液和过氧化物混合物（APM）进行清洗和/或湿蚀刻处理步骤 在衬底结构上。

公开(公告)号：US07704828B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11741639

申请日：2007-04-27

申请人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Sung-Il Cho

发明人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Sung-Il Cho

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/91

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming a mold for forming a storage electrode, forming sacrificial spacers at side walls of openings in the mold, forming a conductive film for a storage electrode along the inside of the openings, removing the mold by a wet etching process, removing the sacrificial spacers by a dry etching process, and sequentially forming a dielectric film and an upper electrode on the storage electrode.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括形成用于形成存储电极的模具，在模具的开口的侧壁处形成牺牲隔离物，沿着开口的内部形成用于存储电极的导电膜，通过湿法蚀刻工艺移除模具， 牺牲隔离物，并且在存储电极上依次形成电介质膜和上电极。

公开(公告)号：US07544985B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11312952

申请日：2005-12-19

申请人： Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Jeong-Nam Han

发明人： Woo-Gwan Shim ,  Chang-Ki Hong ,  Sang-Jun Choi ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L28/91

摘要： In one embodiment, a semiconductor device comprises a base and a tapered wall formed on the base. The wall has a midline and also has an inner sidewall and an outer sidewall. The inner sidewall and the outer sidewall are substantially symmetrical with each other in relation to the midline. Thus, the reliability of the semiconductor capacitor structure can be improved and the throughput can be increased. Also, further scaling down of semiconductor devices can be facilitated with the principles of the present invention.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件包括形成在基底上的基部和锥形壁。 壁具有中线并且还具有内侧壁和外侧壁。 内侧壁和外侧壁相对于中线彼此基本对称。 因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，并且可以提高吞吐量。 此外，根据本发明的原理，可以促进半导体器件的进一步缩小。

公开(公告)号：US07498217B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11746761

申请日：2007-05-10

申请人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Woo-Gwan Shim ,  Jong-Won Lee

发明人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Woo-Gwan Shim ,  Jong-Won Lee

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11568

摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device such as a SONOS type semiconductor device, a trench is formed on a substrate. An isolation layer protruding from the substrate is formed to fill the trench. After a first layer is formed on the substrate, a preliminary second layer pattern is formed on the first layer. The preliminary second layer pattern has an upper face substantially lower than or substantially equal to an upper face of the isolation layer. A third layer is formed on the preliminary second layer and the isolation layer. A fourth layer is formed on the third layer. The fourth layer, the third layer, the preliminary second layer pattern and the first layer are partially etched to form a gate structure on the substrate. Source/drain regions are formed at portions of the substrate adjacent to the gate structure.

摘要翻译： 在制造诸如SONOS型半导体器件的半导体器件的方法中，在衬底上形成沟槽。 形成从衬底突出的隔离层以填充沟槽。 在基板上形成第一层之后，在第一层上形成预备的第二层图案。 预备的第二层图案具有基本上低于或基本上等于隔离层的上表面的上表面。 在初步第二层和隔离层上形成第三层。 在第三层上形成第四层。 部分蚀刻第四层，第三层，初步第二层图案和第一层，以在基板上形成栅极结构。 源极/漏极区域形成在与栅极结构相邻的衬底的部分处。