公开(公告)号：US09947803B2

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：US13097572

申请日：2011-04-29

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： The present invention relates to an amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide. In particular, the present invention provides an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3, and a thin film transistor using such an amorphous oxide. In a thin film transistor having a source electrode 6, a drain electrode 5, a gate electrode 4, a gate insulating film 3, and a channel layer 2, an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used in the channel layer 2.

公开(公告)号：US09440228B2

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：US14130184

申请日：2012-07-05

申请人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Kageyama ,  Yoji Kobayashi ,  Mikio Takano ,  Takeshi Yajima

发明人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Kageyama ,  Yoji Kobayashi ,  Mikio Takano ,  Takeshi Yajima

IPC分类号： B01J39/02 ,  B01J23/00 ,  C01B3/00 ,  C01B3/50 ,  C01G23/00 ,  H01M4/90 ,  B01J23/02

CPC分类号： B01J39/02 ,  B01J23/002 ,  B01J23/02 ,  C01B3/001 ,  C01B3/503 ,  C01G23/003 ,  C01G23/005 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/52 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/9033 ,  Y02E60/324 ,  Y02E60/50

摘要： [Problem] Many oxide-ion conductors exhibit high functionality at high temperatures due to the large weight and charge of oxide ions, and it has been difficult to achieve the functionality at low temperatures.[Solution] A perovskite oxide having hydride ion conductivity, at least 1 at % of the oxide ions (O2−) contained in a titanium-containing perovskite oxide being substituted with hydride ions (H−). This oxide, in which negatively charged hydride ions (H−) are used for the ionic conduction, has both hydride ion conductivity and electron conductivity. As a starting material, the titanium-containing perovskite oxide is kept together with a powder of an alkali metal or alkaline-earth metal hydride selected from LiH, CaH2, SrH2, and BaH2 in a temperature range of 300° C. or higher and lower than the melting point of the hydride in a vacuum or an inert gas atmosphere to substitute some of the oxide ions in the oxide with the hydride ions, resulting in the introduction of the hydride ions into oxygen sites.

摘要翻译： [解决方案]具有氢化物离子传导性的钙钛矿氧化物，其中包含在含钛的钙钛矿氧化物中的氧化物离子（O 2 - ）的至少1at％被氢离子（H）取代。 这种氧化物（其中带负电荷的氢离子（H））用于离子传导，具有氢离子传导性和电子传导性。 作为原料，将含钛的钙钛矿氧化物与选自LiH，CaH 2，SrH 2和BaH 2的碱金属或碱土金属氢化物的粉末在300℃以上的温度范围内保持 比氢化物在真空或惰性气体气氛中的熔点高，以氢化物离子代替氧化物中的一些氧化物离子，导致氢离子进入氧位。

公开(公告)号：US09269826B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US12984960

申请日：2011-01-05

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ota ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： The present invention relates to an amorphous oxide and a thin film transistor using the amorphous oxide. In particular, the present invention provides an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3, and a thin film transistor using such an amorphous oxide. In a thin film transistor having a source electrode 6, a drain electrode 5, a gate electrode 4, a gate insulating film 3, and a channel layer 2, an amorphous oxide having an electron carrier concentration less than 1018/cm3 is used in the channel layer 2.

摘要翻译： 本发明涉及使用该无定形氧化物的无定形氧化物和薄膜晶体管。 特别地，本发明提供了电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶氧化物，以及使用这种无定形氧化物的薄膜晶体管。 在具有源电极6，漏电极5，栅电极4，栅极绝缘膜3和沟道层2的薄膜晶体管中，使用电子载流子浓度小于1018 / cm3的非晶氧化物 通道层2。

公开(公告)号：US20140128252A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14130184

申请日：2012-07-05

申请人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Kageyama ,  Yoji Kobayashi ,  Mikio Takano ,  Takeshi Yajima

发明人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Kageyama ,  Yoji Kobayashi ,  Mikio Takano ,  Takeshi Yajima

IPC分类号： B01J39/02

CPC分类号： B01J39/02 ,  B01J23/002 ,  B01J23/02 ,  C01B3/001 ,  C01B3/503 ,  C01G23/003 ,  C01G23/005 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/52 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01M4/9033 ,  Y02E60/324 ,  Y02E60/50

摘要： [Problem] Many oxide-ion conductors exhibit high functionality at high temperatures due to the large weight and charge of oxide ions, and it has been difficult to achieve the functionality at low temperatures.[Solution] A perovskite oxide having hydride ion conductivity, at least 1 at % of the oxide ions (O2−) contained in a titanium-containing perovskite oxide being substituted with hydride ions (H−). This oxide, in which negatively charged hydride ions (H−) are used for the ionic conduction, has both hydride ion conductivity and electron conductivity. As a starting material, the titanium-containing perovskite oxide is kept together with a powder of an alkali metal or alkaline-earth metal hydride selected from LiH, CaH2, SrH2, and BaH2 in a temperature range of 300° C. or higher and lower than the melting point of the hydride in a vacuum or an inert gas atmosphere to substitute some of the oxide ions in the oxide with the hydride ions, resulting in the introduction of the hydride ions into oxygen sites.

摘要翻译： [问题]由于氧化物离子的重量和电荷大，许多氧化物离子导体在高温下表现出高功能性，并且难以在低温下实现官能度。 [解决方案]具有氢化物离子传导性的钙钛矿氧化物，其中包含在含钛的钙钛矿氧化物中的氧化物离子（O 2 - ）的至少1at％被氢离子（H）取代。 这种氧化物（其中带负电荷的氢离子（H））用于离子传导，具有氢离子传导性和电子传导性。 作为原料，将含钛的钙钛矿氧化物与选自LiH，CaH 2，SrH 2和BaH 2的碱金属或碱土金属氢化物的粉末在300℃以上的温度范围内保持 比氢化物在真空或惰性气体气氛中的熔点高，以氢化物离子代替氧化物中的一些氧化物离子，导致氢离子进入氧位。

公开(公告)号：US08435473B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US12865940

申请日：2009-02-17

申请人： Hideo Hosono ,  Yoichi Kamihara ,  Masahiro Hirano ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi

发明人： Hideo Hosono ,  Yoichi Kamihara ,  Masahiro Hirano ,  Toshio Kamiya ,  Hiroshi Yanagi

IPC分类号： C01F17/00 ,  C01B25/10 ,  C01B15/16 ,  C01B25/26 ,  C01B21/20 ,  C01B13/00 ,  C01C1/00 ,  C01D1/02 ,  C01G49/00 ,  C01G53/04 ,  C01G29/00 ,  C01G30/00 ,  C01G28/02 ,  C01G28/00

CPC分类号： C01G53/006 ,  C01G49/009 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/78 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/447 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/445 ,  H01L39/125

摘要： Disclosed is a superconducting compound which has a structure obtained by partially substituting oxygen ions of a compound, which is represented by the following chemical formula; LnTMOPh [wherein Ln represents at least one element selected from Y and rare earth metal elements (La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu), TM represents at least one element selected from transition metal elements (Fe, Ru, Os, Ni, Pd and Pt), and Pn represents at least one element selected from pnictide elements (N, P, As and Sb)] and has a ZrCuSiAs-type crystal structure (space group P4/nmm), with at least one kind of monovalent anion (F−, Cl− or Br−). The superconducting compound alternatively has a structure obtained by partially substituting Ln ions of the compound with at least one kind of tetravalent metal ion (Ti4+, Zr4+, Hf4+, C4+, Si4+, Ge4+, Sn4+ or Pb4+) or a structure obtained by partially substituting Ln ions of the compound with at least one kind of divalent metal ion (Mg2+, Ca2+, Sr2+ or Ba2+). The Tc of the superconducting compound is controlled in accordance with the ion substitution amount.

摘要翻译： 公开了一种超导化合物，其具有通过部分取代由以下化学式表示的化合物的氧离子而获得的结构; LnTMOPh [其中Ln表示选自Y和稀土金属元素（La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu）中的至少一种元素，TM表示 选自过渡金属元素（Fe，Ru，Os，Ni，Pd和Pt）中的至少一种元素，Pn表示选自铌元素（N，P，As和Sb）中的至少一种元素]，并且具有ZrCuSiAs型晶体 结构（空间群P4 / nmm），具有至少一种一价阴离子（F-，Cl-或Br-）。 超导化合物或者具有通过用至少一种四价金属离子（Ti 4+，Zr 4+，Hf 4+，C 4+，Si 4+，Ge 4+，Sn 4+或Pb 4+）部分取代化合物的Ln离子或通过部分取代Ln而获得的结构 化合物与至少一种二价金属离子（Mg2 +，Ca2 +，Sr2 +或Ba2 +）的离子。 超导化合物的Tc根据离子取代量进行控制。

公开(公告)号：US08288321B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13003149

申请日：2009-07-09

申请人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Yanagi ,  Toshio Kamiya ,  Satoru Matsuishi ,  Sungwng Kim ,  Seok Gyu Yoon ,  Hidenori Hiramatsu ,  Masahiro Hirano ,  Takatoshi Nomura ,  Yoichi Kamihara

发明人： Hideo Hosono ,  Hiroshi Yanagi ,  Toshio Kamiya ,  Satoru Matsuishi ,  Sungwng Kim ,  Seok Gyu Yoon ,  Hidenori Hiramatsu ,  Masahiro Hirano ,  Takatoshi Nomura ,  Yoichi Kamihara

IPC分类号： C04B35/45

CPC分类号： C01G49/009 ,  C01G53/006 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/78 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/515 ,  C04B35/5154 ,  C04B35/553 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L39/125

摘要： Provides a new non-oxide system compound material superconductor as an alternative of the perovskite type copper oxides superconductor.Layered compounds which are represented by chemical formula AF(TM)Pn (wherein, A is at least one selected from a group consisting of the second family elements in the long form periodic table, F is a fluorine ion, TM is at least one selected from a group of transition metal elements consisting of Fe, Ru, Os, Ni, Pd, and Pt, and Pn is at least one selected from a group consisting of the fifteenth family elements in the long form periodic table), having a crystal structure of ZrCuSiAs type (space group P4/nmm) and which become superconductors by doping trivalent cations or divalent anions.

摘要翻译： 提供新的非氧化物系复合材料超导体作为钙钛矿型铜氧化物超导体的替代品。 由化学式AF（TM）Pn表示的分层化合物（其中，A是选自长型周期表中的第二族元素的F中的至少一种，F是氟离子，TM是至少一种选择的 由一组由Fe，Ru，Os，Ni，Pd和Pt组成的过渡金属元素，Pn是选自由长型周期表中的第十五族系元素组成的组中的至少一种），具有晶体结构 的ZrCuSiAs型（空间群P4 / nmm），通过掺杂三价阳离子或二价阴离子成为超导体。

公开(公告)号：US07892457B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12721939

申请日：2010-03-11

申请人： Hideo Hosono ,  Kazushige Ueda ,  Masataka Yahagi ,  Hideo Takami

发明人： Hideo Hosono ,  Kazushige Ueda ,  Masataka Yahagi ,  Hideo Takami

IPC分类号： H01B1/08 ,  B05D5/06

CPC分类号： C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/775 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  Y02T50/67 ,  Y10T428/12

摘要： A sputtering target is provided that has a relative density of 80% or more and contains a compound having as its principal component zinc oxide satisfying AXBYO(KaX+KbY)/2(ZnO)m, 1

摘要翻译： 提供具有80％以上的相对密度的溅射靶，并且含有主要成分为满足AXBYO（KaX + KbY）/ 2（ZnO）m，1

公开(公告)号：US07829444B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11269641

申请日：2005-11-09

申请人： Hisato Yabuta ,  Masafumi Sano ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hisato Yabuta ,  Masafumi Sano ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： Provided is a novel method for manufacturing a field effect transistor. Prior to forming an amorphous oxide layer on a substrate, ultraviolet rays are irradiated onto the substrate surface in an ozone atmosphere, plasma is irradiated onto the substrate surface, or the substrate surface is cleaned by a chemical solution containing hydrogen peroxide.

摘要翻译： 提供一种用于制造场效应晶体管的新颖方法。 在基板上形成无定形氧化物层之前，在臭氧气氛中将紫外线照射到基板表面上，将等离子体照射到基板表面上，或者通过含有过氧化氢的化学溶液清洁基板表面。

公开(公告)号：US07465433B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11503244

申请日：2006-08-14

申请人： Hideo Hosono ,  Katsuro Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Masahiro Hirano ,  Sungwng Kim ,  Setsuro Ito ,  Satoru Narushima

发明人： Hideo Hosono ,  Katsuro Hayashi ,  Masashi Miyakawa ,  Masahiro Hirano ,  Sungwng Kim ,  Setsuro Ito ,  Satoru Narushima

IPC分类号： C01F7/00 ,  C01F11/02

CPC分类号： C04B35/653 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/44 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/96

摘要： To provide a method for preparing a mayenite type compound having electroconductivity imparted.A method for preparing an electroconductive mayenite type compound, which comprises melting a raw material containing Al and at least one element selected from the group consisting of Ca and Sr, holding the melt in a low oxygen partial pressure atmosphere having an oxygen partial pressure of not higher than 10 Pa, followed by cooling or annealing in a low oxygen partial pressure atmosphere or in atmospheric air for solidification, thereby to replace oxygen present in cages by electrons in a high concentration.

摘要翻译： 提供制备具有导电性的钙铝石型化合物的方法。 一种制备导电性钙铝石型化合物的方法，其包括熔融含有Al的原料和选自Ca和Sr中的至少一种元素，将熔体保持在氧分压不为低的氧分压气氛中 高于10Pa，然后在低氧分压气氛或大气中进行冷却或退火以固化，从而以高浓度的电子代替笼中存在的电子。

公开(公告)号：US20080210285A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11667753

申请日：2005-11-15

申请人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ohta ,  Kunihito Koumoto

发明人： Hideo Hosono ,  Masahiro Hirano ,  Hiromichi Ohta ,  Kunihito Koumoto

IPC分类号： H01L35/02 ,  H01L35/34 ,  H01L21/365

CPC分类号： H01L35/22 ,  H01L35/34

摘要： A thermoelectric conversion material having a novel composition is provided. The thermoelectric conversion material comprises a first dielectric material layer, a second dielectric material layer, and an electron localization layer that is present between the first dielectric material layer and the second dielectric material layer and that has a thickness of 1 nm.

摘要翻译： 提供具有新型组成的热电转换材料。 热电转换材料包括第一电介质材料层，第二电介质材料层和存在于第一电介质材料层和第二电介质材料层之间且厚度为1nm的电子定位层。