公开(公告)号：US20140097398A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：US13881452

申请日：2010-10-29

申请人： Hans S. Cho ,  Jianhua Yang ,  Janice H. Nickel

发明人： Hans S. Cho ,  Jianhua Yang ,  Janice H. Nickel

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683

摘要： Memristive devices, memristors and methods for fabricating memristive devices are disclosed. In one aspect, a memristor includes a first electrode wire and a second electrode wire. The second electrode wire and the first electrode wire define an overlap area. The memristor includes an electrode extension in contact with the first electrode wire and disposed between the first and second electrode wires. At least one junction is disposed between the second electrode wire and the electrode extension. Each junction contacts a portion of the electrode extension and has a junction contact area with the second electrode wire, and the sum total junction contact area of the at least one junction is less than the overlap area.

摘要翻译： 公开了用于制造忆阻装置的记忆装置，忆阻器和方法。 一方面，忆阻器包括第一电极线和第二电极线。 第二电极线和第一电极线限定重叠区域。 忆阻器包括与第一电极线接触并设置在第一和第二电极线之间的电极延伸部。 在第二电极线和电极延伸部之间设置至少一个结。 每个结点接触电极延伸部的一部分并且具有与第二电极线的接点接触面积，并且至少一个结的总和接点面积小于重叠面积。

公开(公告)号：US08530873B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US13383994

申请日：2010-01-29

申请人： Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R Stanley Williams

发明人： Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  R Stanley Williams

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641

摘要： An electroforming free memristor includes a first electrode, a second electrode spaced from the first electrode, and a switching layer positioned between the first electrode and the second electrode. The switching layer is formed of a matrix of a switching material and reactive particles that are to react with the switching material during a fabrication process of the memristor to form one or more conductance channels in the switching layer.

摘要翻译： 一种无电成形的忆阻器包括第一电极，与第一电极间隔开的第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的开关层。 开关层由开关材料的矩阵和反应性粒子形成，所述反应性粒子在避震器的制造过程期间与开关材料反应以在开关层中形成一个或多个导电通道。

公开(公告)号：US08491303B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13021603

申请日：2011-02-04

申请人： Young Seo ,  Jianhua Yang ,  Victor Chechelski ,  Jong Gil Park

发明人： Young Seo ,  Jianhua Yang ,  Victor Chechelski ,  Jong Gil Park

IPC分类号： A61C8/00

CPC分类号： A61C8/0048 ,  A61C3/16 ,  A61C8/0081 ,  A61C13/2656 ,  A61C2201/007

摘要： Oral appliance activation devices and methods which are used to facilitate the securement, adjustment, or removal of an oral appliance, e.g., a crown or bridge, from a reconfigurable abutment assembly are described. The adjustable abutment assembly may be secured to an anchoring implant bored into the bones within the mouth. The abutment assembly has a projecting abutment portion with one or more shape memory alloy elements extending along the projecting abutment portion. Energy may be applied to the elements via the activation devices directly over or adjacent to the oral appliance to actuate the elements and thereby either secure or loosen the oral appliance relative to the abutment.

摘要翻译： 描述了用于促进从可重新配置的邻接组件的口腔器具（例如牙冠或桥）的固定，调节或移除的口腔器具激活装置和方法。 可调节的邻接组件可以固定到钻孔内的锚定植入物中。 基台组件具有突出的邻接部分，其具有沿着突出的邻接部分延伸的一个或多个形状记忆合金元件。 能量可以经由激活装置直接在口腔器具上方或附近施加到元件上，以驱动元件，从而相对于支座固定或松开口器具。

公开(公告)号：US08487289B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12899210

申请日：2010-10-06

申请人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

发明人： Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L29/8615 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/247 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： An electrically actuated device includes a reactive metal layer, a first electrode established in contact with the reactive metal layer, an insulating material layer established in contact with the first electrode or the reactive metal layer, an active region established on the insulating material layer, and a second electrode established on the active region. A conductive nano-channel is formed through a thickness of the insulating material layer.

摘要翻译： 电驱动装置包括反应性金属层，与反应性金属层接触建立的第一电极，与第一电极或反应性金属层接触建立的绝缘材料层，建立在绝缘材料层上的有源区，以及 在有源区上建立的第二电极。 通过绝缘材料层的厚度形成导电纳米通道。

公开(公告)号：US08437172B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US13142580

申请日：2009-01-30

申请人： Marco Fiorentino ,  William M. Tong ,  Philip J. Kuekes ,  Jianhua Yang

发明人： Marco Fiorentino ,  William M. Tong ,  Philip J. Kuekes ,  Jianhua Yang

IPC分类号： G11C8/10

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/32 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A decoding structure employs a main terminal (130), a first memristive switch (112) connected between the main terminal (130) and a first addressable terminal (132), and a second memristive switch (114) connected between the main terminal (130) and a second addressable terminal (134). The second memristive switch (114) is oriented so that a voltage polarity on the main terminal (130) that tends to turn the first memristive switch (112) on tends to turn the second memristive switch (114) off.

摘要翻译： 解码结构采用主端子（130），连接在主端子（130）和第一可寻址端子（132）之间的第一忆阻开关（112）和连接在主端子（130）之间的第二忆阻开关（114） ）和第二可寻址终端（134）。 第二忆阻开关（114）的取向使得倾向于使第一忆阻开关（112）转动的主端子（130）上的电压极性倾向于使第二忆阻开关（114）转动。

公开(公告)号：US20130026434A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13383634

申请日：2010-01-29

申请人： Jianhua Yang ,  John Pual Strachan ,  Matthew D. Pickett ,  R. Stanley Williams

发明人： Jianhua Yang ,  John Pual Strachan ,  Matthew D. Pickett ,  R. Stanley Williams

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253

摘要： A memristor with a controlled electrode grain size includes an adhesion layer, a first electrode having a first surface contacting the adhesion layer and a second surface opposite the first surface, in which the first electrode is formed of an alloy of a base material and at least one second material, and in which the alloy has a relatively smaller grain size than a grain size of the base material. The memristor also includes a switching layer positioned adjacent to the second surface of the first electrode and a second electrode positioned adjacent to the switching layer.

摘要翻译： 具有受控电极晶粒尺寸的忆阻器包括粘合层，具有接触粘附层的第一表面的第一电极和与第一表面相对的第二表面，其中第一电极由基材的合金和至少 一种第二材料，并且其中合金具有比基材的晶粒尺寸更小的晶粒尺寸。 忆阻器还包括邻近第一电极的第二表面定位的开关层和邻近开关层定位的第二电极。

公开(公告)号：US20130023106A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13384000

申请日：2010-03-12

申请人： Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

发明人： Matthew D. Pickett ,  Jianhua Yang ,  Gilberto Medeiros Ribeiro

IPC分类号： G06F13/14 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/0688 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/101

摘要： A device (10) may include a semiconductor layer section (25) and a memory layer section (45) disposed above the semiconductor layer section (25). The semiconductor layer section (25) may include a processor (12; 412) and input/output block (16; 416), and the memory layer section (45) may include memristive memory (14; 300). A method of forming such device (10), and an apparatus (600) including such device (10) are also disclosed. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 器件（10）可以包括设置在半导体层部分（25）上方的半导体层部分（25）和存储层部分（45）。 半导体层部分（25）可以包括处理器（12; 412）和输入/输出块（16; 416），并且存储器层部分（45）可以包括忆阻存储器（14; 300）。 还公开了形成这种装置（10）的方法，以及包括这种装置（10）的装置（600）。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US08325507B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12893825

申请日：2010-09-29

申请人： Jianhua Yang ,  Wei Yi ,  Michael Josef Stuke ,  Shih-Yuan Wang

发明人： Jianhua Yang ,  Wei Yi ,  Michael Josef Stuke ,  Shih-Yuan Wang

IPC分类号： H01L29/8605 ,  H01L21/04 ,  G11C11/21

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1658

摘要： A memristor includes a first electrode of a nanoscale width; a second electrode of a nanoscale width; and an active region disposed between the first and second electrodes. The active region has a both a non-conducting portion and a source of dopants portion induced by electric field. The non-conducting portion comprises an electronically semiconducting or nominally insulating material and a weak ionic conductor switching material capable of carrying a species of dopants and transporting the dopants under an electric field. The non-conducting portion is in contact with the first electrode and the source of dopants portion is in contact with the second electrode. The second electrode comprises a metal reservoir for the dopants. A crossbar array comprising a plurality of the nanoscale switching devices is also provided. A process for making at least one nanoscale switching device is further provided.

摘要翻译： 忆阻器包括纳米级宽度的第一电极; 纳米级宽度的第二电极; 以及设置在第一和第二电极之间的有源区。 有源区域具有由电场引起的非导电部分和掺杂剂源部分。 非导电部分包括电子半导体或标称绝缘材料和能够承载一种掺杂剂并在电场下输送掺杂剂的弱离子导体开关材料。 非导电部分与第一电极接触，并且掺杂剂源部分与第二电极接触。 第二电极包括用于掺杂剂的金属储存器。 还提供了包括多个纳米级切换装置的交叉开关阵列。 还提供了制造至少一个纳米级切换装置的方法。

公开(公告)号：US08317515B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US13021597

申请日：2011-02-04

申请人： Young Seo ,  Jianhua Yang ,  Victor Chechelski ,  Jong Gil Park

发明人： Young Seo ,  Jianhua Yang ,  Victor Chechelski ,  Jong Gil Park

IPC分类号： A61C8/00

CPC分类号： A61C8/0065 ,  A61C8/0016 ,  A61C8/005 ,  A61C8/0053 ,  A61C8/0057 ,  A61C13/225 ,  A61C13/235 ,  A61C2201/007

摘要： Shape memory dental retention systems which facilitate the adjustment or removal of an oral appliance, e.g., a crown or bridge, from a reconfigurable abutment assembly are described. The adjustable abutment assembly may be secured to an anchoring implant bored into the bones within the mouth. The abutment assembly has a projecting abutment portion with one or more shape memory material sleeves or plates or elements extending along the abutment. Each of the sleeves has a length with at least one curved or arcuate portion. Energy may be applied to the elements such that the arcuate portion flattens to allow for the oral appliance to be placed thereupon while removal of the energy allows the elements to reconfigure into its curved configuration thereby locking the oral appliance to the abutment. Removal of the oral appliance may be effected by reapplication of energy to the elements.

摘要翻译： 描述了便于从可重新配置的邻接组件调节或去除口腔器具例如牙冠或桥的形状记忆牙固定系统。 可调节的邻接组件可以固定到钻孔内的锚定植入物中。 基台组件具有突出的邻接部分，其具有一个或多个形状记忆材料套筒或板或沿着邻接部延伸的元件。 每个套筒具有至少一个弯曲或弓形部分的长度。 可以将能量施加到元件上，使得弓形部分平坦化以允许口腔器具放置在其上，同时移除能量允许元件重新配置成其弯曲构型，从而将口腔器具锁定到邻接处。 可以通过将能量重新应用于元件来实现口腔器具的移除。

公开(公告)号：US20120249252A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13078595

申请日：2011-04-01

申请人： Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medelros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

发明人： Julien Borghetti ,  Matthew D. Pickett ,  Gilberto Medelros Ribeiro ,  Wei Yi ,  Jianhua Yang ,  Minxian Max Zhang

IPC分类号： H03B7/00

CPC分类号： H03B7/00

摘要： Circuitry is provided that closely emulates biological neural responses. Two astable multivibrator circuits (AMCs), each including a negative differential resistance device, are coupled in series-circuit relationship. Each AMC is characterized by a distinct voltage-dependant time constant. The circuitry exhibits oscillations in electrical current when subjected to a voltage equal to or greater than a threshold value. Various oscillating waveforms can be produced in accordance with voltages applied to the circuitry.

摘要翻译： 提供了密切仿效生物神经反应的电路。 两个不连续的多谐振荡器电路（AMC），每个包括一个负差分电阻器件，以串联电路的关系耦合。 每个AMC的特征在于不同的电压相关时间常数。 当经受等于或大于阈值的电压时，该电路表现出电流的振荡。 可以根据施加到电路的电压来产生各种振荡波形。