公开(公告)号：US4205117A

公开(公告)日：1980-05-27

申请号：US940335

申请日：1978-09-07

申请人： Hiroshi Nishiyama ,  Toshio Ogawa ,  Tasuku Mashio

发明人： Hiroshi Nishiyama ,  Toshio Ogawa ,  Tasuku Mashio

IPC分类号： C04B35/453 ,  C01G9/02 ,  C23C14/08 ,  C30B28/12 ,  C30B29/16 ,  H01L41/18 ,  C23C13/00 ,  C04B35/00

CPC分类号： H01L41/316 ,  H01L41/187 ,  Y10T428/31826 ,  Y10T428/31931

摘要： Piezoelectric crystalline film on a substrate, which is a crystalline zinc oxide film with a c-axis substantially perpendicular to the substrate surface, the crystalline zinc oxide film containing, as an additive element, phosphorus. The piezoelectric crystalline films have high resistivity and a smooth surface, and make it possible to produce piezoelectric transducers with good conversion efficiency. Such films are made by sputtering zinc oxide and phosphorus onto a substrate from a film material source consisting essentially of a ceramic of zinc oxide containing phosphorus.

摘要翻译： 基板上的压电晶体膜，其是具有基本上垂直于基板表面的c轴的结晶氧化锌膜，所述结晶氧化锌膜含有作为添加元素的磷。 压电晶体膜具有高电阻率和光滑的表面，并且可以制造具有良好转换效率的压电换能器。 这样的膜通过将氧化锌和磷溅射到基材上，由主要由含磷的氧化锌的陶瓷组成的膜材料源进行溅射。

公开(公告)号：US4174421A

公开(公告)日：1979-11-13

申请号：US940336

申请日：1978-09-07

申请人： Hiroshi Nishiyama ,  Toshio Ogawa ,  Tasuku Mashio

发明人： Hiroshi Nishiyama ,  Toshio Ogawa ,  Tasuku Mashio

IPC分类号： H01L41/18 ,  H01L41/316 ,  C23C15/00 ,  C04B35/00

CPC分类号： H01L41/316 ,  H01L41/18 ,  Y10T428/31826

摘要： Piezoelectric crystalline film of zinc oxide with a hexagonal crystal structure and a c-axis substantially perpendicular to the film surface, the crystalline film containing, as additive elements, vanadium and manganese together with or without copper. The piezoelectric crystalline films have high resistivity and a smooth surface, and make it possible to produce piezoelectric transducers with good conversion efficiency which can be used in a wide range of low to high frequencies. Such films can be made by a method comprising sputtering source materials, i.e., zinc oxide, vanadium and manganese together with or without copper onto a surface of a substrate to form a crystalline zinc oxide film, the sputtering being effected by using a film material source consisting essentially of a ceramic of zinc oxide containing vanadium, and manganese together with or without copper.

摘要翻译： 具有六方晶系结构的氧化锌和基本上垂直于膜表面的c轴的氧化锌的压电结晶膜，该结晶膜含有或不与铜一起作为添加元素的钒和锰。 压电晶体膜具有高电阻率和平滑的表面，并且使得可以生产具有良好转换效率的压电换能器，其可用于宽范围的低频到高频。 这样的膜可以通过包括溅射源材料即氧化锌，钒和锰与铜或不含铜溅射到衬底的表面上以形成结晶氧化锌膜的方法来制造，溅射是通过使用膜材料源 基本上由含有钒的氧化锌陶瓷，以及含有或不含有铜的锰组成。

公开(公告)号：US4164676A

公开(公告)日：1979-08-14

申请号：US927401

申请日：1978-07-24

申请人： Hiroshi Nishiyama ,  Toshio Ogawa ,  Tasuku Mashio

发明人： Hiroshi Nishiyama ,  Toshio Ogawa ,  Tasuku Mashio

IPC分类号： C04B35/453 ,  C01G9/02 ,  C23C14/08 ,  C30B28/12 ,  C30B29/16 ,  H01L41/18 ,  H03H3/08

CPC分类号： H01L41/187

摘要： Piezoelectric crystalline film on a substrate, which is a crystalline zinc oxide film with a c-axis perpendicular to the substrate surface, the crystalline zinc oxide film containing as additive elements, vanadium, manganese and at least one element selected from the group consisting of chromium, iron, cobalt and nickel. The piezoelectric crystalline films are homogeneous and have high resistivity and a smooth surface so that they can be used as a transducer with good conversion efficiency in a wide range of low to high frequencies.

摘要翻译： 作为与基板表面垂直的c轴的结晶性氧化锌膜的基板上的压电晶体膜，含有作为添加元素的结晶性氧化锌膜，钒，锰以及选自铬 ，铁，钴和镍。 压电晶体膜是均匀的并且具有高电阻率和平滑的表面，使得它们可以用作在宽范围的低至高频率下具有良好转换效率的换能器。

公开(公告)号：US4156050A

公开(公告)日：1979-05-22

申请号：US874392

申请日：1978-02-02

申请人： Toshio Ogawa ,  Tasuku Mashio ,  Hiroshi Nishiyama

发明人： Toshio Ogawa ,  Tasuku Mashio ,  Hiroshi Nishiyama

IPC分类号： C04B35/453 ,  C01G9/02 ,  C23C14/08 ,  C30B28/12 ,  C30B29/16 ,  H01L41/18 ,  C23C15/00 ,  C04B35/00

CPC分类号： H01L41/316 ,  H01L41/187

摘要： Piezoelectric crystalline films which consist essentially of a crystalline zinc oxide film with a c-axis perpendicular to a substrate surface, containing 0.01 to 20.0 atomic percent of vanadium. These films are prepared by radio-frequency sputtering.

摘要翻译： 基本上由具有垂直于衬底表面的c轴的结晶氧化锌膜组成的含有0.01至20.0原子％的钒的压电晶体膜。 这些膜通过射频溅射制备。

公开(公告)号：US4151324A

公开(公告)日：1979-04-24

申请号：US886821

申请日：1978-03-15

申请人： Toshio Ogawa ,  Hiroshi Nishiyama ,  Tasuku Mashio

发明人： Toshio Ogawa ,  Hiroshi Nishiyama ,  Tasuku Mashio

IPC分类号： H01L41/18 ,  C23C13/00 ,  C04B35/00

CPC分类号： H01L41/187

摘要： Piezoelectric crystalline films on substrate, which consist essentially of a crystalline zinc oxide film with a c-axis perpendicular to a substrate surface, containing 0.01 to 20.0 atomic percent of at least one element selected from the group consisting of iron, chromium, cobalt and nickel.

摘要翻译： 基底上的压电晶体膜，其基本上由具有垂直于衬底表面的c轴的结晶氧化锌膜组成，含有0.01至20.0原子％的选自铁，铬，钴和镍的至少一种元素 。

公开(公告)号：US4080838A

公开(公告)日：1978-03-28

申请号：US739043

申请日：1976-11-05

申请人： Masao Kuroda ,  Toshio Kondo ,  Sekijyuro Ono ,  Toshio Ogawa

发明人： Masao Kuroda ,  Toshio Kondo ,  Sekijyuro Ono ,  Toshio Ogawa

IPC分类号： G10K11/34 ,  G01N29/04

CPC分类号： G10K11/346

摘要： In a method for controlling ultrasonic waves wherein a plurality of elements constituting a phased array ultrasonic transducer are driven with desired delay times, the improvement therein comprising the fact that when values obtained by quantizing the delay times by a predetermined time are different between the adjacent elements, the ultrasonic waves are radiated with a delay of time corresponding to the difference.

摘要翻译： 在用于控制超声波的方法中，其中以期望的延迟时间驱动构成相控阵超声波换能器的多个元件，其中的改进包括以下事实：当通过将延迟时间量化预定时间而获得的值在相邻元件之间是不同的 超声波以对应于该差的时间的延迟被辐射。

公开(公告)号：US4080289A

公开(公告)日：1978-03-21

申请号：US657560

申请日：1976-02-12

申请人： Katsuya Ebara ,  Toshio Ogawa ,  Sankichi Takahashi ,  Sigeoki Nishimura ,  Seiichi Kikkawa ,  Shinji Komori ,  Toshio Sawa

发明人： Katsuya Ebara ,  Toshio Ogawa ,  Sankichi Takahashi ,  Sigeoki Nishimura ,  Seiichi Kikkawa ,  Shinji Komori ,  Toshio Sawa

IPC分类号： B01D65/04 ,  C02F1/44 ,  C02F1/68 ,  C02F5/08 ,  B01D13/00 ,  B01D5/00 ,  B01D11/00

CPC分类号： C02F5/083 ,  B01D61/08 ,  B01D63/06 ,  B01D65/08 ,  C02F1/683 ,  B01D2321/168

摘要： A system is provided for separating waste water or solution into a permea solution and a concentrated solution by feeding the waste water or solution to a reverse osmosis apparatus using a membrane.A chemical pretreating apparatus is provided to prevent hard scales contained in the waste water or solution from precipitation during the concentration in the reverse osmosis apparatus using the membrane. An apparatus for charging sponge balls is further provided to mechanically remove suspended solids and other suspended matters, that is, soft scales when deposited on the surface of membrane. The sponge balls are desirably recyclically used.

摘要翻译： 提供了一种用于通过使用膜将废水或溶液供给到反渗透装置来将废水或溶液分离成渗透溶液和浓缩溶液的系统。

公开(公告)号：US09458520B2

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：US14112187

申请日：2012-04-19

申请人： Yuri Toda ,  Riki Okamoto ,  Nobuhiro Fujita ,  Kohichi Sano ,  Hiroshi Yoshida ,  Toshio Ogawa

发明人： Yuri Toda ,  Riki Okamoto ,  Nobuhiro Fujita ,  Kohichi Sano ,  Hiroshi Yoshida ,  Toshio Ogawa

IPC分类号： C21D8/02 ,  C23C2/02 ,  C23C2/06 ,  C23C2/26 ,  C23C2/28 ,  C22C38/00 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/08 ,  C22C38/16 ,  C22C38/22 ,  C22C38/28 ,  C22C38/32 ,  C22C38/38 ,  C21D9/46

CPC分类号： C23C2/06 ,  C21D8/0226 ,  C21D8/0236 ,  C21D8/0263 ,  C21D9/46 ,  C21D2211/001 ,  C21D2211/002 ,  C21D2211/005 ,  C21D2211/008 ,  C21D2211/009 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/08 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  C22C38/22 ,  C22C38/28 ,  C22C38/32 ,  C22C38/38 ,  C23C2/02 ,  C23C2/28 ,  C23C2/40 ,  Y10T428/12799

摘要： This high-strength cold-rolled steel sheet having excellent uniform elongation and hole expandability contains, C: 0.01 to 0.4%; Si: 0.001 to 2.5%; Mn: 0.001 to 4.0%; P: 0.001 to 0.15%; S: 0.0005 to 0.03%; Al: 0.001 to 2.0%; N: 0.0005 to 0.01%; and O: 0.0005 to 0.01%; in which Si+Al is limited to less than 1.0%, and a balance being composed of iron and inevitable impurities, in which at a sheet thickness center portion, an average value of pole densities of the {100} to {223} orientation group is 5.0 or less, and a pole density of the {332} crystal orientation is 4.0 or less, a metal structure contains 5 to 80% of ferrite, 5 to 80% of bainite, and 1% or less of martensite in terms of an area ratio and the total of martensite, pearlite, and retained austenite is 5% or less, and an r value (rC) in a direction perpendicular to a rolling direction is 0.70 or more and an r value (r30) in a direction 30° from the rolling direction is 1.10 or less.

摘要翻译： 这种具有优异的均匀伸长率和扩孔性的高强度冷轧钢板含有C：0.01〜0.4％ Si：0.001〜2.5％ Mn：0.001〜4.0％; P：0.001〜0.15％ S：0.0005〜0.03％ Al：0.001〜2.0％ N：0.0005〜0.01％ 和O：0.0005〜0.01％; 其中Si + Al限制在小于1.0％，余量由铁和不可避免的杂质组成，其中在板厚中心部分，{100} <011>至（223）的极点密度的平均值 } <110>取向基团为5.0以下，{332} <113>晶体取向的极点密度为4.0以下，金属结构体含有5〜80％的铁素体，5〜80％的贝氏体，1 以面积比计算的马氏体的％以下，马氏体，珠光体和残留奥氏体的总和为5％以下，与轧制方向垂直的方向的r值（rC）为0.70以上，r 距轧制方向30°的方向的值（r30）为1.10以下。

公开(公告)号：US20130273392A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13993581

申请日：2011-12-15

申请人： Toshiki Nonaka ,  Toshio Ogawa ,  Nobuhiro Fujita

发明人： Toshiki Nonaka ,  Toshio Ogawa ,  Nobuhiro Fujita

IPC分类号： C21D8/02 ,  C22C38/02

CPC分类号： C21D8/0226 ,  B32B15/013 ,  C21D8/0236 ,  C21D8/0263 ,  C21D8/0273 ,  C21D8/0278 ,  C21D9/46 ,  C21D2211/005 ,  C21D2211/008 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/12 ,  C22C38/18 ,  C22C38/22 ,  C23C2/02 ,  C23C2/06 ,  C23C2/26 ,  C23C2/28 ,  Y10T428/12799

摘要： A hot-dip galvanized steel sheet includes a steel sheet and a hot-dip galvanized layer arranged on the steel sheet, in which the Si content and the Al content by mass % of components of the steel sheet satisfy a relationship 0.5

摘要翻译： 热浸镀锌钢板包括钢板和布置在钢板上的热浸镀锌层，其中Si含量和钢板的组分的Al含量按质量％计满足0.5

公开(公告)号：US20070216376A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11505439

申请日：2006-08-17

申请人： Toshio Ogawa

发明人： Toshio Ogawa

IPC分类号： G05F1/10

CPC分类号： G01K3/005 ,  G01K7/32 ,  G01K7/346 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor integrated circuit includes a measurement circuit configured to detect a measuring quantity dependent on temperature, and a heating circuit configured to generate heat in response to a detection, by the measurement circuit, of the measuring quantity indicating that the temperature is lower than a predetermined level.

摘要翻译： 半导体集成电路包括被配置为检测取决于温度的测量量的测量电路和被配置为响应于由测量电路检测到表示温度低于预定值的测量量而产生热量的加热电路 水平。