公开(公告)号：US20100240221A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12581298

申请日：2009-10-19

申请人： Bong-cheol Kim ,  Dae-youp Lee ,  Hyun-Woo Kim ,  Young-moon Choi ,  Jong-su Park ,  Byeong-hwan Son

发明人： Bong-cheol Kim ,  Dae-youp Lee ,  Hyun-Woo Kim ,  Young-moon Choi ,  Jong-su Park ,  Byeong-hwan Son

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526

摘要： Provided are methods of forming patterns of semiconductor devices, whereby patterns having various widths may be simultaneously formed, and a pattern density may be doubled by a double patterning process in a portion of the semiconductor device. A dual mask layer is formed on a substrate. A variable mask layer is formed on the dual mask layer. A first photoresist pattern having a first thickness and a first width in the first region, and a second photoresist pattern having a second thickness greater than the first thickness and a second width wider than the first width in the second region are formed on the variable mask layer. A first mask pattern and a first variable mask pattern are formed in the first region, and a second mask pattern and a second variable mask pattern are formed in the second region, by sequentially etching the variable mask layer and the dual mask layer by using, as etch masks, the first photoresist pattern and the second photoresist pattern. First spacers covering side walls of the first mask pattern and second spacers covering side walls of the second mask pattern are formed. The first mask pattern is removed, and then the substrate is etched in the first region and the second region by using the first spacers as an etch mask in the first region, and the second mask pattern and the second spacers as an etch mask in the second region.

摘要翻译： 提供了形成半导体器件的图案的方法，由此可以同时形成具有各种宽度的图案，并且在半导体器件的一部分中通过双重图案化工艺可以使图案密度加倍。 在基板上形成双掩模层。 在双掩模层上形成可变掩模层。 在第一区域中具有第一厚度和第一宽度的第一光致抗蚀剂图案和具有大于第一厚度的第二厚度的第二光致抗蚀剂图案和宽于第二区域中的第一宽度的第二宽度形成在可变掩模 层。 在第一区域中形成第一掩模图案和第一可变掩模图案，并且通过使用可变掩模层和双掩模层依次蚀刻第二区域中的第二掩模图案和第二可变掩模图案， 作为蚀刻掩模，第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案。 形成覆盖第一掩模图案的侧壁的第一间隔物和覆盖第二掩模图案的侧壁的第二间隔物。 去除第一掩模图案，然后通过在第一区域中使用第一间隔物作为蚀刻掩模在第一区域和第二区域中蚀刻衬底，并且在第二区域中将第二掩模图案和第二间隔物作为蚀刻掩模 第二区。

公开(公告)号：US07604911B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11949443

申请日：2007-12-03

申请人： Mitsuhiro Hata ,  Jung-Hwan Hah ,  Hyun-Woo Kim ,  Sang-Gyun Woo

发明人： Mitsuhiro Hata ,  Jung-Hwan Hah ,  Hyun-Woo Kim ,  Sang-Gyun Woo

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A mask pattern for semiconductor device fabrication comprises a resist pattern formed on a semiconductor substrate, and an interpolymer complex film formed on the resist pattern, wherein the interpolymer complex film includes a network formed by a hydrogen bond between a proton donor polymer and a proton acceptor polymer.

摘要翻译： 用于半导体器件制造的掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案和形成在抗蚀剂图案上的互聚物复合膜，其中互聚物复合膜包括由质子供体聚合物和质子受体之间的氢键形成的网络 聚合物。

公开(公告)号：US20080131817A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11983993

申请日：2007-11-13

申请人： Jin-Young Yoon ,  Hyun-Woo Kim ,  Chan Hwang ,  Yun-Kyeong Jang

发明人： Jin-Young Yoon ,  Hyun-Woo Kim ,  Chan Hwang ,  Yun-Kyeong Jang

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L23/20 ,  H01L21/54

CPC分类号： G03F7/70916 ,  G03F7/70341

摘要： Provided herein are gettering members that include a monitor substrate and a conditioning layer thereon. Also provided herein are methods of forming gettering layers and methods of performing immersion lithography processes using the same.

摘要翻译： 本文提供了包括监测器基板和其上的调理层的吸气构件。 本文还提供了形成吸气层的方法和使用其进行浸渍光刻工艺的方法。

公开(公告)号：US20050227492A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US11092003

申请日：2005-03-29

申请人： Jung-Hwan Hah ,  Hyun-Woo Kim ,  Jin-Young Yoon ,  Mitsuhiro Hata ,  Kolake Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

发明人： Jung-Hwan Hah ,  Hyun-Woo Kim ,  Jin-Young Yoon ,  Mitsuhiro Hata ,  Kolake Subramanya ,  Sang-Gyun Woo

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/004 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

摘要： Provided are a mask pattern including a self-assembled molecular layer, a method of forming the same, and a method of fabricating a semiconductor device. The mask pattern includes a resist pattern formed on a semiconductor substrate and the self-assembled molecular layer formed on at least a sidewall of the resist pattern. To form the mask pattern, first, the resist pattern is formed with openings on an underlayer covering the substrate to expose the underlayer to a first width. Then, the self-assembled molecular layer is selectively formed on a surface of the resist pattern to expose the underlayer to a second width smaller than the first width. The underlayer is etched using the resist pattern and the self-assembled molecular layer as an etching mask to obtain a fine pattern.

摘要翻译： 提供了包括自组装分子层的掩模图案，其形成方法和制造半导体器件的方法。 掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案和形成在抗蚀图案的至少侧壁上的自组装分子层。 为了形成掩模图案，首先，在覆盖基板的下层上形成抗蚀剂图案，使底层暴露于第一宽度。 然后，在抗蚀剂图案的表面上选择性地形成自组装分子层，以使底层暴露于小于第一宽度的第二宽度。 使用抗蚀剂图案和自组装分子层作为蚀刻掩模来蚀刻底层以获得精细图案。

公开(公告)号：US20050081255A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10837717

申请日：2004-05-04

申请人： Hyun-Woo Kim

发明人： Hyun-Woo Kim

IPC分类号： H04N5/04 ,  H04N5/44 ,  H04N5/46 ,  H04N9/45 ,  H04N9/64

CPC分类号： H04N5/04 ,  H04N5/4401 ,  H04N5/46 ,  H04N9/641 ,  H04N9/642 ,  H04N21/4122 ,  H04N21/440218 ,  H04N21/4621

摘要： A display system comprising a video signal supplier supplying a video signal with a first video signal standard comprising a predetermined sync signal and a data range; a display apparatus supporting one of the first video signal standard and a second video signal standard comprising a sync signal and a data range which are at least being partially different to the first video signal standard and a data range being equal to the first video signal standard and outputting the video signal from the video signal supplier; a selector selecting the display apparatus supporting one of the first video signal standard and the second video signal standard; and a sync signal converter receiving a sync signal in the video signal from the video signal supplier according to a selection of the selector and converts the received sync signal into either the first video signal standard or the second video signal standard, which the selected display apparatus supports, to output the selected display apparatus. With this configuration, the present invention provides a display system which can alternatively select a video signal of one of a first video signal standard and a second video signal standard, which have a different sync signal standard, to output according to a selection of a user and a method of converting a sync signal thereof.

摘要翻译： 一种显示系统，包括：视频信号供应器，向视频信号提供包括预定同步信号和数据范围的第一视频信号标准; 支持所述第一视频信号标准中的一个和第二视频信号标准的显示装置，所述第二视频信号标准包括至少部分地不同于所述第一视频信号标准的同步信号和数据范围，以及数据范围等于所述第一视频信号标准 并从视频信号提供器输出视频信号; 选择器，选择支持第一视频信号标准和第二视频信号标准之一的显示装置; 以及同步信号转换器，根据选择器的选择从视频信号供应器接收视频信号中的同步信号，并将接收的同步信号转换成第一视频信号标准或第二视频信号标准，所选择的显示装置 支持，以输出所选择的显示装置。 利用这种配置，本发明提供了一种显示系统，其可以选择选择具有不同同步信号标准的第一视频信号标准和第二视频信号标准之一的视频信号，以根据用户的选择来输出 以及转换其同步信号的方法。