公开(公告)号：US07645709B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11830140

申请日：2007-07-30

申请人： Thai Cheng Chua ,  James P. Cruse ,  Cory Czarnik

发明人： Thai Cheng Chua ,  James P. Cruse ,  Cory Czarnik

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

摘要： Methods of fabricating an oxide layer on a semiconductor substrate are provided herein. In some embodiments, a method of forming an oxide layer on a semiconductor substrate includes placing a substrate to be oxidized on a substrate support in a vacuum chamber of a plasma reactor, the chamber having an ion generation region remote from the substrate support; introducing a process gas into the chamber, the process gas comprising at least one of hydrogen (H2) and oxygen (O2)—provided at a flow rate ratio of hydrogen (H2) to oxygen (O2) of up to about 3:1—or water vapor (H2O vapor); and generating an inductively coupled plasma in the ion generation region of the chamber to form a silicon oxide layer on the substrate.

摘要翻译： 本文提供了在半导体衬底上制造氧化物层的方法。 在一些实施例中，在半导体衬底上形成氧化物层的方法包括将待氧化的衬底放置在等离子体反应器的真空室中的衬底支撑件上，该腔室具有远离衬底支撑件的离子产生区域; 将工艺气体引入所述室中，所述工艺气体包括氢（H 2）和氧（O 2）中的至少一种，以氢（H 2）与氧（O 2）的流速比高达约3：1- 或水汽（H 2 O蒸气）; 以及在所述室的离子产生区域中产生电感耦合等离子体，以在所述衬底上形成氧化硅层。

公开(公告)号：US07605008B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11695553

申请日：2007-04-02

申请人： Thai Cheng Chua ,  James P. Cruse ,  Cory Czarnik

发明人： Thai Cheng Chua ,  James P. Cruse ,  Cory Czarnik

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01J37/32697 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32623

摘要： A method and apparatus for igniting a gas mixture into plasma using capacitive coupling techniques, shielding the plasma and other contents of the plasma reactor from the capacitively-coupled electric field, and maintaining the plasma using inductive coupling are provided. For some embodiments, the amount of capacitive coupling may be controlled after ignition of the plasma. Such techniques are employed in an effort to prevent damage to the surface of a substrate from excessive ion bombardment caused by the highly energized ions and electrons accelerated towards and perpendicular to the substrate surface by the electric field of capacitively-coupled plasma.

摘要翻译： 提供了一种使用电容耦合技术将气体混合物点燃到等离子体中的方法和装置，其将等离子体和其他内容物等离子体与电容耦合电场屏蔽，并使用电感耦合来维持等离子体。 对于一些实施例，可以在点燃等离子体之后控制电容耦合的量。 这样的技术被用于防止由电容耦合等离子体的电场对由高能量的离子和电子加速而朝向和垂直于衬底表面加速的过度的离子轰击造成的衬底表面的损坏。

公开(公告)号：US20080241419A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11695553

申请日：2007-04-02

申请人： THAI CHENG CHUA ,  James P. Cruse ,  Cory Czarnik

发明人： THAI CHENG CHUA ,  James P. Cruse ,  Cory Czarnik

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： H01J37/32697 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32623

摘要： A method and apparatus for igniting a gas mixture into plasma using capacitive coupling techniques, shielding the plasma and other contents of the plasma reactor from the capacitively-coupled electric field, and maintaining the plasma using inductive coupling are provided. For some embodiments, the amount of capacitive coupling may be controlled after ignition of the plasma. Such techniques are employed in an effort to prevent damage to the surface of a substrate from excessive ion bombardment caused by the highly energized ions and electrons accelerated towards and perpendicular to the substrate surface by the electric field of capacitively-coupled plasma.

摘要翻译： 提供了一种使用电容耦合技术将气体混合物点燃到等离子体中的方法和装置，其将等离子体和其他内容物等离子体与电容耦合电场屏蔽，并使用电感耦合来维持等离子体。 对于一些实施例，可以在点燃等离子体之后控制电容耦合的量。 这样的技术被用于防止由电容耦合等离子体的电场对由高能量的离子和电子加速而朝向和垂直于衬底表面加速的过度的离子轰击造成的衬底表面的损坏。

公开(公告)号：US06660659B1

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US10170925

申请日：2002-06-12

申请人： Philip Allan Kraus ,  Thai Cheng Chua ,  John Holland ,  James P. Cruse

发明人： Philip Allan Kraus ,  Thai Cheng Chua ,  John Holland ,  James P. Cruse

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/0234 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

摘要： According to one aspect of the invention, a method is provided of processing a substrate, including locating the substrate in a processing chamber, creating a nitrogen plasma in the chamber, the plasma having an ion density of at least 1010 cm−3, and a potential of less than 20 V, and exposing a layer on the substrate to the plasma to incorporate nitrogen of the plasma into the layer.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面，提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在处理室中，在腔室中产生氮等离子体，等离子体具有至少10cm -1的离子密度， 3>，并且电位低于20V，并将衬底上的层暴露于等离子体以将等离子体的氮引入层中。

公开(公告)号：US08616224B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12907944

申请日：2010-10-19

申请人： Jared Ahmad Lee ,  Martin Jeff Salinas ,  Ezra Robert Gold ,  James P. Cruse

发明人： Jared Ahmad Lee ,  Martin Jeff Salinas ,  Ezra Robert Gold ,  James P. Cruse

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： F17D3/03 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/877

摘要： A method and apparatus for supplying a gas mixture to a load lock chamber is described. In one embodiment, the apparatus supplies a gas mixture to a pair of process chambers, comprising a first ozone generator to provide a first gas mixture to a first process chamber, a second ozone generator to provide a second gas mixture to a second process chamber, a first gas source coupled to the first ozone generator via a first mass flow controller and a first gas line, and coupled to the second ozone generator via a second mass flow controller and a second gas line, and a second gas source coupled to the first ozone generator via a third mass flow controller and a third gas line and coupled to the second ozone generator via fourth mass flow controller and a fourth gas line.

摘要翻译： 描述了一种将气体混合物供应到负载锁定室的方法和装置。 在一个实施例中，该装置将气体混合物提供给一对处理室，包括第一臭氧发生器以向第一处理室提供第一气体混合物，第二臭氧发生器将第二气体混合物提供给第二处理室， 第一气体源，经由第一质量流量控制器和第一气体管线耦合到第一臭氧发生器，并且经由第二质量流量控制器和第二气体管线耦合到第二臭氧发生器，以及耦合到第一气体源的第一气体源 臭氧发生器，经由第三质量流量控制器和第三气体管线，并经由第四质量流量控制器和第四气体管线与第二臭氧发生器连接。

公开(公告)号：US08616043B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12916450

申请日：2010-10-29

申请人： James P. Cruse ,  Ezra Robert Gold ,  Jared Ahmad Lee ,  Ming Xu

发明人： James P. Cruse ,  Ezra Robert Gold ,  Jared Ahmad Lee ,  Ming Xu

IPC分类号： G01L27/02

CPC分类号： G01L27/005 ,  H01L21/67253 ,  Y10T137/86083

摘要： Systems and methods for calibrating pressure gauges in one or more process chambers coupled to a transfer chamber having a transfer volume is disclosed herein. The method includes providing a first pressure in the transfer volume and in a first inner volume of a first process chamber coupled to the transfer chamber, wherein the transfer volume and the first inner volume are fluidly coupled, injecting a calibration gas into the transfer volume to raise a pressure in the transfer volume and in the first inner volume to a second pressure, measuring the second pressure using each of a reference pressure gauge coupled to the transfer chamber and a first pressure gauge coupled to the first process chamber while the transfer volume and the first inner volume are fluidly coupled, and calibrating the first pressure gauge based on a difference in the measured second pressure between the reference pressure gauge and the first pressure gauge.

摘要翻译： 本文公开了用于校准耦合到具有转移体积的转移室的一个或多个处理室中的压力计的系统和方法。 该方法包括在传送体积和连接到传送室的第一处理室的第一内部容积中提供第一压力，其中传送体积和第一内部体积被流体耦合，将校准气体注入到传送体积中 将传送体积和第一内部体积中的压力提高到第二压力，使用耦合到传送室的参考压力表中的每一个测量第二压力，以及耦合到第一处理室的第一压力表，同时传送体积和 第一内部体积流体耦合，并且基于测量的参考压力计和第一压力计之间的第二压力的差异校准第一压力计。

公开(公告)号：US06652710B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09322912

申请日：1999-06-01

申请人： James P. Cruse

发明人： James P. Cruse

IPC分类号： H01L2166

CPC分类号： B24B37/013 ,  B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  H01J37/32963 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus capable of processing a wafer, comprises a chamber adapted to process the wafer, whereby one or more parameters of the process being conducted in the chamber may change during processing of the wafer; and a signal analyzer adapted to receive a plurality of input signals relating to the parameters and provide an output signal in relation to the input signals.

摘要翻译： 能够处理晶片的装置包括适于处理晶片的室，由此在晶片的处理过程中在室内进行的工艺的一个或多个参数可能改变; 以及信号分析器，适于接收与参数相关的多个输入信号，并提供与输入信号相关的输出信号。

公开(公告)号：US5910011A

公开(公告)日：1999-06-08

申请号：US854508

申请日：1997-05-12

申请人： James P. Cruse

发明人： James P. Cruse

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC分类号： B24B37/013 ,  B81C1/00587 ,  B81C99/0065 ,  H01J37/32963 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  H01L2924/0002

摘要： A method and apparatus that provides process monitoring within a semiconductor wafer processing system using multiple process parameters. Specifically, the apparatus analyzes multiple process parameters and statistically correlates these parameters to detect a change in process characteristics such that the endpoint of an etch process may be accurately detected, as well as detecting other characteristics within the chamber. The multiple parameters may include optical emissia, environmental parameters such as pressure and temperature within the reaction chamber, RF power parameters such as reflected power or tuning voltage, and system parameters such as particular system configurations and control voltages.

摘要翻译： 一种使用多个工艺参数在半导体晶片处理系统内提供过程监控的方法和装置。 具体地，该装置分析多个工艺参数并统计地将这些参数相关联以检测工艺特性的变化，使得可以精确地检测蚀刻工艺的端点，以及检测室内的其它特性。 多个参数可以包括光学辐射，环境参数，例如反应室内的压力和温度，RF功率参数，例如反射功率或调谐电压，以及诸如特定系统配置和控制电压的系统参数。