公开(公告)号：US20090278175A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12343252

申请日：2008-12-23

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Cheng-Wei Chen ,  Yu-Huei Jiang

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Cheng-Wei Chen ,  Yu-Huei Jiang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： G01N27/414

摘要： The invention provides a method for forming an extended gate field effect transistor (EGFET) based sensor, including: (a) providing a substrate; (b) forming a sensing film including titanium dioxide, ruthenium doped titanium dioxide or ruthenium oxide on the substrate; and (c) forming a conductive wire extended from the sensing film for external contact.

摘要翻译： 本发明提供一种形成基于扩展栅极场效应晶体管（EGFET）的传感器的方法，包括：（a）提供衬底; （b）在基板上形成包括二氧化钛，掺钌的二氧化钛或氧化钌的感测膜; 和（c）形成从感测膜延伸出的用于外部接触的导线。

公开(公告)号：US20080143352A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US12037712

申请日：2008-02-26

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Hung-Hsi Yang

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Hung-Hsi Yang

IPC分类号： G01R27/02

CPC分类号： G01N27/414 ,  H01L31/115

摘要： A titanium oxide extended gate field effect transistor (EGFET) device and fabricating method thereof. Titanium oxide is formed on an EGFET by sputtering, coating a detection membrane therefor. Current-voltage relationships at different pH values are also measured via a current measuring system. Sensitivity parameter of the titanium oxide EGFET is calculated according to a relationship between a pH value and a gate voltage.

摘要翻译： 一种氧化钛延伸栅场效应晶体管（EGFET）器件及其制造方法。 通过溅射在EGFET上形成氧化钛，涂覆检测膜。 通过电流测量系统测量不同pH值下的电流 - 电压关系。 根据pH值和栅极电压之间的关系计算氧化钛EGFET的灵敏度参数。

公开(公告)号：US20080067081A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11822961

申请日：2007-07-11

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Cheng-Hsin Liu

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Cheng-Hsin Liu

IPC分类号： G01N27/414 ,  G01N27/416

CPC分类号： G01N27/4165 ,  G01N27/4035

摘要： A system of measuring pH of a solution having a calibration device to counteract time-drift effect. The calibration device of the system adjusts a compensation voltage to zero a measuring voltage of a first sensor and only respond to time-drift voltage of the first sensor. The calibration device has a differential operation amplifier receiving measuring voltages from the first sensor and a second sensor of the system to eliminate the time-drift voltages of the first and second sensors, thereby achieving calibration of the time-drift effects.

摘要翻译： 测量具有校准装置的溶液的pH以抵消时间漂移效应的系统。 系统的校准装置调整补偿电压以使第一传感器的测量电压为零，并且仅响应于第一传感器的时间漂移​​电压。 校准装置具有差分运算放大器，接收来自第一传感器的测量电压和系统的第二传感器，以消除第一和第二传感器的时间漂移​​电压，从而实现时间漂移效应的校准。

公开(公告)号：US20070261955A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11563132

申请日：2006-11-24

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Sheng-Hung Chen

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Sheng-Hung Chen

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/085 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/584 ,  H01G4/008 ,  H01G4/33 ,  H01G9/058 ,  H01G11/46 ,  H01L28/65 ,  Y02E60/13

摘要： A ruthenium oxide electrode. The ruthenium oxide electrode includes a substrate, a ruthenium oxide film formed thereon, and a conductive wire connecting to the ruthenium oxide film. The invention also provides a method of fabricating the ruthenium oxide electrode.

摘要翻译： 氧化钌电极。 氧化钌电极包括基板，形成在其上的氧化钌膜和连接到氧化钌膜的导线。 本发明还提供一种制造氧化钌电极的方法。

公开(公告)号：US20070095664A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11449936

申请日：2006-06-09

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Shih-I Liu

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Shih-I Liu

IPC分类号： C23C14/32

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/0641 ,  G01N27/4145 ,  Y10S435/817

摘要： A biosensor containing ruthenium, measurement using the same, and the application thereof. The biosensor comprises an extended gate field effect transistor (EGFET) structure, including a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), a sensing unit comprising a substrate, a layer comprising ruthenium on the substrate, and a metal wire connecting the MOSFET and the sensing unit.

摘要翻译： 含有钌的生物传感器，使用其的测定及其应用。 生物传感器包括扩展栅场效应晶体管（EGFET）结构，其包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），包括衬底的感测单元，在衬底上包含钌的层以及连接MOSFET和金属线的金属线 传感单元。

公开(公告)号：US06963193B2

公开(公告)日：2005-11-08

申请号：US10950579

申请日：2004-09-28

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Hsuan-Ming Tsai

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Hsuan-Ming Tsai

IPC分类号： G01N27/00 ,  G01N27/414 ,  G01R27/00 ,  G01R31/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/66 ,  H01L23/58 ,  H01L27/14 ,  H01L29/772 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/66045 ,  G01N27/414 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An a-C:H ISFET device and manufacturing method thereof. The present invention prepares a-C:H as the detection membrane of an ISFET by plasma enhanced low pressure chemical vapor deposition (PE-LPCVD) to obtain an a-C:H ISFET. The present invention also measures the current-voltage curve for different pH and temperatures by a current measuring system. The temperature parameter of the a-C:H ISFET is calculated according to the relationship between the current-voltage curve and temperature. In addition, the drift rates of the a-C:H ISFET for different pH and hysteresis width of the a-C:H ISFET for different pH loops are calculated by a constant voltage/current circuit and a voltage-time recorder to measure the gate voltage of the a-C:H ISFET.

公开(公告)号：US06322942B1

公开(公告)日：2001-11-27

申请号：US09558852

申请日：2000-04-27

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Hsu-Ying Yang ,  Chau-Yun Jen

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Hsu-Ying Yang ,  Chau-Yun Jen

IPC分类号： G03G5082

CPC分类号： G03G5/144 ,  G03G5/08221 ,  G03G5/08278 ,  G03G5/08285 ,  G03G5/14704

摘要： A xerographic photoreceptor primarily formed by amorphous silicon material is disclosed, wherein the xerographic photoreccptor is a photosensitive drum used in copying and manufactured by the plasma enhanced low pressure chemical vapor deposition system. Such a drum has a higher resolution, and a longer lifetime. In this structure, an Al2O3 oxidization layer is grown on an aluminum substrate. Then a n type hydrogenated amorphous silicon blocking layer is grown on the aluminum substrate with Al2O3 oxidization layer. Then an intrinsic hydrogenated amorphous silicon charge generating transmission layer is grown on the n type hydrogenated amorphous silicon blocking layer. Finally a hydrogenated amorphous carbon surface protecting layer is grown on the intrinsic hydrogenated amorphous silicon charge generation transport layer for forming a xerographic photoreceptor with a multiple layer structure. Not only the manufacturing process is simple, but also a lager area is achieved in preparing a film manufacture and thus, the cost will be reduced.

摘要翻译： 公开了主要由非晶硅材料形成的静电复印感光体，其中静电复印摄像机是用于复印并由等离子体增强低压化学气相沉积系统制造的感光鼓。 这样的鼓具有更高的分辨率，并且寿命更长。 在该结构中，在铝基板上生长Al 2 O 3氧化层。 然后在铝基板上用Al2O3氧化层生长n型氢化非晶硅阻挡层。 然后在n型氢化非晶硅阻挡层上生长本征氢化非晶硅电荷产生透射层。 最后，在本征氢化非晶硅电荷产生传输层上生长氢化无定形碳表面保护层，用于形成具有多层结构的静电复印感光体。 不仅制造工艺简单，而且在制备薄膜制造时也实现了较大的面积，因此成本将会降低。

公开(公告)号：US08062488B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12508458

申请日：2009-07-23

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Shih-I Liu

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Shih-I Liu

IPC分类号： G01N27/414 ,  C12M1/40

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/0641 ,  G01N27/4145 ,  Y10S435/817

摘要： A biosensor containing ruthenium, measurement using the same, and the application thereof. The biosensor comprises an extended gate field effect transistor (EGFET) structure, including a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), a sensing unit comprising a substrate, a layer comprising ruthenium on the substrate, and a metal wire connecting the MOSFET and the sensing unit.

摘要翻译： 含有钌的生物传感器，使用其的测定及其应用。 生物传感器包括扩展栅场效应晶体管（EGFET）结构，其包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），包括衬底的感测单元，在衬底上包含钌的层以及连接MOSFET和金属线的金属线 传感单元。

公开(公告)号：US07582500B2

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：US11448478

申请日：2006-06-07

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Diing-Jia Tzeng

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Diing-Jia Tzeng

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G01N27/414 ,  Y10T436/12

摘要： A reference pH sensor, the preparation and application thereof. The reference pH sensor is an extended gate field effect transistor (EGFET) structure and comprises a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) on a semiconductor substrate, a sensing unit comprising a substrate, a solid-state conductive sensing layer on the substrate, and a polypyrrole layer on the solid-state conductive sensing layer, and a metal wire connecting the MOSFET and the sensing unit.

摘要翻译： 参考pH传感器，其制备和应用。 参考pH传感器是扩展栅场效应晶体管（EGFET）结构，并且在半导体衬底上包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），感测单元包括衬底，在衬底上的固态导电感测层， 和固态导电感测层上的聚吡咯层，以及连接MOSFET和感测单元的金属线。

公开(公告)号：US20090170207A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12397231

申请日：2009-03-03

申请人： Jung-Chuan Chou ,  Diing-Jia Tzeng

发明人： Jung-Chuan Chou ,  Diing-Jia Tzeng

IPC分类号： G01N33/00

CPC分类号： G01N27/414 ,  Y10T436/12

摘要： A reference pH sensor, the preparation and application thereof. The reference pH sensor is an extended gate field effect transistor (EGFET) structure and comprises a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) on a semiconductor substrate, a sensing unit comprising a substrate, a solid-state conductive sensing layer on the substrate, and a polypyrrole layer on the solid-state conductive sensing layer, and a metal wire connecting the MOSFET and the sensing unit.

摘要翻译： 参考pH传感器，其制备和应用。 参考pH传感器是扩展栅场效应晶体管（EGFET）结构，并且在半导体衬底上包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），感测单元包括衬底，在衬底上的固态导电感测层， 和固态导电感测层上的聚吡咯层，以及连接MOSFET和感测单元的金属线。