公开(公告)号：US07951723B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US11552364

申请日：2006-10-24

申请人： Ching-Ya Wang ,  Weng-Jin Wu ,  Henry Lo ,  Jean Wang

发明人： Ching-Ya Wang ,  Weng-Jin Wu ,  Henry Lo ,  Jean Wang

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423

摘要： A method and apparatus involve providing a substrate having a dielectric layer formed thereon, forming a photoresist mask over the dielectric layer, the photoresist mask defining an opening, etching the dielectric layer through the at least one opening in the photoresist mask, treating a portion of the photoresist mask with an etching species, and removing the treated photoresist mask with a supercritical fluid. The etching, treating, and removing can be performed in one chamber.

摘要翻译： 一种方法和装置，包括提供其上形成有电介质层的衬底，在电介质层上形成光致抗蚀剂掩模，光刻胶掩模限定开口，通过光致抗蚀剂掩模中的至少一个开口蚀刻电介质层， 具有蚀刻物质的光致抗蚀剂掩模，并用超临界流体去除经处理的光致抗蚀剂掩模。 蚀刻，处理和去除可以在一个室中进行。

公开(公告)号：US20100015894A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12174762

申请日：2008-07-17

申请人： Ming-Che Ho ,  Jean Wang ,  Lawrence Chiang Sheu

发明人： Ming-Che Ho ,  Jean Wang ,  Lawrence Chiang Sheu

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B29/00

CPC分类号： B24B37/015 ,  B24B55/02

摘要： A method for manufacturing integrated circuits on a wafer includes providing a facility-supplied room temperature solution; controlling the temperature of the facility-supplied room temperature solution to a desired temperature set point to generate a rinse solution; and rinsing a polishing pad using the rinse solution. The wafer is then polished by means of a chemical mechanical polishing process.

摘要翻译： 一种用于在晶片上制造集成电路的方法包括提供设备提供的室温解决方案; 将设备供应的室温溶液的温度控制到所需温度设定点以产生漂洗溶液; 并使用冲洗溶液冲洗抛光垫。 然后通过化学机械抛光工艺抛光晶片。

公开(公告)号：US07634325B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11744107

申请日：2007-05-03

申请人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

发明人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： H01L22/20 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

摘要： A method of monitoring uniformity of a wafer is provided. A wafer parameter is selected. Manufacturing data is collected. The manufacturing data includes measurements of the selected wafer parameter. An average offset profile of the wafer parameter for a first and second wafer is determined using the manufacturing data. The first and second wafer are associated with a product type and were processed by a processing tool. An offset profile for a third wafer is predicted for a wafer using the average offset profile. The third wafer is associated with the product type and was processed by the processing tool.

摘要翻译： 提供了一种监测晶片均匀性的方法。 选择晶圆参数。 收集制造数据。 制造数据包括所选晶片参数的测量。 使用制造数据确定第一和第二晶片的晶片参数的平均偏移轮廓。 第一和第二晶片与产品类型相关联并且由处理工具处理。 使用平均偏移轮廓为晶片预测第三晶片的偏移轮廓。 第三个晶片与产品类型相关联，并由加工工具处理。

公开(公告)号：US07544606B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11142215

申请日：2005-06-01

申请人： Jean Wang ,  Chia-Ming Yang ,  Henry Lo ,  Joshua Tseng

发明人： Jean Wang ,  Chia-Ming Yang ,  Henry Lo ,  Joshua Tseng

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877

摘要： A method of forming a metal feature in a low-k dielectric layer is provided. The method includes forming an opening in a low-k dielectric layer, forming a metal layer having a substantially planar surface over the low-k dielectric layer using spin-on method, and stress free polishing the metal layer. Preferably, the metal layer comprises copper or copper alloys. The metal layer preferably includes a first sub layer having a substantially non-planar surface and a second sub layer having a substantially planar surface on the first sub layer.

摘要翻译： 提供了一种在低k电介质层中形成金属特征的方法。 该方法包括在低k电介质层中形成开口，使用旋转方法在​​低k电介质层上形成具有基本平坦表面的金属层，并且对金属层进行无应力的研磨。 优选地，金属层包括铜或铜合金。 金属层优选地包括具有基本非平面表面的第一子层和在第一子层上具有基本平坦表面的第二子层。

公开(公告)号：US20080305563A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US11810720

申请日：2007-06-07

申请人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

发明人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A system and method for controlling resistivity uniformity in a Copper trench structure by controlling the CMP process is provided. A preferred embodiment comprises a system and a method in which a plurality of CMP process recipes may be created comprising at least a slurry arm position. A set of metrological data for at least one layer of the semiconductor substrate may be estimated, and an optimum CMP process recipe may be selected based on the set of metrological data. The optimum CMP process recipe may be implemented on the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供了一种通过控制CMP工艺来控制铜沟槽结构中的电阻率均匀性的系统和方法。 优选实施例包括系统和方法，其中可以创建包括至少浆料臂位置的多个CMP工艺配方。 可以估计用于至少一层半导体衬底的一组计量数据，并且可以基于该组计量数据来选择最佳CMP工艺配方。 可以在半导体衬底上实现最佳CMP工艺配方。

公开(公告)号：US20080275676A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11941518

申请日：2007-11-16

申请人： Chun-Hsien Lin ,  Amy Wang ,  Francis Ko ,  Jean Wang

发明人： Chun-Hsien Lin ,  Amy Wang ,  Francis Ko ,  Jean Wang

IPC分类号： G06N7/00

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/32187 ,  G05B2219/32188 ,  G05B2219/32194 ,  Y02P90/22 ,  Y10S430/146

摘要： A method to enable wafer result prediction from a batch processing tool, includes collecting manufacturing data from a batch of wafers processed in batch in the batch processing tool, to form a batch processing result; defining a degree of freedom of the batch processing result based on the manufacturing data; and performing an optimal curve fitting by trial and error for an optimal function model of the batch processing result based on the batch processing result.

摘要翻译： 一种能够从批量处理工具中进行晶片结果预测的方法包括从批量处理工具中批量处理的一批晶片收集制造数据，以形成批处理结果; 基于制造数据定义批量处理结果的自由度; 并根据批次处理结果对批处理结果的最优函数模型进行试验和误差拟合。

公开(公告)号：US20070299097A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11771453

申请日：2007-06-29

申请人： Jean Wang ,  Paolo Vigneri

发明人： Jean Wang ,  Paolo Vigneri

IPC分类号： A61K31/366 ,  A61K49/00

CPC分类号： C07K14/82 ,  A61K31/366 ,  A61K31/519 ,  A61K45/06 ,  A61K48/00 ,  A61K2300/00

摘要： The chimeric Bcr-Abl oncoprotein is the molecular hallmark of chronic myelogenous leukemia (CML). In the cytoplasm, the protein transduces a growth signal that is responsible for overexpansion of cells. In the nucleus, the protein induces apoptosis. The invention is a method of treating cancer/killing Bcr-Abl expressing cells by inducing the translocation of Bcr-Abl to the nucleus to activate the apoptotic pathway in cancer cells.

摘要翻译： 嵌合Bcr-Abl癌蛋白是慢性骨髓性白血病（CML）的分子标志。 在细胞质中，蛋白质转导负责细胞过度扩增的生长信号。 在细胞核中，蛋白质诱导细胞凋亡。 本发明是通过诱导Bcr-Abl向细胞核移位以激活癌细胞中的凋亡途径来治疗癌症/杀死Bcr-Abl表达细胞的方法。

公开(公告)号：US20070241455A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11240965

申请日：2005-09-30

申请人： Ching-Ya Wang ,  Joshua Tseng ,  Henry Lo ,  Jean Wang

发明人： Ching-Ya Wang ,  Joshua Tseng ,  Henry Lo ,  Jean Wang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/963 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a damascene structure by providing a single process solution for resist ashing while avoiding and repairing plasma etching damage as well as removing absorbed moisture in the dielectric layer, the method including providing a substrate comprising an uppermost photoresist layer and an opening extending through a thickness of an inter-metal dielectric (IMD) layer to expose an underlying metal region; and, carrying out at least one supercritical fluid treatment comprising supercritical CO2, a first co-solvent, and an additive selected from the group consisting of a metal corrosion inhibitor and a metal anti-oxidation agent to remove the uppermost photoresist layer, as well as including an optional dielectric insulating layer bond forming agent.

摘要翻译： 一种通过提供用于抗蚀剂灰化的单一工艺溶液来形成镶嵌结构的方法，同时避免和修复等离子体蚀刻损伤以及去除介电层中的吸收的水分，所述方法包括提供包括最上面的光致抗蚀剂层和延伸穿过的开口 金属间电介质（IMD）层的厚度以暴露下面的金属区域; 并且进行至少一种超临界流体处理，其包括超临界CO 2，第一共溶剂和选自金属缓蚀剂和金属抗氧化剂的添加剂以除去最上面的光致抗蚀剂层，以及 包括可选的介电绝缘层结合剂。

公开(公告)号：US07974728B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12026361

申请日：2008-02-05

申请人： Chun-Hsien Lin ,  Francis Ko ,  Kewei Zuo ,  Henry Lo ,  Jean Wang

发明人： Chun-Hsien Lin ,  Francis Ko ,  Kewei Zuo ,  Henry Lo ,  Jean Wang

IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F15/18 ,  G06F17/18 ,  G05B13/02

CPC分类号： G05B23/0221

摘要： A system, method, and computer readable medium for extracting a key process parameter correlative to a selected device parameter are provided. In an embodiment, the key process parameter is determined using a gene map analysis. The gene map analysis includes grouping highly correlative process parameter and determining the correlation of a group to the selected device parameter. In an embodiment, the groups having greatest correlation to the selected device parameter are displayed in a correlation matrix and/or a gene map.

摘要翻译： 提供了一种用于提取与所选设备参数相关的密钥过程参数的系统，方法和计算机可读介质。 在一个实施例中，使用基因图分析来确定关键过程参数。 基因图分析包括对高度相关的过程参数进行分组，并确定组与所选设备参数的相关性。 在一个实施例中，与所选择的设备参数具有最大相关性的组被显示在相关矩阵和/或基因图中。

公开(公告)号：US07767471B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11830519

申请日：2007-07-30

申请人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Henry Lo ,  Chi-Chun Hsieh ,  Amy Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Chun-Hsien Lin

发明人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Henry Lo ,  Chi-Chun Hsieh ,  Amy Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Chun-Hsien Lin

IPC分类号： H01L21/00 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L22/12

摘要： A method for improving within-wafer uniformity is provided. The method includes forming an electrical component by a first process step and a second process step, wherein the electrical component has a target electrical parameter. The method includes providing a first plurality of production tools for performing the first process step; providing a second plurality of production tools for performing the second process step; providing a wafer; performing the first process step on the wafer using one of the first plurality of production tools; and selecting a first route including a first production tool from the second plurality of production tools. A within-wafer uniformity of the target electrical parameter on the wafer manufactured by the first route is greater than a second route including a second production tool in the second plurality of production tools.

摘要翻译： 提供了一种提高晶片内均匀性的方法。 该方法包括通过第一处理步骤和第二处理步骤形成电子部件，其中电气部件具有目标电参数。 该方法包括提供用于执行第一处理步骤的第一多个生产工具; 提供用于执行所述第二处理步骤的第二多个生产工具; 提供晶片; 使用所述第一多个生产工具之一在所述晶片上执行所述第一工艺步骤; 以及从所述第二多个生产工具中选择包括第一生产工具的第一路线。 由第一路径制造的晶片上的目标电参数的晶片内均匀性大于在第二多个生产工具中包括第二生产工具的第二路线。