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    Method and system for controlling copper chemical mechanical polish uniformity
    1.
    发明申请
    Method and system for controlling copper chemical mechanical polish uniformity 有权
    控制铜化学机械抛光均匀性的方法和系统

    公开(公告)号：US20080305563A1

    公开(公告)日：2008-12-11

    申请号：US11810720

    申请日：2007-06-07

    申请人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

    发明人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A system and method for controlling resistivity uniformity in a Copper trench structure by controlling the CMP process is provided. A preferred embodiment comprises a system and a method in which a plurality of CMP process recipes may be created comprising at least a slurry arm position. A set of metrological data for at least one layer of the semiconductor substrate may be estimated, and an optimum CMP process recipe may be selected based on the set of metrological data. The optimum CMP process recipe may be implemented on the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 提供了一种通过控制CMP工艺来控制铜沟槽结构中的电阻率均匀性的系统和方法。 优选实施例包括系统和方法，其中可以创建包括至少浆料臂位置的多个CMP工艺配方。 可以估计用于至少一层半导体衬底的一组计量数据，并且可以基于该组计量数据来选择最佳CMP工艺配方。 可以在半导体衬底上实现最佳CMP工艺配方。

    Method and system for controlling copper chemical mechanical polish uniformity
    3.
    发明授权
    Method and system for controlling copper chemical mechanical polish uniformity 有权
    控制铜化学机械抛光均匀性的方法和系统

    公开(公告)号：US08409993B2

    公开(公告)日：2013-04-02

    申请号：US11810720

    申请日：2007-06-07

    申请人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

    发明人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A system and method for controlling resistivity uniformity in a Copper trench structure by controlling the CMP process is provided. A preferred embodiment comprises a system and a method in which a plurality of CMP process recipes may be created comprising at least a slurry arm position. A set of metrological data for at least one layer of the semiconductor substrate may be estimated, and an optimum CMP process recipe may be selected based on the set of metrological data. The optimum CMP process recipe may be implemented on the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 提供了一种通过控制CMP工艺来控制铜沟槽结构中的电阻率均匀性的系统和方法。 优选实施例包括系统和方法，其中可以创建包括至少浆料臂位置的多个CMP工艺配方。 可以估计用于至少一层半导体衬底的一组计量数据，并且可以基于该组计量数据来选择最佳CMP工艺配方。 可以在半导体衬底上实现最佳CMP工艺配方。

    Auto routing for optimal uniformity control
    4.
    发明授权
    Auto routing for optimal uniformity control 有权
    自动布线，实现最佳均匀度控制

    公开(公告)号：US07767471B2

    公开(公告)日：2010-08-03

    申请号：US11830519

    申请日：2007-07-30

    申请人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Henry Lo ,  Chi-Chun Hsieh ,  Amy Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Chun-Hsien Lin

    发明人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Henry Lo ,  Chi-Chun Hsieh ,  Amy Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Chun-Hsien Lin

    IPC分类号： H01L21/00 ,  G01R31/26

    CPC分类号： H01L22/12

    摘要： A method for improving within-wafer uniformity is provided. The method includes forming an electrical component by a first process step and a second process step, wherein the electrical component has a target electrical parameter. The method includes providing a first plurality of production tools for performing the first process step; providing a second plurality of production tools for performing the second process step; providing a wafer; performing the first process step on the wafer using one of the first plurality of production tools; and selecting a first route including a first production tool from the second plurality of production tools. A within-wafer uniformity of the target electrical parameter on the wafer manufactured by the first route is greater than a second route including a second production tool in the second plurality of production tools.

    摘要翻译： 提供了一种提高晶片内均匀性的方法。 该方法包括通过第一处理步骤和第二处理步骤形成电子部件，其中电气部件具有目标电参数。 该方法包括提供用于执行第一处理步骤的第一多个生产工具; 提供用于执行所述第二处理步骤的第二多个生产工具; 提供晶片; 使用所述第一多个生产工具之一在所述晶片上执行所述第一工艺步骤; 以及从所述第二多个生产工具中选择包括第一生产工具的第一路线。 由第一路径制造的晶片上的目标电参数的晶片内均匀性大于在第二多个生产工具中包括第二生产工具的第二路线。

    Auto Routing for Optimal Uniformity Control
    5.
    发明申请
    Auto Routing for Optimal Uniformity Control 有权
    自动路由优化均匀性控制

    公开(公告)号：US20090035883A1

    公开(公告)日：2009-02-05

    申请号：US11830519

    申请日：2007-07-30

    申请人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Henry Lo ,  Chi-Chun Hsieh ,  Amy Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Chun-Hsien Lin

    发明人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Henry Lo ,  Chi-Chun Hsieh ,  Amy Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Chun-Hsien Lin

    IPC分类号： H01L21/66

    CPC分类号： H01L22/12

    摘要： A method for improving within-wafer uniformity is provided. The method includes forming an electrical component by a first process step and a second process step, wherein the electrical component has a target electrical parameter. The method includes providing a first plurality of production tools for performing the first process step; providing a second plurality of production tools for performing the second process step; providing a wafer; performing the first process step on the wafer using one of the first plurality of production tools; and selecting a first route including a first production tool from the second plurality of production tools. A within-wafer uniformity of the target electrical parameter on the wafer manufactured by the first route is greater than a second route including a second production tool in the second plurality of production tools.

    摘要翻译： 提供了一种提高晶片内均匀性的方法。 该方法包括通过第一处理步骤和第二处理步骤形成电子部件，其中电气部件具有目标电参数。 该方法包括：提供用于执行第一处理步骤的第一多个生产工具; 提供用于执行所述第二处理步骤的第二多个生产工具; 提供晶片; 使用所述第一多个生产工具之一在所述晶片上执行所述第一工艺步骤; 以及从所述第二多个生产工具中选择包括第一生产工具的第一路线。 由第一路径制造的晶片上的目标电参数的晶片内均匀性大于在第二多个生产工具中包括第二生产工具的第二路线。

    Prediction of uniformity of a wafer
    6.
    发明授权
    Prediction of uniformity of a wafer 失效
    预测晶圆的均匀性

    公开(公告)号：US07634325B2

    公开(公告)日：2009-12-15

    申请号：US11744107

    申请日：2007-05-03

    申请人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

    发明人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： H01L22/20 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

    摘要： A method of monitoring uniformity of a wafer is provided. A wafer parameter is selected. Manufacturing data is collected. The manufacturing data includes measurements of the selected wafer parameter. An average offset profile of the wafer parameter for a first and second wafer is determined using the manufacturing data. The first and second wafer are associated with a product type and were processed by a processing tool. An offset profile for a third wafer is predicted for a wafer using the average offset profile. The third wafer is associated with the product type and was processed by the processing tool.

    摘要翻译： 提供了一种监测晶片均匀性的方法。 选择晶圆参数。 收集制造数据。 制造数据包括所选晶片参数的测量。 使用制造数据确定第一和第二晶片的晶片参数的平均偏移轮廓。 第一和第二晶片与产品类型相关联并且由处理工具处理。 使用平均偏移轮廓为晶片预测第三晶片的偏移轮廓。 第三个晶片与产品类型相关联，并由加工工具处理。

    PREDICTION OF UNIFORMITY OF A WAFER
    7.
    发明申请
    PREDICTION OF UNIFORMITY OF A WAFER 失效
    预测轮胎的均匀性

    公开(公告)号：US20080275588A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：US11744107

    申请日：2007-05-03

    申请人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

    发明人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： H01L22/20 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

    摘要： A method of monitoring uniformity of a wafer is provided. A wafer parameter is selected. Manufacturing data is collected. The manufacturing data includes measurements of the selected wafer parameter. An average offset profile of the wafer parameter for a first and second wafer is determined using the manufacturing data. The first and second wafer are associated with a product type and were processed by a processing tool. An offset profile for a third wafer is predicted for a wafer using the average offset profile. The third wafer is associated with the product type and was processed by the processing tool.

    摘要翻译： 提供了一种监测晶片均匀性的方法。 选择晶圆参数。 收集制造数据。 制造数据包括所选晶片参数的测量。 使用制造数据确定第一和第二晶片的晶片参数的平均偏移轮廓。 第一和第二晶片与产品类型相关联并且由处理工具处理。 使用平均偏移轮廓为晶片预测第三晶片的偏移轮廓。 第三个晶片与产品类型相关联，并由加工工具处理。

    Near non-adaptive virtual metrology and chamber control
    9.
    发明授权
    Near non-adaptive virtual metrology and chamber control 有权
    近非自适应虚拟计量和室控制

    公开(公告)号：US08433434B2

    公开(公告)日：2013-04-30

    申请号：US12766626

    申请日：2010-04-23

    申请人： Amy Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Jean Wang ,  Henry Lo ,  Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo

    发明人： Amy Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Jean Wang ,  Henry Lo ,  Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： G05B13/048

    摘要： Embodiments of the present invention relate to a method for a near non-adaptive virtual metrology for wafer processing control. In accordance with an embodiment of the present invention, a method for processing control comprises diagnosing a chamber of a processing tool that processes a wafer to identify a key chamber parameter, and controlling the chamber based on the key chamber parameter if the key chamber parameter can be controlled, or compensating a prediction model by changing to a secondary prediction model if the key chamber parameter cannot be sufficiently controlled.

    摘要翻译： 本发明的实施例涉及一种用于晶片处理控制的近非自适应虚拟测量方法。 根据本发明的实施例，一种用于处理控制的方法包括：诊断处理工具的室，其处理晶片以识别密钥室参数，以及如果密钥室参数可以基于密钥室参数来控制室 如果密钥室参数不能被充分地控制，则通过改变为次级预测模型来控制或补偿预测模型。

    Near Non-Adaptive Virtual Metrology and Chamber Control
    10.
    发明申请
    Near Non-Adaptive Virtual Metrology and Chamber Control 有权
    近非自适应虚拟计量和室控制

    公开(公告)号：US20110009998A1

    公开(公告)日：2011-01-13

    申请号：US12766626

    申请日：2010-04-23

    申请人： Amy Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Jean Wang ,  Henry Lo ,  Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo

    发明人： Amy Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Jean Wang ,  Henry Lo ,  Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo

    IPC分类号： G05B13/04

    CPC分类号： G05B13/048

    摘要： Embodiments of the present invention relate to a method for a near non-adaptive virtual metrology for wafer processing control. In accordance with an embodiment of the present invention, a method for processing control comprises diagnosing a chamber of a processing tool that processes a wafer to identify a key chamber parameter, and controlling the chamber based on the key chamber parameter if the key chamber parameter can be controlled, or compensating a prediction model by changing to a secondary prediction model if the key chamber parameter cannot be sufficiently controlled.

    摘要翻译： 本发明的实施例涉及一种用于晶片处理控制的近非自适应虚拟测量方法。 根据本发明的实施例，一种用于处理控制的方法包括：诊断处理工具的室，其处理晶片以识别密钥室参数，以及如果密钥室参数可以基于密钥室参数来控制室 如果密钥室参数不能被充分地控制，则通过改变为次级预测模型来控制或补偿预测模型。