公开(公告)号：US20080305563A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US11810720

申请日：2007-06-07

申请人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

发明人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A system and method for controlling resistivity uniformity in a Copper trench structure by controlling the CMP process is provided. A preferred embodiment comprises a system and a method in which a plurality of CMP process recipes may be created comprising at least a slurry arm position. A set of metrological data for at least one layer of the semiconductor substrate may be estimated, and an optimum CMP process recipe may be selected based on the set of metrological data. The optimum CMP process recipe may be implemented on the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供了一种通过控制CMP工艺来控制铜沟槽结构中的电阻率均匀性的系统和方法。 优选实施例包括系统和方法，其中可以创建包括至少浆料臂位置的多个CMP工艺配方。 可以估计用于至少一层半导体衬底的一组计量数据，并且可以基于该组计量数据来选择最佳CMP工艺配方。 可以在半导体衬底上实现最佳CMP工艺配方。

公开(公告)号：US08409993B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US11810720

申请日：2007-06-07

申请人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

发明人： Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin ,  Jean Wang ,  Chih-Wei Lai ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A system and method for controlling resistivity uniformity in a Copper trench structure by controlling the CMP process is provided. A preferred embodiment comprises a system and a method in which a plurality of CMP process recipes may be created comprising at least a slurry arm position. A set of metrological data for at least one layer of the semiconductor substrate may be estimated, and an optimum CMP process recipe may be selected based on the set of metrological data. The optimum CMP process recipe may be implemented on the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供了一种通过控制CMP工艺来控制铜沟槽结构中的电阻率均匀性的系统和方法。 优选实施例包括系统和方法，其中可以创建包括至少浆料臂位置的多个CMP工艺配方。 可以估计用于至少一层半导体衬底的一组计量数据，并且可以基于该组计量数据来选择最佳CMP工艺配方。 可以在半导体衬底上实现最佳CMP工艺配方。

公开(公告)号：US20080275586A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US12025933

申请日：2008-02-05

申请人： Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo ,  Henry Lo ,  Jean Wang ,  Ping-Hsu Chen ,  Chun-Hsien Lin ,  Chen-Hua Yu

发明人： Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo ,  Henry Lo ,  Jean Wang ,  Ping-Hsu Chen ,  Chun-Hsien Lin ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： G06F17/00

CPC分类号： G05B23/0221

摘要： A method to enable wafer result prediction includes collecting manufacturing data from various semiconductor manufacturing tools and metrology tools; choosing key parameters using an autokey method based on the manufacturing data; building a virtual metrology based on the key parameters; and predicting wafer results using the virtual metrology.

摘要翻译： 允许晶片结果预测的方法包括从各种半导体制造工具和计量工具收集制造数据; 使用基于制造数据的自动密钥方法选择关键参数; 基于关键参数构建虚拟计量; 并使用虚拟计量来预测晶圆结果。

公开(公告)号：US07634325B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11744107

申请日：2007-05-03

申请人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

发明人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： H01L22/20 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

摘要： A method of monitoring uniformity of a wafer is provided. A wafer parameter is selected. Manufacturing data is collected. The manufacturing data includes measurements of the selected wafer parameter. An average offset profile of the wafer parameter for a first and second wafer is determined using the manufacturing data. The first and second wafer are associated with a product type and were processed by a processing tool. An offset profile for a third wafer is predicted for a wafer using the average offset profile. The third wafer is associated with the product type and was processed by the processing tool.

摘要翻译： 提供了一种监测晶片均匀性的方法。 选择晶圆参数。 收集制造数据。 制造数据包括所选晶片参数的测量。 使用制造数据确定第一和第二晶片的晶片参数的平均偏移轮廓。 第一和第二晶片与产品类型相关联并且由处理工具处理。 使用平均偏移轮廓为晶片预测第三晶片的偏移轮廓。 第三个晶片与产品类型相关联，并由加工工具处理。

公开(公告)号：US08682466B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US12025933

申请日：2008-02-05

申请人： Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo ,  Henry Lo ,  Jean Wang ,  Ping-Hsu Chen ,  Chun-Hsien Lim ,  Chen-Hua Yu

发明人： Francis Ko ,  Chih-Wei Lai ,  Kewei Zuo ,  Henry Lo ,  Jean Wang ,  Ping-Hsu Chen ,  Chun-Hsien Lim ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G05B23/0221

摘要： A method to enable wafer result prediction includes collecting manufacturing data from various semiconductor manufacturing tools and metrology tools; choosing key parameters using an autokey method based on the manufacturing data; building a virtual metrology based on the key parameters; and predicting wafer results using the virtual metrology.

摘要翻译： 允许晶片结果预测的方法包括从各种半导体制造工具和计量工具收集制造数据; 使用基于制造数据的自动密钥方法选择关键参数; 基于关键参数构建虚拟计量; 并使用虚拟计量来预测晶圆结果。

公开(公告)号：US20080275588A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11744107

申请日：2007-05-03

申请人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

发明人： Jean Wang ,  Francis Ko ,  Ping-Hsu Chen ,  Henry Lo ,  Chih-Wei Lai

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： H01L22/20 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

摘要： A method of monitoring uniformity of a wafer is provided. A wafer parameter is selected. Manufacturing data is collected. The manufacturing data includes measurements of the selected wafer parameter. An average offset profile of the wafer parameter for a first and second wafer is determined using the manufacturing data. The first and second wafer are associated with a product type and were processed by a processing tool. An offset profile for a third wafer is predicted for a wafer using the average offset profile. The third wafer is associated with the product type and was processed by the processing tool.

摘要翻译： 提供了一种监测晶片均匀性的方法。 选择晶圆参数。 收集制造数据。 制造数据包括所选晶片参数的测量。 使用制造数据确定第一和第二晶片的晶片参数的平均偏移轮廓。 第一和第二晶片与产品类型相关联并且由处理工具处理。 使用平均偏移轮廓为晶片预测第三晶片的偏移轮廓。 第三个晶片与产品类型相关联，并由加工工具处理。

公开(公告)号：US07144297B2

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：US11120896

申请日：2005-05-03

申请人： Chun-Hsien Lin ,  Ping-Hsu Chen ,  Sunny Wu ,  Francis Ko

发明人： Chun-Hsien Lin ,  Ping-Hsu Chen ,  Sunny Wu ,  Francis Ko

IPC分类号： B24B49/00

CPC分类号： G05B23/0297

摘要： A method for monitoring a processing tool in a semiconductor manufacturing facility includes selecting key hardware parameters for a virtual sensor system based on manufacturing data associated with a fabrication tool and collecting manufacturing data associated with the fabrication tool. The method further includes dynamically maintaining the virtual sensor system during the manufacture of a plurality of semiconductor products and using the virtual sensor system and the collected manufacturing data for predicting a condition of a semiconductor product after being processed by the fabrication tool.

摘要翻译： 一种用于监测半导体制造设备中的处理工具的方法包括：基于与制造工具相关联的制造数据选择虚拟传感器系统的关键硬件参数并收集与制造工具相关联的制造数据。 该方法还包括在多个半导体产品的制造期间动态地维持虚拟传感器系统，并且使用虚拟传感器系统和所收集的制造数据来预测由制造工具处理之后的半导体产品的状况。

公开(公告)号：US20060252348A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11120896

申请日：2005-05-03

申请人： Chun-Hsien Lin ,  Ping-Hsu Chen ,  Sunny Wu ,  Francis Ko

发明人： Chun-Hsien Lin ,  Ping-Hsu Chen ,  Sunny Wu ,  Francis Ko

IPC分类号： B24B51/00 ,  B24B7/30 ,  B24B1/00

CPC分类号： G05B23/0297

摘要： A method for monitoring a processing tool in a semiconductor manufacturing facility includes selecting key hardware parameters for a virtual sensor system based on manufacturing data associated with a fabrication tool and collecting manufacturing data associated with the fabrication tool. The method further includes dynamically maintaining the virtual sensor system during the manufacture of a plurality of semiconductor products and using the virtual sensor system and the collected manufacturing data for predicting a condition of a semiconductor product after being processed by the fabrication tool.

摘要翻译： 一种用于监测半导体制造设备中的处理工具的方法包括：基于与制造工具相关联的制造数据选择虚拟传感器系统的关键硬件参数并收集与制造工具相关联的制造数据。 该方法还包括在多个半导体产品的制造期间动态地维持虚拟传感器系统，并且使用虚拟传感器系统和所收集的制造数据来预测由制造工具处理之后的半导体产品的状况。

公开(公告)号：US20060129257A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11011950

申请日：2004-12-13

申请人： Ping-Hsu Chen ,  Sunny Wu ,  Bing-Hung Chen ,  Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin

发明人： Ping-Hsu Chen ,  Sunny Wu ,  Bing-Hung Chen ,  Francis Ko ,  Chun-Hsien Lin

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/4188 ,  G05B19/4184 ,  G05B2219/31357 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/24

摘要： A semiconductor manufacturing information framework to operate a processing tool includes a data acquisition system (DAS), a virtual metrology (VM) system, a fault detection and classification (FDC) system and an advanced process control (APC) system. The DAS is operable to receive data related to the processing of a workpiece by the processing tool or sensors coupled on tool. The VM system is operable to receive the data from the DAS and predict results of the workpiece processed by the processing tool or sensors. The VM system generates at least one first output indicative of the results. The FDC system is operable to receive the data and generate at least one second output indicative of an operating status of the processing tool. The APC system is operable to receive the at least one first or second outputs, and, in response, generate at least one third output to control the processing tool.

摘要翻译： 用于操作处理工具的半导体制造信息框架包括数据采集系统（DAS），虚拟测量（VM）系统，故障检测和分类（FDC）系统以及高级过程控制（APC）系统）。 DAS可操作以通过耦合在工具上的处理工具或传感器接收与工件的处理有关的数据。 VM系统可操作以从DAS接收数据并预测由处理工具或传感器处理的工件的结果。 VM系统生成指示结果的至少一个第一输出。 FDC系统可操作以接收数据并产生指示处理工具的操作状态的至少一个第二输出。 APC系统可操作以接收至少一个第一或第二输出，并且作为响应，生成至少一个第三输出以控制处理工具。

公开(公告)号：US20050186753A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：US10786187

申请日：2004-02-25

申请人： Ping-Hsu Chen ,  Ping Chuang ,  Mei-Sheng Zhou ,  Francis Ko ,  Huxley Lee ,  Joshua Tseng ,  Henry Lo

发明人： Ping-Hsu Chen ,  Ping Chuang ,  Mei-Sheng Zhou ,  Francis Ko ,  Huxley Lee ,  Joshua Tseng ,  Henry Lo

IPC分类号： G03F9/00 ,  H01J37/304 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/76 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  H01J37/3045 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A new and improved method for exposing alignment marks on a substrate by locally cutting through a metal or non-metal layer or layers sequentially deposited on the substrate above the alignment marks, using focused ion beam (FIB) technology. In a preferred embodiment, a method for exposing alignment marks on a substrate can be carried out by first providing a substrate that has multiple alignment marks provided thereon and at least one overlying opaque layer, typically but not necessarily metal, deposited on the substrate above the alignment marks. A focused ion beam is then directed against the overlying opaque layer or layers to cut through the layer or layers and expose the alignment marks on the substrate. A noble gas, preferably argon, is typically used as the ion source for the focused ion beam.

摘要翻译： 一种新的和改进的方法，通过使用聚焦离子束（FIB）技术，通过局部切割穿过对准标记上方的基板上的金属或非金属层或层而在基板上曝光对准标记。 在优选实施例中，用于在衬底上曝光对准标记的方法可以通过首先提供其上设置有多个对准标记的衬底和沉积在衬底上方的至少一个上覆的不透明层（通常但不一定是金属） 对齐标记 然后将聚焦离子束定向到上覆的不透明层或层以切穿该层或者暴露衬底上的对准标记。 惰性气体，优选氩气通常用作聚焦离子束的离子源。