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公开(公告)号：US3410029A
公开(公告)日：1968-11-12
申请号：US45802365
申请日：1965-05-24
申请人： NORTON CO
发明人： SAVAGE EDMUND G
CPC分类号： G01M1/36 , B24B41/04 , B24B41/042 , G01M1/04
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公开(公告)号：US3392899A
公开(公告)日：1968-07-16
申请号：US40899764
申请日：1964-11-03
申请人： NORTON CO
发明人： HOOGSTOEL LEON E
IPC分类号： C09J7/02
CPC分类号： C09J7/20 , Y10T428/12438 , Y10T428/12556 , Y10T428/12715 , Y10T428/12903
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公开(公告)号：US3385010A
公开(公告)日：1968-05-28
申请号：US53736366
申请日：1966-03-25
申请人： NORTON CO
发明人： VORCE LELAND H , BELANGER LIONEL G
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公开(公告)号：US3377660A
公开(公告)日：1968-04-16
申请号：US48265465
申请日：1965-07-08
申请人： NORTON CO
发明人： MARSHALL DOUGLAS W , PETT EDGAR A
CPC分类号： B01J2/24 , C09K3/1427
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56.发明授权Process of forming silicon carbide diode by growing separate p and n layers together 失效通过一起生长单独的p和n层来形成碳化硅二极管的工艺
公开(公告)号：US3377210A
公开(公告)日：1968-04-09
申请号：US44266665
申请日：1965-03-25
申请人： NORTON CO
IPC分类号： H01L33/34
CPC分类号： H01L33/34 , Y10S148/107 , Y10S148/148 , Y10S438/931
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公开(公告)号：US3375232A
公开(公告)日：1968-03-26
申请号：US43316765
申请日：1965-02-16
申请人： NORTON CO
发明人： PIKE ROSCOE A , MARTIN RANDELL E
IPC分类号： C08G75/02
CPC分类号： C08G75/0231 , C08G75/0263
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公开(公告)号：US3367743A
公开(公告)日：1968-02-06
申请号：US9668161
申请日：1961-03-20
申请人： NORTON CO
发明人： BEN MATCHEN
CPC分类号： C04B35/5622 , C01B32/914 , C01B35/04 , C01P2004/34 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C04B35/58078 , C04B2235/3244 , C04B2235/3409 , C04B2235/3821 , C04B2235/421 , C04B2235/422 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/722
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公开(公告)号：US3345095A
公开(公告)日：1967-10-03
申请号：US50156665
申请日：1965-10-22
申请人： NORTON CO
发明人： HOHENBERGER JOHN H
CPC分类号： F16B7/0413 , E04G7/20 , Y10T403/55 , Y10T403/606
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公开(公告)号：US3344657A
公开(公告)日：1967-10-03
申请号：US48634165
申请日：1965-09-10
申请人： NORTON CO
发明人： COES JR LORING
CPC分类号： G01B5/0014 , G01B13/08
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