公开(公告)号：US20100166231A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12655375

申请日：2009-12-30

申请人： Kai-Li Jiang ,  Lin Xiao ,  Zhuo Chen ,  Chen Feng ,  Liang Liu ,  Peng Liu ,  Li Qian ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

发明人： Kai-Li Jiang ,  Lin Xiao ,  Zhuo Chen ,  Chen Feng ,  Liang Liu ,  Peng Liu ,  Li Qian ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H04R25/00

CPC分类号： H04R23/002 ,  B82Y30/00

摘要： A thermoacoustic device includes a substrate, at least one first electrode, at least one second electrode and a sound wave generator. The at least one first electrode and the at least one second electrode are disposed on the substrate. The sound wave generator is contacting with the at least one first electrode and the at least one second electrode. The sound wave generator is suspended on the substrate via the first electrode and the second electrode. The sound wave generator includes a carbon nanotube structure.

摘要翻译： 热声装置包括衬底，至少一个第一电极，至少一个第二电极和声波发生器。 所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极设置在所述基板上。 声波发生器与至少一个第一电极和至少一个第二电极接触。 声波发生器经由第一电极和第二电极悬挂在基板上。 声波发生器包括碳纳米管结构。

公开(公告)号：US20100124646A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12583391

申请日：2009-08-20

申请人： Kai-Li Jiang ,  Chen Feng ,  Lin Xiao ,  Zhuo Chen ,  Liang Liu ,  Shou-Shan Fan ,  Qun-Qing Li ,  Li Qian ,  Kai Liu ,  Yang Wei

发明人： Kai-Li Jiang ,  Chen Feng ,  Lin Xiao ,  Zhuo Chen ,  Liang Liu ,  Shou-Shan Fan ,  Qun-Qing Li ,  Li Qian ,  Kai Liu ,  Yang Wei

IPC分类号： C01B31/00 ,  D01F9/12 ,  B32B9/00

CPC分类号： G06F3/045 ,  B82Y30/00 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/30

摘要： A carbon nanotube film includes a plurality of first carbon nanotubes and a plurality of second carbon nanotubes. The first carbon nanotubes are orientated primarily along a same direction. The second carbon nanotubes have different orientations from that of the plurality of first carbon nanotubes. Each of at least one portion of the second carbon nanotubes contacts with at least two adjacent first carbon nanotubes.

摘要翻译： 碳纳米管膜包括多个第一碳纳米管和多个第二碳纳米管。 第一碳纳米管主要沿相同的方向取向。 第二碳纳米管具有与多个第一碳纳米管不同的取向。 第二碳纳米管的至少一部分中的每一个与至少两个相邻的第一碳纳米管接触。

公开(公告)号：US20100123267A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12583429

申请日：2009-08-20

申请人： Kai-Li Jiang ,  Chen Feng ,  Lin Xiao ,  Zhuo Chen ,  Liang Liu ,  Shou-Shan Fan ,  Qun-Qing Li ,  Li Qian ,  Kai Liu ,  Yang Wei

发明人： Kai-Li Jiang ,  Chen Feng ,  Lin Xiao ,  Zhuo Chen ,  Liang Liu ,  Shou-Shan Fan ,  Qun-Qing Li ,  Li Qian ,  Kai Liu ,  Yang Wei

IPC分类号： B29C55/00

CPC分类号： B29C55/04 ,  B29K2105/162 ,  D02J1/22

摘要： A method for stretching a carbon nanotube film includes providing one or more carbon nanotube films and one or more elastic supporters, attaching at least one portion of the one or more carbon nanotube films to the one or more elastic supporters, and stretching the elastic supporters.

摘要翻译： 拉伸碳纳米管膜的方法包括提供一个或多个碳纳米管膜和一个或多个弹性支撑体，将一个或多个碳纳米管膜的至少一部分附着到一个或多个弹性支撑体上，并拉伸弹性支撑体。

公开(公告)号：US20100085729A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12584419

申请日：2009-09-03

申请人： Kai-Li Jiang ,  Chen Feng ,  Lin Xiao ,  Zhuo Chen ,  Liang Liu ,  Shou-Shan Fan ,  Qun-Qing Li ,  Li Qian

发明人： Kai-Li Jiang ,  Chen Feng ,  Lin Xiao ,  Zhuo Chen ,  Liang Liu ,  Shou-Shan Fan ,  Qun-Qing Li ,  Li Qian

IPC分类号： H04M1/22 ,  F21S8/08

CPC分类号： F21V33/0056 ,  H04R1/028 ,  H04R23/002

摘要： An illuminating device includes a holding element, a light source, and an acoustic member. The acoustic member includes a carbon nanotube structure.

摘要翻译： 照明装置包括保持元件，光源和声学构件。 声学构件包括碳纳米管结构。

公开(公告)号：US20100073322A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12459557

申请日：2009-07-02

申请人： Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

发明人： Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： G06F3/044 ,  G06F3/041

CPC分类号： G06F3/045

摘要： A desktop computer includes a body, a display and a touch panel. The display is connected to the body by a data wire. The display includes a display screen. The touch panel includes at least one transparent conductive layer including a carbon nanotube structure.

摘要翻译： 台式计算机包括主体，显示器和触摸面板。 显示器通过数据线连接到主体。 显示器包括显示屏幕。 触摸面板包括至少一个包括碳纳米管结构的透明导电层。

公开(公告)号：US20090297732A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12291305

申请日：2008-11-06

申请人： Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Liang Liu ,  Shou-Shan Fan

发明人： Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Liang Liu ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/26 ,  C23C14/34 ,  B05D3/00

CPC分类号： C23C16/56 ,  B01J23/745 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26 ,  Y10S977/843

摘要： A method for making a carbon nanotube film, the method comprising the following steps of: (a) supplying a substrate; (b) forming at least one strip-shaped catalyst film on the substrate, a width of the strip-shaped catalyst films ranging from approximately 1 micrometer to 20 micrometers; (c) growing at least one strip-shaped carbon nanotube array on the substrate using a chemical vapor deposition method; and (d) causing the at least one strip-shaped carbon nanotube array to fold along a direction parallel to a surface of the substrate, thus forming at least one carbon nanotube film.

摘要翻译： 一种制造碳纳米管膜的方法，该方法包括以下步骤：（a）供给基材; （b）在基底上形成至少一个条状催化剂膜，条形催化剂膜的宽度为约1微米至20微米; （c）使用化学气相沉积法在衬底上生长至少一个带状碳纳米管阵列; 和（d）使所述至少一个带状碳纳米管阵列沿着与所述基板的表面平行的方向折叠，从而形成至少一个碳纳米管膜。

公开(公告)号：US20090291534A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12384241

申请日：2009-04-02

申请人： Qun-Qing Li ,  Xue-Shen Wang ,  Kai-Li Jiang ,  Shou-Shan Fan

发明人： Qun-Qing Li ,  Xue-Shen Wang ,  Kai-Li Jiang ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6675 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541

摘要： A method for making a thin film transistor, the method comprising the steps of: providing an insulating substrate; forming a carbon nanotube layer on the insulating substrate, the carbon nanotube layer includes a plurality of carbon nanotubes; applying a source electrode and a drain electrode spaced from each other and electrically connected to two opposite ends of at least one of carbon nanotubes; covering the carbon nanotube layer with an insulating layer; and placing a gate electrode on the insulating layer, the gate electrode being opposite to and electrically insulated from the carbon nanotube layer by the insulating layer.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：提供绝缘基板; 在所述绝缘基板上形成碳纳米管层，所述碳纳米管层包含多个碳纳米管; 施加彼此间隔开的电极和漏电极，并与至少一个碳纳米管的两个相对端电连接; 用绝缘层覆盖碳纳米管层; 并且在所述绝缘层上放置栅电极，所述栅电极与所述绝缘层相对并与所述碳纳米管层电绝缘。

公开(公告)号：US20090283753A1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：US12384293

申请日：2009-04-02

申请人： Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

发明人： Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L51/0558 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin film transistor includes a source electrode, a drain electrode, a semiconducting layer, and a gate electrode. The drain electrode is spaced from the source electrode. The semiconducting layer is electrically connected to the source electrode and the drain electrode. The semiconductor layer comprises a plurality of carbon nanotubes. A semiconductor layer comprising a plurality of carbon nanotubes electrically connected to the source electrode and the drain electrode, the plurality of carbon nanotubes having almost the same length are substantially parallel to each other and are joined side by side via van der Waals attractive force therebetween. The gate electrode is insulated from the source electrode, the drain electrode, and the semiconducting layer by an insulating layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括源电极，漏电极，半导体层和栅电极。 漏电极与源电极间隔开。 半导电层电连接到源电极和漏电极。 半导体层包括多个碳纳米管。 包含与源电极和漏电极电连接的多个碳纳米管的半导体层，具有几乎相同长度的多个碳纳米管基本上彼此平行并且通过其间的范德华力的吸引力并排连接。 栅电极通过绝缘层与源电极，漏电极和半导体层绝缘。

公开(公告)号：US20090258163A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12291299

申请日：2008-11-06

申请人： Hai-Lin Sun ,  Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

发明人： Hai-Lin Sun ,  Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： C23C16/513 ,  B05D1/36 ,  B05D3/00 ,  C23C16/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

CPC分类号： C01B33/06 ,  C30B23/00 ,  C30B29/10 ,  C30B29/60

摘要： A method for making nickel silicide nano-wire, the method includes the following steps. Firstly, providing a silicon substrate and a growing device, and the growing device including a reacting room. Secondly, forming a silicon dioxide layer on a surface of the silicon substrate. Thirdly, forming a titanium layer on the silicon dioxide layer. Fourthly, placing the silicon substrate into the reacting room, and heating the reacting room to a temperature of 500˜1000° C. Finally, forming a plurality of nickel cluster onto the surface of the silicon substrate.

摘要翻译： 一种制造硅化镍纳米线的方法，该方法包括以下步骤。 首先，提供硅衬底和生长装置，并且生长装置包括反应室。 其次，在硅衬底的表面上形成二氧化硅层。 第三，在二氧化硅层上形成钛层。 第四，将硅衬底放入反应室中，并将反应室加热到500〜1000℃的温度。最后，在硅衬底的表面上形成多个镍簇。

公开(公告)号：US20090255459A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12286217

申请日：2008-09-29

申请人： Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

发明人： Kai-Li Jiang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

IPC分类号： C30B25/10

CPC分类号： C01G9/03 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/13

摘要： A method for making zinc oxide nano-structure, the method includes the following steps. Firstly, providing a growing device, the growing device comprising a heating apparatus and a reacting room. Secondly, providing a growing substrate and forming a metal layer thereon. Thirdly, depositing a catalyst layer on the metal layer. Fourthly, placing the growing substrate into the reacting room together with a quantity of zinc source material. Fifthly, introducing a oxygen-containing gas into the reacting room. Lastly, heating the reacting room to a temperature range of 500˜1100° C.

摘要翻译： 一种制备氧化锌纳米结构的方法，该方法包括以下步骤。 首先，提供增长装置，该生长装置包括加热装置和反应室。 其次，提供生长的衬底并在其上形成金属层。 第三，在金属层上沉积催化剂层。 第四，将生长的基材与一定量的锌源材料一起放置在反应室中。 第五，向反应室中引入含氧气体。 最后，将反应室加热至500〜1100℃的温度范围。