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    Interference-aware assignment of programming levels in analog memory cells
    61.
    发明授权
    Interference-aware assignment of programming levels in analog memory cells 有权
    模拟存储器单元中编程级别的干扰感知分配

    公开(公告)号：US08595591B1

    公开(公告)日：2013-11-26

    申请号：US13176761

    申请日：2011-07-06

    申请人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer ,  Ronen Dar ,  Micha Anholt

    发明人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer ,  Ronen Dar ,  Micha Anholt

    IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C11/34 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/34 ,  G06F11/1008 ,  G11C11/5628 ,  G11C27/005 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2211/5641

    摘要： A method for data storage includes accepting data for storage in a memory including multiple analog memory cells. For each memory cell, a respective set of nominal analog values is assigned for representing data values to be stored in the memory cell, by choosing the nominal analog values for a given memory cell in a respective range that depends on interference between the given memory cell and at least one other memory cell in the memory. The data is stored in each memory cell using the respective selected set of the nominal analog values.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括接收用于存储在包括多个模拟存储器单元的存储器中的数据。 对于每个存储器单元，通过在取决于给定存储器单元之间的干扰的相应范围内选择给定存储器单元的额定模拟值，分配相应的一组标称模拟值来表示要存储在存储单元中的数据值 以及存储器中的至少一个其它存储单元。 使用相应选定的标称模拟值集合将数据存储在每个存储单元中。

    DISTORTION ESTIMATION AND CANCELLATION IN MEMORY DEVICES
    63.
    发明申请
    DISTORTION ESTIMATION AND CANCELLATION IN MEMORY DEVICES 有权
    存储器件中的失真估计和消除

    公开(公告)号：US20120026789A1

    公开(公告)日：2012-02-02

    申请号：US13239411

    申请日：2011-09-22

    申请人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer ,  Eyal Gurgi ,  Ariel Maislos

    发明人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer ,  Eyal Gurgi ,  Ariel Maislos

    IPC分类号： G11C16/06

    CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F11/1016 ,  G11C16/26

    摘要： A method for operating a memory (28) includes storing data in a group of analog memory cells (32) of the memory as respective first voltage levels. After storing the data, second voltage levels are read from the respective analog memory cells. The second voltage levels are affected by cross-coupling interference causing the second voltage levels to differ from the respective first voltage levels. Cross-coupling coefficients, which quantify the cross-coupling interference among the analog memory cells, are estimated by processing the second voltage levels. The data stored in the group of analog memory cells is reconstructed from the read second voltage levels using the estimated cross-coupling coefficients.

    摘要翻译： 用于操作存储器（28）的方法包括将存储器的一组模拟存储器单元（32）中的数据存储为相应的第一电压电平。 在存储数据之后，从相应的模拟存储器单元读取第二电压电平。 第二电压电平受到交叉耦合干扰的影响，导致第二电压电平与相应的第一电压电平不同。 通过处理第二电压电平来估计量化模拟存储器单元之间的交叉耦合干扰的交叉耦合系数。 使用估计的交叉耦合系数，从读取的第二电压电平重建存储在模拟存储器单元组中的数据。

    Memory cell readout using successive approximation
    64.
    发明授权
    Memory cell readout using successive approximation 有权
    使用逐次逼近的存储单元读数

    公开(公告)号：US07821826B2

    公开(公告)日：2010-10-26

    申请号：US11995805

    申请日：2007-10-30

    申请人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer

    发明人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C7/16 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/24 ,  G11C27/005

    摘要： A method for operating a memory (20) includes storing analog values in an array of analog memory cells (22), so that each of the analog memory cells holds an analog value corresponding to at least first and second respective bits. A first indication of the analog value stored in a given analog memory cell is obtained using a first set of sampling parameters. A second indication of the analog value stored in the given analog memory cell is obtained using a second set of sampling parameters, which is dependent upon the first indication. The first and second respective bits are read out from the given analog memory cell responsively to the first and second indications.

    摘要翻译： 一种用于操作存储器（20）的方法包括将模拟值存储在模拟存储器单元（22）的阵列中，使得每个模拟存储器单元保持与至少第一和第二相应位对应的模拟值。 使用第一组采样参数获得存储在给定模拟存储器单元中的模拟值的第一指示。 使用取决于第一指示的第二组采样参数来获得存储在给定模拟存储器单元中的模拟值的第二指示。 响应于第一和第二指示，从给定的模拟存储单元读出第一和第二各自的位。

    Memory Device Programming Using Combined Shaping And Linear Spreading
    65.
    发明申请
    Memory Device Programming Using Combined Shaping And Linear Spreading 有权
    使用组合整形和线性扩展的存储器件编程

    公开(公告)号：US20080198652A1

    公开(公告)日：2008-08-21

    申请号：US11995811

    申请日：2007-05-10

    申请人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer

    发明人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C11/56 ,  G11C16/3404 ,  G11C29/00

    摘要： A method for data storage includes accepting data for storage in a memory (28) that includes multiple analog memory cells (32). The data is converted to input values. The input values are filtered using a non-linear filtering operation to produce respective shaped values, and the shaped values are converted to output values using a linear spreading transformation with coefficients chosen so that each of the shaped values contributes to at least two of the output values. The non-linear filtering operation is selected so as to reduce a size of an output range in which the output values lie. The output values are stored in the respective analog memory cells.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括接收用于存储在包括多个模拟存储器单元（32）的存储器（28）中的数据。 数据被转换为输入值。 使用非线性滤波操作来过滤输入值以产生相应的成形值，并且使用线性扩展变换将成形值转换为输出值，其中系数被选择，使得每个成形值有助于至少两个输出 价值观。 选择非线性滤波操作，以便减小输出值所在的输出范围的大小。 输出值存储在相应的模拟存储单元中。

    EFFICIENT RE-READ OPERATIONS IN ANALOG MEMORY CELL ARRAYS
    69.
    发明申请
    EFFICIENT RE-READ OPERATIONS IN ANALOG MEMORY CELL ARRAYS 有权
    在模拟存储器单元阵列中有效地重新读取操作

    公开(公告)号：US20120254696A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13523352

    申请日：2012-06-14

    申请人： Uri Perlmutter ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    发明人： Uri Perlmutter ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

    CPC分类号： G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1068 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/00 ,  H03M13/3761

    摘要： A method for data storage includes storing data, which is encoded with an Error Correction Code (ECC), in a group of analog memory cells by writing respective first storage values to the memory cells in the group. After storing the data, respective second storage values are read from the memory cells in the group, and the read second storage values are processed so as to decode the ECC. Responsively to a failure in decoding the ECC, one or more of the second storage values that potentially caused the failure are identified as suspect storage values. Respective third storage values are re-read from a subset of the memory cells that includes the memory cells holding the suspect storage values. The ECC is re-decoded using the third storage values so as to reconstruct the stored data.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括通过将相应的第一存储值写入组中的存储器单元来将经错误校正码（ECC）编码的数据存储在一组模拟存储器单元中。 在存储数据之后，从组中的存储器单元读取相应的第二存储值，并且处理读取的第二存储值以便对ECC进行解码。 响应于对ECC的解码失败，可​​能导致故障的一个或多个第二存储值被识别为可疑存储值。 从包含存储可疑存储值的存储单元的存储器单元的子集重新读取相应的第三存储值。 使用第三存储值对ECC进行重新解码，以重建存储的数据。

    Efficient re-read operations from memory devices
    70.
    发明申请
    Efficient re-read operations from memory devices 有权
    从存储器设备高效重新读取操作

    公开(公告)号：US20090144600A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：US12323544

    申请日：2008-11-26

    申请人： Uri Perlmutter ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    发明人： Uri Perlmutter ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi

    IPC分类号： G11C29/52 ,  G06F11/10

    CPC分类号： G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1068 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/00 ,  H03M13/3761

    摘要： A method for data storage includes storing data, which is encoded with an Error Correction Code (ECC), in a group of analog memory cells by writing respective first storage values to the memory cells in the group. After storing the data, respective second storage values are read from the memory cells in the group, and the read second storage values are processed so as to decode the ECC.Responsively to a failure in decoding the ECC, one or more of the second storage values that potentially caused the failure are identified as suspect storage values. Respective third storage values are re-read from a subset of the memory cells that includes the memory cells holding the suspect storage values. The ECC is re-decoded using the third storage values so as to reconstruct the stored data.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括通过将相应的第一存储值写入组中的存储器单元来将经错误校正码（ECC）编码的数据存储在一组模拟存储器单元中。 在存储数据之后，从组中的存储器单元读取相应的第二存储值，并且处理读取的第二存储值以便对ECC进行解码。 响应于对ECC的解码失败，可​​能导致故障的一个或多个第二存储值被识别为可疑存储值。 从包含存储可疑存储值的存储单元的存储器单元的子集重新读取相应的第三存储值。 使用第三存储值对ECC进行重新解码，以重建存储的数据。