公开(公告)号：US20140281725A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US13835985

申请日：2013-03-15

申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： John P. Karidis ,  Luis A. Lastras

IPC分类号： G06F11/07

CPC分类号： G06F11/0751 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/00 ,  G11C29/42 ,  G11C29/44

摘要： A method for detecting memory cells that are stuck in a physical state. The method includes performing a diagnostic read of a memory cell in a memory system. The memory system is configured to utilize at least one read threshold value to determine a read data value stored in the memory cell when performing a data read operation on the memory cell. Performing the diagnostic read includes: comparing a measurement property of the memory cell to at least one diagnostic threshold value, where at least one of the diagnostic threshold values is different from all of the read threshold values; and identifying the memory cell as being stuck in a physical state based on the comparing. Based on identifying the memory cell as being stuck in a physical state, an indication that memory cell is stuck is output along with a diagnostic data value associated with the physical state.

摘要翻译： 一种用于检测卡在物理状态的存储单元的方法。 该方法包括对存储器系统中的存储器单元进行诊断读取。 存储器系统被配置为当对存储器单元执行数据读取操作时，利用至少一个读取阈值来确定存储在存储器单元中的读取数据值。 执行诊断读取包括：将存储器单元的测量属性与至少一个诊断阈值进行比较，其中至少一个诊断阈值与所有读取的阈值不同; 以及基于所述比较将所述存储器单元识别为处于物理状态。 基于将存储器单元识别为处于物理状态，存储单元被卡住的指示与与物理状态相关联的诊断数据值一起输出。

公开(公告)号：US08839072B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13297972

申请日：2011-11-16

申请人： Atsushi Uchida ,  Terumasa Haneda ,  Yoko Kawano ,  Emi Cho

发明人： Atsushi Uchida ,  Terumasa Haneda ,  Yoko Kawano ,  Emi Cho

IPC分类号： G11C29/00 ,  H03M13/00 ,  G06F11/10 ,  G11C29/02 ,  G11C29/04 ,  H03M13/15 ,  G11C16/00

CPC分类号： G06F11/1012 ,  G11C16/00 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/1515

摘要： An access control apparatus for controlling an access to a storage device, the access control apparatus includes a measuring unit configured to measure the time to erase data stored in the storage device, and a determination unit configured to determine a data size of an error correcting code added to data stored in the storage device in accordance with the time measured by the measuring unit. The access control apparatus includes a generation unit configured to generate the error correcting code having the data size determined by the determination unit, and an access controller configured to write the data and the error correcting code generated by the generation unit into the storage device.

摘要翻译： 一种用于控制对存储装置的访问的访问控制装置，所述访问控制装置包括：测量单元，被配置为测量擦除存储在所述存储装置中的数据的时间;以及确定单元，被配置为确定纠错码的数据大小 根据由测量单元测量的时间，存储在存储设备中的数据。 访问控制装置包括：生成单元，被配置为生成具有由确定单元确定的数据大小的纠错码;以及访问控制器，被配置为将由生成单元生成的数据和纠错码写入存储装置。

公开(公告)号：US20140237298A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：US13773570

申请日：2013-02-21

申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.

发明人： Assaf Pe'er

IPC分类号： G11C29/10

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/00 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2211/5621

摘要： Methods, systems, and computer readable media for early detection of potential flash failures using an adaptive system level algorithm based on NAND program verify are disclosed. According to one aspect, a method for early detection of potential flash failures using an adaptive system level algorithm based on NAND program verify includes performing a program verify operation after a write to a non-volatile memory, where the program verify mechanism reports a pass or fail based on an existing measurement threshold value, and dynamically adjusting the measurement threshold value used by subsequent program verify operations based on the results of previous program verify operations.

摘要翻译： 公开了使用基于NAND程序验证的自适应系统级算法来早期检测潜在闪存故障的方法，系统和计算机可读介质。 根据一个方面，一种使用基于NAND程序验证的自适应系统级算法来早期检测潜在闪存故障的方法包括在写入非易失性存储器之后执行程序验证操作，其中程序验证机制报告通过或 基于现有测量阈值失效，并且基于先前的程序验证操作的结果动态地调整后续程序验证操作所使用的测量阈值。

公开(公告)号：US20140215126A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US13754137

申请日：2013-01-30

申请人： SAN DISK TECHNOLOGIES INC.

发明人： Chris Nga Yee Avila ,  Yinda Dong ,  Lee M. Gavens

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F3/064 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0246 ,  G06F2003/0695 ,  G11C7/1006 ,  G11C16/00

摘要： In a nonvolatile memory array, such as a three-dimensional array of charge-storage memory cells, data is randomized so that data of different strings along the same bit line are randomized using different keys and portions of data along neighboring word lines are randomized using different keys. Keys may be rotated so that data of a particular word line is randomized according to different keys in different strings.

摘要翻译： 在诸如电荷存储存储器单元的三维阵列的非易失性存储器阵列中，数据被随机化，使得沿着相同位线的不同串的数据使用不同的键被随机化，并且沿着相邻字线的数据部分被随机化，使用 不同的键 键可以旋转，使得特定字线的数据根据​​不同字符串中的不同键被随机化。

公开(公告)号：US20140208046A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：US13748260

申请日：2013-01-23

申请人： LSI CORPORATION

发明人： Leonid Baryudin ,  Earl T. Cohen

IPC分类号： G06F12/12 ,  G06F12/02

CPC分类号： G11C16/00 ,  G06F3/0605 ,  G06F3/0644 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/20 ,  G06F12/0246

摘要： Described embodiments detect an impending out-of-space (OOS) condition of a media. On startup, a media controller determines whether an impending OOS indicator is set from a previous startup. If the impending OOS indicator is not set, it is determined whether a free pool size has reached a threshold. The free pool is blocks of the solid-state media available to be written with data. If the free pool size has not reached the first threshold, while the startup time is less than a maximum startup time, garbage collection is performed on the solid-state media to accumulate blocks to the free pool. If the startup time reaches the maximum startup time and the free pool size has not reached the threshold, the impending OOS indicator is set and the media is operated in impending OOS mode. Otherwise, if the free pool size reaches the threshold, the media is operated in normal mode.

摘要翻译： 描述的实施例检测媒体的即将消失的空间（OOS）状况。 在启动时，媒体控制器确定是否从先前的启动设置即将发生的OOS指示符。 如果即将发生的OOS指示符未设置，则确定空闲池大小是否达到阈值。 可用池是可用数据写入的固态媒体块。 如果可用池大小尚未达到第一个阈值，而启动时间小于最大启动时间，则在固态介质上执行垃圾收集，以将块累积到可用池。 如果启动时间达到最大启动时间，可用池大小尚未达到阈值，则即将发生的OOS指示灯设置，媒体即将进入OOS模式。 否则，如果空闲池大小达到阈值，介质将以正常模式运行。

公开(公告)号：US20140173172A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US13757771

申请日：2013-02-02

申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.

发明人： NIAN NILES YANG ,  RYAN TAKAFUJI ,  SEUNGJUNE JEON ,  CHRIS AVILA ,  STEVEN SPROUSE

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C16/00 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： A method includes reading a representation of tracking data from at least a portion of a non-volatile memory. The method further includes adjusting a read voltage based on a comparison between a number of bits in tracking data as compared to a count of bits in the representation of the tracking data.

摘要翻译： 一种方法包括从非易失性存储器的至少一部分读取跟踪数据的表示。 该方法还包括基于跟踪数据的表示中的位计数相比，基于跟踪数据中的比特数之间的比较来调整读取电压。

公开(公告)号：US20140160869A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：US14180621

申请日：2014-02-14

申请人： CHEN HE ,  Richard K. Eguchi ,  Yanzhuo Wang

发明人： CHEN HE ,  Richard K. Eguchi ,  Yanzhuo Wang

IPC分类号： G11C5/14

CPC分类号： G11C5/14 ,  G11C16/00 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/4401 ,  G11C2029/0409

摘要： A non-volatile memory built-in self-trim mechanism is provided by which product reliability can be improved by minimizing drift of reference current used for accessing the non-volatile memory and for performing initial trimming of the reference current. Embodiments perform these tasks by using an analog-to-digital converter to provide a digital representation of the reference current (Iref) and then comparing that digital representation to a stored target range value for Iref and then adjusting a source of Iref accordingly. For a reference current generated by a NVM reference bitcell, program or erase pulses are applied to the reference cell as part of the trimming procedure. For a reference current generated by a bandgap-based circuit, the comparison results can be used to adjust the reference current circuit. In addition, environmental factors, such as temperature, can be used to adjust the measured value for the reference current or the target range value.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器内置自修整机制，通过使用于访问非易失性存储器的参考电流的漂移最小化以及对基准电流进行初始修整，可以提高产品的可靠性。 实施例通过使用模拟 - 数字转换器来提供参考电流（Iref）的数字表示，然后将该数字表示与存储的Iref的目标范围值进行比较，然后相应地调整Iref的来源来执行这些任务。 对于由NVM参考位单元产生的参考电流，编程或擦除脉冲作为修整过程的一部分被施加到参考单元。 对于由带隙电路产生的参考电流，可以使用比较结果来调整参考电流电路。 此外，可以使用诸如温度的环境因素来调整参考电流或目标范围值的测量值。

公开(公告)号：US08707104B1

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US13297089

申请日：2011-11-15

申请人： Sebastien A. Jean

发明人： Sebastien A. Jean

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： G06F11/2215 ,  G06F11/0793 ,  G06F11/1048 ,  G11C16/00 ,  G11C29/12 ,  G11C29/38

摘要： Embodiments of the solid-state storage system provided herein are configured to perform improved mechanisms for testing of error recovery of solid state storage devices. In some embodiments, the system is configured to introduce or inject errors into data storage commands or operations performed in the non-volatile memory. Injected errors include corruption of data stored in the non-volatile memory, deliberate failure to execute storage operations, and errors injected into communication protocols used between various elements of the device. In some embodiments, injected errors can include direct errors that trigger an immediate execution of error recovery mechanisms and delayed errors that trigger execution of error recovery mechanisms at a later time. Error recovery mechanisms can be tested in an efficient, reliable, and deterministic manner to help ensure effective operation of storage devices. The integrity of non-volatile memory can also be tested.

摘要翻译： 本文提供的固态存储系统的实施例被配置为执行用于测试固态存储设备的错误恢复的改进机制。 在一些实施例中，系统被配置为将错误引入或注入到在非易失性存储器中执行的数据存储命令或操作中。 注入的错误包括存储在非易失性存储器中的数据的损坏，故意执行存储操作的故障以及注入到设备的各种元件之间使用的通信协议中的错误。 在一些实施例中，注入的错误可以包括触发立即执行错误恢复机制的直接错误和在稍后时间触发错误恢复机制的执行的延迟错误。 可以以有效，可靠和确定性的方式测试错误恢复机制，以帮助确保存储设备的有效运行。 也可以测试非易失性存储器的完整性。

公开(公告)号：US20140095110A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US13632294

申请日：2012-10-01

申请人： LSI CORPORATION

发明人： Zhengang Chen ,  Erich F. Haratsch

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G11C29/021 ,  G11C16/00 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/0409

摘要： An apparatus having a first circuit and a second circuit is disclosed. The first circuit may be configured to generate statistics of a region of a memory circuit as part of a read scrub of the region. The region may have multiple units of data. The memory circuit may be configured to store the data in a nonvolatile condition. The second circuit is generally configured to (i) track one or more parameters of the region based on the statistics, (ii) determine when one or more of the statistics of one or more outliers of the units in the region exceeds a corresponding threshold and (iii) track the parameters of the outlier units separately from the parameters of the region in response to exceeding the corresponding threshold. The parameters generally control one or more reference voltages used to read the data from the region.

摘要翻译： 公开了一种具有第一电路和第二电路的装置。 第一电路可以被配置为生成存储器电路的区域的统计，作为该区域的读取擦除的一部分。 该区域可以具有多个数据单元。 存储器电路可以被配置为将数据存储在非易失性状态中。 第二电路通常被配置为（i）基于统计信息来跟踪该区域的一个或多个参数，（ii）确定该区域中的一个或多个异常值的一个或多个异常值的一个或多个异常值的一个或多个超过相应的阈值， （iii）响应于超过相应的阈值，与该区域的参数分开跟踪异常值单元的参数。 这些参数通常控制用于从该区域读取数据的一个或多个参考电压。

公开(公告)号：US08687428B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13286175

申请日：2011-10-31

申请人： Chen He ,  Richard K. Eguchi ,  Yanzhuo Wang

发明人： Chen He ,  Richard K. Eguchi ,  Yanzhuo Wang

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C5/14 ,  G11C16/00 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/4401 ,  G11C2029/0409

摘要： A non-volatile memory built-in self-trim mechanism is provided by which product reliability can be improved by minimizing drift of reference current used for accessing the non-volatile memory and for performing initial trimming of the reference current. Embodiments perform these tasks by using an analog-to-digital converter to provide a digital representation of the reference current (Iref) and then comparing that digital representation to a stored target range value for Iref and then adjusting a source of Iref accordingly. For a reference current generated by a NVM reference bitcell, program or erase pulses are applied to the reference cell as part of the trimming procedure. For a reference current generated by a bandgap-based circuit, the comparison results can be used to adjust the reference current circuit. In addition, environmental factors, such as temperature, can be used to adjust the measured value for the reference current or the target range value.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器内置自修整机制，通过使用于访问非易失性存储器的参考电流的漂移最小化以及对基准电流进行初始修整，可以提高产品的可靠性。 实施例通过使用模拟 - 数字转换器来提供参考电流（Iref）的数字表示，然后将该数字表示与存储的Iref的目标范围值进行比较，然后相应地调整Iref的来源来执行这些任务。 对于由NVM参考位单元产生的参考电流，编程或擦除脉冲作为修整过程的一部分被施加到参考单元。 对于由带隙电路产生的参考电流，可以使用比较结果来调整参考电流电路。 此外，可以使用诸如温度的环境因素来调整参考电流或目标范围值的测量值。