公开(公告)号：US20100330795A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12872522

申请日：2010-08-31

申请人： Wei D. Wang ,  Srinivas Gandikota ,  Kishore Lavu

发明人： Wei D. Wang ,  Srinivas Gandikota ,  Kishore Lavu

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/768

CPC分类号： C23C14/16 ,  C23C14/0641 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/4941

摘要： A method of depositing a bilayer of tungsten over tungsten nitride by a plasma sputtering process in which krypton is used as the sputter working gas during the tungsten deposition. Argon may be used as the sputtering working gas during the reactive sputtering deposition of tungsten nitride. The beneficial effect of reduction of tungsten resistivity is increased when the thickness of the tungsten layer is less than 50 nm and further increased when less than 35 nm. The method may be used in forming a gate stack including a polysilicon layer over a gate oxide layer over a silicon gate region of a MOS transistor in which the tungsten nitride acts as a barrier. A plasma sputter chamber in which the invention may be practiced includes gas sources of krypton, argon, and nitrogen.

摘要翻译： 通过等离子体溅射工艺在钨沉积中使用氪作为溅射工作气体的钨沉积钨层的方法。 在氮化钨的反应溅射沉积期间，可以使用氩作为溅射工作气体。 当钨层的厚度小于50nm时，降低钨电阻率的有益效果增加，当小于35nm时，钨电阻率的降低进一步增加。 该方法可以用于在MOS晶体管的硅栅极区域上的栅极氧化物层上形成包括多晶硅层的栅极堆叠，其中氮化钨作为势垒。 可以实施本发明的等离子体溅射室包括氪气，氩气和氮气的气源。

公开(公告)号：US20090118881A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12240145

申请日：2008-09-29

申请人： Stephen T. West ,  Wei D. Wang ,  Hanne Buur

发明人： Stephen T. West ,  Wei D. Wang ,  Hanne Buur

IPC分类号： G06F17/00 ,  B60W20/00

CPC分类号： B60W10/08 ,  B60L2240/421 ,  B60L2240/423 ,  B60L2240/441 ,  B60W20/11 ,  B60W2510/0638 ,  B60W2510/081 ,  B60W2510/083 ,  B60W2530/14 ,  B60W2710/083 ,  Y02T10/642

摘要： A diagnostic system for a hybrid vehicle comprises a processor module and a motor control module. The processor module outputs a seed value. The motor control module controls torque output by an electric motor of the hybrid vehicle, receives the seed value, generates a final key value based on the seed value, and outputs the final key value to the processor module.

摘要翻译： 用于混合动力车辆的诊断系统包括处理器模块和马达控制模块。 处理器模块输出种子值。 马达控制模块控制混合动力车辆的电动马达的转矩输出，接收种子值，根据种子值生成最终的钥匙值，并将最终的钥匙值输出到处理器模块。

公开(公告)号：US06485618B2

公开(公告)日：2002-11-26

申请号：US09917985

申请日：2001-07-30

申请人： Praburam Gopalraja ,  Jianming Fu ,  Fusen Chen ,  Girish Dixit ,  Zheng Xu ,  Sankaram Athreya ,  Wei D. Wang ,  Ashok K. Sinha

发明人： Praburam Gopalraja ,  Jianming Fu ,  Fusen Chen ,  Girish Dixit ,  Zheng Xu ,  Sankaram Athreya ,  Wei D. Wang ,  Ashok K. Sinha

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： H01L21/76844 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3458 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

摘要： A target and magnetron for a plasma sputter reactor. The target has an annular vault facing the wafer to be sputter coated. Various types of magnetic means positioned around the vault create a magnetic field supporting a plasma extending over a large volume of the vault. An integrated copper via filling process includes a first step of highly ionized sputter deposition of copper, a second step of more neutral, lower-energy sputter deposition of copper to complete the seed layer, and electroplating copper into the hole to complete the metallization.

摘要翻译： 用于等离子体溅射反应器的靶和磁控管。 目标具有面向待溅射涂覆的晶片的环形保险库。 位于拱顶周围的各种类型的磁性装置产生一个支撑等离子体的磁场，该等离子体延伸在大容积的拱顶上。 集成的铜通孔填充工艺包括铜的高度电离溅射沉积的第一步骤，更中性的，更低能量的溅射沉积铜以完成种子层的第二步骤，以及将铜电镀到孔中以完成金属化。