公开(公告)号：US07795680B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11952947

申请日：2007-12-07

申请人： Huang Liu ,  Alex K. H. See ,  James Lee ,  Johnny Widodo ,  Chung Woh Lai ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

发明人： Huang Liu ,  Alex K. H. See ,  James Lee ,  Johnny Widodo ,  Chung Woh Lai ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823807

摘要： An integrated circuit system that includes: providing a substrate; depositing a dielectric on the substrate; depositing an isolation dielectric on the dielectric; forming a trench through the isolation dielectric and the dielectric to expose the substrate; depositing a dielectric liner over the integrated circuit system; processing the dielectric liner to form a trench spacer; and depositing an epitaxial growth within the trench that includes a crystalline orientation that is substantially identical to the substrate.

摘要翻译： 一种集成电路系统，包括：提供衬底; 在基板上沉积电介质; 在电介质上沉积隔离电介质; 通过隔离电介质和电介质形成沟槽以露出衬底; 在所述集成电路系统上沉积电介质衬垫; 处理介电衬垫以形成沟槽间隔物; 以及在所述沟槽内沉积外延生长，其包括基本上与所述衬底相同的晶体取向。

公开(公告)号：US20100057737A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12548281

申请日：2009-08-26

申请人： Anand Srinivasan ,  Rakesh Komuravelli ,  Shailendra Mishra

发明人： Anand Srinivasan ,  Rakesh Komuravelli ,  Shailendra Mishra

IPC分类号： G06F17/30 ,  G06F9/44

CPC分类号： G06K9/62

摘要： Techniques for detecting non-occurrence of an event within a time period following the occurrence of another event. In one embodiment, language extensions are provided to a language that enable queries to be formulated for detecting non-occurrences using that language.

摘要翻译： 在发生另一事件之后的时间段内检测事件的不发生的技术。 在一个实施例中，语言扩展被提供给使得能够制定用于使用该语言检测非事件的查询的语言。

公开(公告)号：US20100009527A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12172724

申请日：2008-07-14

申请人： Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Huang Liu ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Johnny Widodo ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

发明人： Yong Meng Lee ,  Chung Woh Lai ,  Huang Liu ,  Wenzhi Gao ,  Zhao Lun ,  Johnny Widodo ,  Shailendra Mishra ,  Liang-Choo Hsia

IPC分类号： H01L21/266

CPC分类号： H01L21/2652 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892

摘要： A method for manufacturing an integrated circuit system that includes: providing a substrate; forming a mask layer over the substrate; implanting a first well through an opening in the mask layer into the substrate; and implanting a second well through the mask layer and the opening via a single implant into the substrate.

摘要翻译： 一种集成电路系统的制造方法，包括：提供基板; 在衬底上形成掩模层; 将第一阱通过掩模层中的开口植入衬底中; 以及将第二阱通过所述掩模层和所述开口经由单个植入物注入到所述衬底中。

公开(公告)号：US20090236663A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12050956

申请日：2008-03-19

申请人： Lee Wee Teo ,  Chung Woh Lai ,  Johnny Widodo ,  Shyue Seng Tan ,  Shailendra Mishra ,  Zhao Lun ,  Yong Meng Lee ,  Jeffrey Chee

发明人： Lee Wee Teo ,  Chung Woh Lai ,  Johnny Widodo ,  Shyue Seng Tan ,  Shailendra Mishra ,  Zhao Lun ,  Yong Meng Lee ,  Jeffrey Chee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/76 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7849

摘要： A hybrid orientation substrate includes a base substrate having a first orientation, a first surface layer having a first orientation disposed on the base substrate in a first region, and a second surface layer disposed on the base substrate in a second region. The second surface layer has an upper sub-layer having a second orientation, and a lower sub-layer between the base substrate and the upper sub-layer. The lower sub-layer having a first stress induces a second stress on the upper sub-layer.

摘要翻译： 混合取向基板包括具有第一取向的基底基板，在第一区域中具有设置在基底基板上的第一取向的第一表面层和在第二区域中设置在基底基板上的第二表面层。 第二表层具有具有第二取向的上子层和在基底基板和上子层之间的下子层。 具有第一应力的下部子层在上部子层上引起第二应力。

公开(公告)号：US20080166847A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11763561

申请日：2007-06-15

申请人： Henry K. Utomo ,  Shailendra Mishra ,  Lee Wee Teo ,  Jae Gon Lee ,  Shyue Seng Tan

发明人： Henry K. Utomo ,  Shailendra Mishra ,  Lee Wee Teo ,  Jae Gon Lee ,  Shyue Seng Tan

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： Embodiments of the invention provide a method of forming a field-effect-transistor (FET). The method includes implanting one or more n-type dopants to create one or more implanted regions with at least a portion of the implanted regions being designated as regions for forming source and drain extensions of the FET; activating the implanted regions; etching with a chlorine based etchant to create openings in the implanted regions, and forming the source and drain extensions by exptaxially growing embedded silicon germanium in the openings. Structure of a semiconductor field-effect-transistor made thereof is also provided.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了形成场效应晶体管（FET）的方法。 该方法包括：注入一个或多个n型掺杂剂以产生一个或多个注入区，其中至少一部分注入区被指定为用于形成FET的源极和漏极扩展的区域; 激活植入区域; 用氯气蚀刻剂蚀刻以在注入区域中形成开口，以及通过在开口中外延生长嵌入式硅锗形成源极和漏极延伸部分。 还提供了由其制成的半导体场效应晶体管的结构。

公开(公告)号：US08447744B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12957194

申请日：2010-11-30

申请人： Alexandre de Castro Alves ,  Anand Srinivasan ,  Hoyong Park ,  Shailendra Mishra

发明人： Alexandre de Castro Alves ,  Anand Srinivasan ,  Hoyong Park ,  Shailendra Mishra

IPC分类号： G06F7/00 ,  G06F17/00 ,  G06F17/30 ,  G06F3/00 ,  G06F9/44 ,  G06F9/46 ,  G06F13/00

CPC分类号： G06F17/30516 ,  G06F17/30557

摘要： A framework for extending the capabilities of an event processing system using one or more plug-in components referred to herein as data cartridges. Generally speaking, a data cartridge is a self-contained unit of data that can be registered with an event processing system and can store information pertaining to one or more objects (referred to herein as extensible objects) that are not natively supported by the system. Examples of such extensible objects can include data types, functions, indexes, data sources, and others. By interacting with a data cartridge, an event processing system can compile and execute queries that reference extensible objects defined in the data cartridge, thereby extending the system beyond its native capabilities.

摘要翻译： 一种用于使用本文中称为数据盒的一个或多个插件组件来扩展事件处理系统的能力的框架。 一般来说，数据盒式磁带是能够向事件处理系统注册的独立的数据单元，并且可以存储与系统本身不支持的一个或多个对象（这里称为可扩展对象）有关的信息。 这种可扩展对象的示例可以包括数据类型，函数，索引，数据源等。 通过与数据盒进行交互，事件处理系统可以编译和执行引用在数据盒中定义的可扩展对象的查询，从而将系统扩展到其本机能力之外。

公开(公告)号：US08236678B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12336544

申请日：2008-12-17

申请人： Ramachandramurthy Pradeep Yelehanka ,  Shailendra Mishra ,  Sripad Nagarad

发明人： Ramachandramurthy Pradeep Yelehanka ,  Shailendra Mishra ,  Sripad Nagarad

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/76837 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A device that includes a substrate with an active region is disclosed. The device includes a gate disposed in the active region and tunable sidewall spacers on sidewalls of the gate. A profile of the tunable sidewall spacers includes upper and lower portions in which width of the spacers in the upper portion is reduced at a greater rate than the lower portion.

摘要翻译： 公开了一种包括具有有源区的衬底的器件。 该器件包括设置在有源区域中的栅极和栅极侧壁上的可调节侧壁间隔物。 可调节侧壁间隔物的轮廓包括上部和下部，其中上部中的间隔物的宽度以比下部更大的速率减小。

公开(公告)号：US07999300B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12361521

申请日：2009-01-28

申请人： Zhao Lun ,  James Yong Meng Lee ,  Lee Wee Teo ,  Shyue Seng Tan ,  Chung Woh Lai ,  Johnny Widodo ,  Shailendra Mishra ,  Jeffrey Chee

发明人： Zhao Lun ,  James Yong Meng Lee ,  Lee Wee Teo ,  Shyue Seng Tan ,  Chung Woh Lai ,  Johnny Widodo ,  Shailendra Mishra ,  Jeffrey Chee

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/11 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/1087 ,  H01L28/88 ,  H01L29/66181 ,  Y10S257/903

摘要： A memory cell includes a substrate, an access transistor and a storage capacitor. The access transistor comprising a gate stack disposed on the substrate, and a first and second diffusion region located on a first and second opposing sides of the gate stack. The storage capacitor comprises a first capacitor plate comprising a portion embedded within the substrate below the first diffusion region, a second capacitor plate and a capacitor dielectric sandwiched between the embedded portion of the first capacitor plate. At least a portion of the first diffusion region forms the second capacitor plate.

摘要翻译： 存储单元包括衬底，存取晶体管和存储电容器。 所述存取晶体管包括设置在所述衬底上的栅极堆叠，以及位于所述栅极堆叠的第一和第二相对侧上的第一和第二扩散区域。 存储电容器包括：第一电容器板，包括嵌入在第一扩散区域下方的衬底内的部分，第二电容器板和夹在第一电容器板的嵌入部分之间的电容器电介质。 第一扩散区的至少一部分形成第二电容器板。

公开(公告)号：US20110161352A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12913636

申请日：2010-10-27

申请人： Alexandre de Castro Alves ,  Unmesh Deshmukh ,  Hoyong Park ,  Shailendra Mishra ,  Anand Srinivasan

发明人： Alexandre de Castro Alves ,  Unmesh Deshmukh ,  Hoyong Park ,  Shailendra Mishra ,  Anand Srinivasan

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06F17/30516 ,  G06F17/30557

摘要： A framework or infrastructure (extensibility framework/infrastructure) for extending the indexing capabilities of an event processing system. The capabilities of an event processing system may be extended to support indexing schemes, including related data types and operations, which are not natively supported by the event processing system. The extensibility is enabled by one or more plug-in extension components called data cartridges.

摘要翻译： 用于扩展事件处理系统的索引功能的框架或基础设施（扩展框架/基础架构）。 可以扩展事件处理系统的能力，以支持索引方案，包括相关的数据类型和操作，这些事件处理系统本身不支持。 扩展性由一个或多个称为数据盒式的插件扩展组件启用。

公开(公告)号：US20100057727A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12548290

申请日：2009-08-26

申请人： Anand Srinivasan ,  Rakesh Komuravelli ,  Shailendra Mishra

发明人： Anand Srinivasan ,  Rakesh Komuravelli ,  Shailendra Mishra

IPC分类号： G06F17/30 ,  G06F9/30

CPC分类号： G06K9/62

摘要： Techniques for detecting recurring non-occurrences of an event. In one embodiment, techniques are provided for detecting the non-occurrence of an event within each of a series of time periods following the occurrence of another event. Language extensions are provided that enable queries to be formulated for detecting recurring non-occurrence of an event following occurrence of a triggering event.

摘要翻译： 检测事件的重复出现的技术。 在一个实施例中，提供了用于检测在发生另一事件之后的一系列时间段内的每个事件中不发生事件的技术。 提供了语言扩展，使查询能够被制定成用于检测触发事件发生后的事件的循环不发生。