公开(公告)号：US07420201B2

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：US11125507

申请日：2005-05-10

申请人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7847 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687

摘要： The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

摘要翻译： 应变半导体的优点与基板和器件制造上的绝缘体绝缘体方法相结合。

公开(公告)号：US07414259B2

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：US11126550

申请日：2005-05-11

申请人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L31/0392

CPC分类号： H01L29/7847 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687

摘要： The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

摘要翻译： 应变半导体的优点与基板和器件制造上的绝缘体绝缘体方法相结合。

公开(公告)号：US07259388B2

公开(公告)日：2007-08-21

申请号：US11120675

申请日：2005-05-03

申请人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L31/039

CPC分类号： H01L29/7847 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687

摘要： The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

摘要翻译： 应变半导体的优点与基板和器件制造上的绝缘体绝缘体方法相结合。

公开(公告)号：US07217603B2

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：US11073976

申请日：2005-03-07

申请人： Matthew T. Currie ,  Richard Hammond

发明人： Matthew T. Currie ,  Richard Hammond

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7842

摘要： A semiconductor device and a method for fabricating a semiconductor device involve a semiconductor layer that includes a first material and a second material. The first and second materials can be silicon and germanium. A contact of the device has a portion proximal to the semiconductor layer and a portion distal to the semiconductor layer. The distal portion includes the first material and the second material. A metal layer formed adjacent to the relaxed semiconductor layer and adjacent to the distal portion of the contact is simultaneously reacted with the relaxed semiconductor layer and with the distal portion of the contact to provide metallic contact material.

摘要翻译： 半导体器件和制造半导体器件的方法包括包括第一材料和第二材料的半导体层。 第一和第二种材料可以是硅和锗。 器件的触点具有靠近半导体层的部分和远离半导体层的部分。 远侧部分包括第一材料和第二材料。 与松弛的半导体层相邻并且邻近接触的远端部分形成的金属层与松弛的半导体层和接触的远端部分同时反应以提供金属接触材料。

公开(公告)号：US07074623B2

公开(公告)日：2006-07-11

申请号：US10456708

申请日：2003-06-06

申请人： Anthony J. Lochtefeld ,  Thomas A. Langdo ,  Richard Hammond ,  Matthew T. Currie ,  Glyn Braithwaite ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Anthony J. Lochtefeld ,  Thomas A. Langdo ,  Richard Hammond ,  Matthew T. Currie ,  Glyn Braithwaite ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687

摘要： The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

摘要翻译： 应变半导体的优点与基板和器件制造上的绝缘体绝缘体方法相结合。

公开(公告)号：US06982474B2

公开(公告)日：2006-01-03

申请号：US10179079

申请日：2002-06-25

申请人： Matthew T. Currie ,  Richard Hammond

发明人： Matthew T. Currie ,  Richard Hammond

IPC分类号： H01L31/117

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7842

摘要： A semiconductor device and a method for fabricating a semiconductor device involve a semiconductor layer that includes a first material and a second material. The first and second materials can be silicon and germanium. A contact of the device has a portion proximal to the semiconductor layer and a portion distal to the semiconductor layer. The distal portion includes the first material and the second material. A metal layer formed adjacent to the relaxed semiconductor layer and adjacent to the distal portion of the contact is simultaneously reacted with the relaxed semiconductor layer and with the distal portion of the contact to provide metallic contact material.

摘要翻译： 半导体器件和制造半导体器件的方法包括包括第一材料和第二材料的半导体层。 第一和第二种材料可以是硅和锗。 器件的触点具有靠近半导体层的部分和远离半导体层的部分。 远侧部分包括第一材料和第二材料。 与松弛的半导体层相邻并且邻近接触的远端部分形成的金属层与松弛的半导体层和接触的远端部分同时反应以提供金属接触材料。

公开(公告)号：US06858502B2

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：US09989770

申请日：2001-11-20

申请人： Jack Oon Chu ,  Richard Hammond ,  Khalid EzzEldin Ismail ,  Steven John Koester ,  Patricia May Mooney ,  John A. Ott

发明人： Jack Oon Chu ,  Richard Hammond ,  Khalid EzzEldin Ismail ,  Steven John Koester ,  Patricia May Mooney ,  John A. Ott

IPC分类号： H01L29/161 ,  H01L21/338 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7782 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1054

摘要： A method and a layered heterostructure for forming p-channel field effect transistors is described incorporating a plurality of semiconductor layers on a semiconductor substrate, a composite channel structure of a first epitaxial Ge layer and a second compressively strained SiGe layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having extremely high hole mobility. The invention overcomes the problem of a limited hole mobility for a p-channel device with only a single compressively strained SiGe channel layer.

摘要翻译： 一种用于形成p沟道场效应晶体管的方法和分层异质结构被描述为在半导体衬底上并入多个半导体层，第一外延Ge层的复合沟道结构和具有较高势垒的第二压缩应变SiGe层 更深的约束量子阱并具有极高的空穴迁移率。 本发明克服了仅具有单个压缩应变SiGe沟道层的p沟道器件的有限空穴迁移率的问题。