公开(公告)号：US07704894B1

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11602564

申请日：2006-11-20

申请人： Jon Henri ,  Xingyuan Tang ,  Jason Tian ,  Kevin Gerber ,  Arul N. Dhas

发明人： Jon Henri ,  Xingyuan Tang ,  Jason Tian ,  Kevin Gerber ,  Arul N. Dhas

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： This invention provides a high throughput PECVD process for depositing TEOS films in a multi-station sequential deposition chamber. The methods significantly reduce the number of particles in the TEOS films, thereby eliminating or minimizing small bin defects. The methods of the invention involve dedicating a first station for temperature soak while flowing purge gas. Stopping the flow of reactant gas and flowing the purge gas for station 1 eliminates TEOS condensation on a cold wafer surface and significantly reduces the number of defects in the film, particularly for short temperature soaks.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在多站顺序沉积室中沉积TEOS膜的高通量PECVD工艺。 这些方法显着减少了TEOS膜中的颗粒数量，从而消除或最小化了小槽缺陷。 本发明的方法涉及在吹扫气体的同时第一工作站进行温度浸泡。 停止反应气体的流动并流动站1的吹扫气体可消除冷晶片表面上的TEOS冷凝，并显着减少膜中缺陷的数量，特别是对于短温浸泡。

公开(公告)号：US08034725B1

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12723504

申请日：2010-03-12

申请人： Jon Henri ,  Xingyuan Tang ,  Jason Tian ,  Kevin Gerber ,  Arul N. Dhas

发明人： Jon Henri ,  Xingyuan Tang ,  Jason Tian ,  Kevin Gerber ,  Arul N. Dhas

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： This invention provides a high throughput PECVD process for depositing TEOS films in a multi-station sequential deposition chamber. The methods significantly reduce the number of particles in the TEOS films, thereby eliminating or minimizing small bin defects. The methods of the invention involve dedicating a first station for temperature soak while flowing purge gas. Stopping the flow of reactant gas and flowing the purge gas for station 1 eliminates TEOS condensation on a cold wafer surface and significantly reduces the number of defects in the film, particularly for short temperature soaks.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在多站顺序沉积室中沉积TEOS膜的高通量PECVD工艺。 这些方法显着减少了TEOS膜中的颗粒数量，从而消除或最小化了小槽缺陷。 本发明的方法涉及在吹扫气体的同时第一工作站进行温度浸泡。 停止反应气体的流动并流动站1的吹扫气体可消除冷晶片表面上的TEOS冷凝，并显着减少膜中缺陷的数量，特别是对于短温浸泡。

公开(公告)号：US08017527B1

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12336386

申请日：2008-12-16

申请人： Arul N. Dhas ,  Ming Li ,  Joseph Bradley Laird

发明人： Arul N. Dhas ,  Ming Li ,  Joseph Bradley Laird

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  A23G3/24 ,  B05C3/00 ,  B01D47/00 ,  F02M37/00 ,  F02M69/02 ,  F02M5/08 ,  B01F5/04

CPC分类号： C23C16/4401 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52

摘要： Apparatuses and methods for diverting a flow of a liquid precursor during flow stabilization and plasma stabilization stages during PECVD processes are effective at eliminating particle defects in PECVD films deposited using a liquid precursor.

摘要翻译： 在PECVD过程中在流动稳定和等离子体稳定阶段期间转向液体前体流的装置和方法对消除使用液体前体沉积的PECVD膜中的颗粒缺陷是有效的。