公开(公告)号：US20120064463A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13223592

申请日：2011-09-01

申请人： Jeong-ju Park ,  Kyoung-mi Kim ,  Joo-hyung Yang ,  Bo-hee Lee ,  Min-jung Kim ,  Jae-ho Kim ,  Young-ho Kim

发明人： Jeong-ju Park ,  Kyoung-mi Kim ,  Joo-hyung Yang ,  Bo-hee Lee ,  Min-jung Kim ,  Jae-ho Kim ,  Young-ho Kim

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337

摘要： Provided is a method of forming micropatterns, in which a line-and-space pattern is formed using a positive photoresist, and a spin-on-oxide (SOX) spacer is formed on two sidewalls of the line-and-space pattern and used in etching a lower layer, thereby doubling a pattern density. Accordingly, all operations may be performed in single equipment (lithography equipment) without taking a substrate out, and thus a high throughput is obtained, and concerns about pollution are very low. Moreover, as the line-and-space pattern is formed using a wet method by using a negative tone developer, line-width roughness (LWR) of the micropatterns may be improved compared to when a dry etching method is used.

摘要翻译： 提供一种形成微图案的方法，其中使用正性光致抗蚀剂形成线间距图案，并且在线间距图案的两个侧壁上形成自旋氧化物（SOX）间隔物，并使用 在蚀刻下层，从而使图案密度加倍。 因此，可以在单个设备（光刻设备）中执行所有操作，而不需要将衬底取出，从而获得高生产量，并且对污染的担忧非常低。 此外，由于通过使用负色调显影剂使用湿法形成线间距图案，与使用干蚀刻方法相比，可以提高微图案的线宽粗糙度（LWR）。

公开(公告)号：US20110294072A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13117667

申请日：2011-05-27

申请人： Mi-Ra PARK ,  Kyoung-Mi Kim ,  Jeong-Ju Park ,  Bo-Hee Lee ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim

发明人： Mi-Ra PARK ,  Kyoung-Mi Kim ,  Jeong-Ju Park ,  Bo-Hee Lee ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device using a photolithography process may include forming an anti-reflective layer and a first photoresist film on a lower surface. The first photoresist film may be exposed to light and a first photoresist pattern having a first opening may be formed by developing the first photoresist film. A plasma treatment can be performed on the first photoresist pattern and a second photoresist film may be formed on the first photoresist pattern, which may be exposed to light. A second photoresist pattern may be formed to have a second opening by developing the second photoresist film. Here, the second opening may be substantially narrower than the first opening.

摘要翻译： 使用光刻工艺制造半导体器件的方法可以包括在下表面上形成抗反射层和第一光致抗蚀剂膜。 可以将第一光致抗蚀剂膜暴露于光，并且可以通过显影第一光致抗蚀剂膜来形成具有第一开口的第一光致抗蚀剂图案。 可以在第一光致抗蚀剂图案上进行等离子体处理，并且可以在可以暴露于光的第一光致抗蚀剂图案上形成第二光致抗蚀剂膜。 可以通过显影第二光致抗蚀剂膜来形成第二光致抗蚀剂图案以具有第二开口。 这里，第二开口可以比第一开口窄得多。

公开(公告)号：US08551689B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US13117667

申请日：2011-05-27

申请人： Mi-Ra Park ,  Kyoung-Mi Kim ,  Jeong-Ju Park ,  Bo-Hee Lee ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim

发明人： Mi-Ra Park ,  Kyoung-Mi Kim ,  Jeong-Ju Park ,  Bo-Hee Lee ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device using a photolithography process may include forming an anti-reflective layer and a first photoresist film on a lower surface. The first photoresist film may be exposed to light and a first photoresist pattern having a first opening may be formed by developing the first photoresist film. A plasma treatment can be performed on the first photoresist pattern and a second photoresist film may be formed on the first photoresist pattern, which may be exposed to light. A second photoresist pattern may be formed to have a second opening by developing the second photoresist film. Here, the second opening may be substantially narrower than the first opening.

摘要翻译： 使用光刻工艺制造半导体器件的方法可以包括在下表面上形成抗反射层和第一光致抗蚀剂膜。 可以将第一光致抗蚀剂膜暴露于光，并且可以通过显影第一光致抗蚀剂膜来形成具有第一开口的第一光致抗蚀剂图案。 可以在第一光致抗蚀剂图案上进行等离子体处理，并且可以在可以暴露于光的第一光致抗蚀剂图案上形成第二光致抗蚀剂膜。 可以通过显影第二光致抗蚀剂膜来形成第二光致抗蚀剂图案以具有第二开口。 这里，第二开口可以比第一开口窄得多。

公开(公告)号：US20120064724A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13222447

申请日：2011-08-31

申请人： Bo-hee Lee ,  Kyoung-mi Kim ,  Jeong-ju Park ,  Mi-ra Park ,  Jae-ho Kim ,  Young-ho Kim

发明人： Bo-hee Lee ,  Kyoung-mi Kim ,  Jeong-ju Park ,  Mi-ra Park ,  Jae-ho Kim ,  Young-ho Kim

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

摘要： Methods of forming a pattern of a semiconductor device including performing a double patterning process without using an atomic layer deposition (ALD) oxide film are provided. The methods may include forming a mask pattern on a substrate; forming a chemical attach process (CAP) material layer covering at least a portion of the mask pattern; forming a CAP adhesive layer by adhering at least a portion of the CAP material layer to the mask pattern by using a first baking process and a first development process; forming an interlayer covering at least a portion of the mask pattern and the CAP adhesive layer; and removing the mask pattern and the interlayer while allowing the CAP adhesive layer to remain by using a second baking process and a second development process.

摘要翻译： 提供了形成半导体器件的图案的方法，包括不使用原子层沉积（ALD）氧化物膜来执行双重图案化工艺。 所述方法可以包括在衬底上形成掩模图案; 形成覆盖所述掩模图案的至少一部分的化学附着工艺（CAP）材料层; 通过使用第一烘烤处理和第一显影处理将CAP材料层的至少一部分粘附到掩模图案上形成CAP粘合剂层; 形成覆盖所述掩模图案和所述CAP粘合剂层的至少一部分的中间层; 以及通过使用第二烘烤处理和第二显影处理使CAP粘合剂层保持不动，从而去除掩模图案和中间层。

公开(公告)号：US20110300712A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13103375

申请日：2011-05-09

申请人： Kyoung-Mi Kim ,  Jeong-Ju Park ,  Mi-Ra Park ,  Bo-Hee Lee ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim

发明人： Kyoung-Mi Kim ,  Jeong-Ju Park ,  Mi-Ra Park ,  Bo-Hee Lee ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11521

摘要： Methods of forming a photoresist pattern include forming a first photoresist pattern on a substrate and treating the first photoresist pattern with plasma that modifies etching characteristics of the first photoresist pattern. This modification may include making the first photoresist pattern more susceptible to removal during subsequent processing. The plasma-treated first photoresist pattern is covered with a second photoresist layer, which is patterned into a second photoresist pattern that contacts sidewalls of the plasma-treated first photoresist pattern. The plasma-treated first photoresist pattern is selectively removed from the substrate to reveal the remaining second photoresist pattern. The second photoresist pattern is used as an etching mask during the selective etching of a portion of the substrate (e.g., target layer). The use of the second photoresist pattern as an etching mask may yield narrower linewidths in the etched portion of the substrate than are achievable using the first photoresist pattern alone.

摘要翻译： 形成光致抗蚀剂图案的方法包括在基板上形成第一光致抗蚀剂图案，并用等离子体处理第一光致抗蚀剂图案，其改变第一光致抗蚀剂图案的蚀刻特性。 该修改可以包括使第一光致抗蚀剂图案在随后的处理期间更易于去除。 等离子体处理的第一光致抗蚀剂图案被第二光致抗蚀剂层覆盖，第二光致抗蚀剂层被图案化成与等离子体处理的第一光致抗蚀剂图案的侧壁接触的第二光致抗蚀剂 从衬底选择性地去除等离子体处理的第一光致抗蚀剂图案以显示剩余的第二光致抗蚀剂图案。 在选择性蚀刻基板（例如，目标层）的一部分期间，将第二光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模。 使用第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模可以在衬底的蚀刻部分中产生比仅使用第一光致抗蚀剂图案可实现的更窄的线宽。