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    Method of Forming Micropatterns
    1.
    发明申请
    Method of Forming Micropatterns 审中-公开
    形成微图案的方法

    公开(公告)号：US20120064463A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：US13223592

    申请日：2011-09-01

    申请人： Jeong-ju Park ,  Kyoung-mi Kim ,  Joo-hyung Yang ,  Bo-hee Lee ,  Min-jung Kim ,  Jae-ho Kim ,  Young-ho Kim

    发明人： Jeong-ju Park ,  Kyoung-mi Kim ,  Joo-hyung Yang ,  Bo-hee Lee ,  Min-jung Kim ,  Jae-ho Kim ,  Young-ho Kim

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337

    摘要： Provided is a method of forming micropatterns, in which a line-and-space pattern is formed using a positive photoresist, and a spin-on-oxide (SOX) spacer is formed on two sidewalls of the line-and-space pattern and used in etching a lower layer, thereby doubling a pattern density. Accordingly, all operations may be performed in single equipment (lithography equipment) without taking a substrate out, and thus a high throughput is obtained, and concerns about pollution are very low. Moreover, as the line-and-space pattern is formed using a wet method by using a negative tone developer, line-width roughness (LWR) of the micropatterns may be improved compared to when a dry etching method is used.

    摘要翻译： 提供一种形成微图案的方法，其中使用正性光致抗蚀剂形成线间距图案，并且在线间距图案的两个侧壁上形成自旋氧化物（SOX）间隔物，并使用 在蚀刻下层，从而使图案密度加倍。 因此，可以在单个设备（光刻设备）中执行所有操作，而不需要将衬底取出，从而获得高生产量，并且对污染的担忧非常低。 此外，由于通过使用负色调显影剂使用湿法形成线间距图案，与使用干蚀刻方法相比，可以提高微图案的线宽粗糙度（LWR）。

    METHODS OF FORMING METAL OR METAL NITRIDE PATTERNS AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES
    3.
    发明申请
    METHODS OF FORMING METAL OR METAL NITRIDE PATTERNS AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
    形成金属或金属氮化物图案的方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20130040448A1

    公开(公告)日：2013-02-14

    申请号：US13570812

    申请日：2012-08-09

    申请人： Joo-Hyung Yang ,  Yool Kang ,  Hyung-Rae Lee ,  Kyu-Sik Shin ,  Jae-ho Kim ,  Dong-Jun Lee

    发明人： Joo-Hyung Yang ,  Yool Kang ,  Hyung-Rae Lee ,  Kyu-Sik Shin ,  Jae-ho Kim ,  Dong-Jun Lee

    IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838

    摘要： In a method of forming a metal or metal nitride pattern, a metal or metal nitride layer is formed on a substrate, and a photoresist pattern is formed on the metal or metal nitride layer. An over-coating composition is coated on the metal or metal nitride layer and on the photoresist pattern to form a capping layer on the photoresist pattern. The over-coating composition includes a polymer having amine groups as a side chain or a branch and a solvent. A remaining portion of the over-coating composition is removed by washing with a hydrophilic solution. The metal or metal nitride layer is partially removed using the capping layer and the photoresist pattern as an etching mask.

    摘要翻译： 在形成金属或金属氮化物图形的方法中，在基板上形成金属或金属氮化物层，并且在金属或金属氮化物层上形成光刻胶图案。 在金属或金属氮化物层和光致抗蚀剂图案上涂覆过涂层组合物以在光致抗蚀剂图案上形成覆盖层。 该覆盖组合物包括具有侧基或分支和溶剂的胺基的聚合物。 通过用亲水溶液洗涤除去剩余部分的外涂层组合物。 使用覆盖层和光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来部分去除金属或金属氮化物层。