公开(公告)号：US20080093334A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11874098

申请日：2007-10-17

申请人： Seung-ha Choi ,  Sang-gab Kim ,  Min-seok Oh ,  Shin-il Choi ,  Dae-ok Kim ,  Hong-kee Chin ,  Young-ho Jeong ,  Yu-gwang Jeong

发明人： Seung-ha Choi ,  Sang-gab Kim ,  Min-seok Oh ,  Shin-il Choi ,  Dae-ok Kim ,  Hong-kee Chin ,  Young-ho Jeong ,  Yu-gwang Jeong

IPC分类号： H01B13/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

摘要： A method of producing a thin film transistor substrate to prevent an interconnection from being corroded during a dry etching process includes sequentially forming on an insulating substrate a gate interconnection, a gate insulating layer, an active layer, a conductive layer for a data interconnection, and a photoresist pattern including a first region and a second region, etching the conductive layer for the data interconnection using the photoresist pattern as an etching mask to form a conductive layer pattern for source/drain electrodes, etching the active layer using the photoresist pattern as the etching mask to form an active layer pattern, removing the second region of the photoresist pattern, dry etching the conductive layer pattern for the source/drain electrodes under the second region using the photoresist pattern as the etching mask and etching gas, etching a portion of the active layer pattern using the photoresist pattern as the etching mask, and physically removing the reaction byproduct using a reaction byproduct removal agent so that external force is applied to the etching gas and the reaction byproduct of the conductive layer pattern for the source/drain electrodes.

摘要翻译： 制造薄膜晶体管基板以防止在干法蚀刻工艺中被互连的腐蚀的方法包括：在绝缘基板上依次形成栅极互连，栅极绝缘层，有源层，用于数据互连的导电层，以及 包括第一区域和第二区域的光致抗蚀剂图案，使用光致抗蚀剂图案蚀刻用于数据互连的导电层作为蚀刻掩模，以形成用于源/漏电极的导电层图案，使用光致抗蚀剂图案蚀刻活性层作为 蚀刻掩模以形成有源层图案，去除光致抗蚀剂图案的第二区域，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模和蚀刻气体，在第二区域下干蚀刻用于源/漏电极的导电层图案，蚀刻部分 使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模的有源层图案，并物理去除r 使用反应副产物除去剂的副产物使得外力施加到蚀刻气体和用于源/漏电极的导电层图案的反应副产物。

公开(公告)号：US07507594B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US10554718

申请日：2005-02-11

申请人： Jong-Hyun Seo ,  Mun-Pyo Hong ,  Dae-Ok Kim

发明人： Jong-Hyun Seo ,  Mun-Pyo Hong ,  Dae-Ok Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A method of manufacturing a contact portion is provided, which includes: forming a first signal line on a substrate (110), forming a insulating layer (140) covering the first signal line and having a contact hole (182, 185) exposing the first signal line; forming a contact layer (700) on the exposed surface of the first signal through the contact hole; and forming a second signal line (82, 190) connected to the first signal line via the contact layer. Wherein the first signal line is made of Al or Al alloy, and the second signal line is made of ITO or IZO.

摘要翻译： 提供一种制造接触部分的方法，其包括：在衬底（110）上形成第一信号线，形成覆盖第一信号线的绝缘层（140），并具有暴露第一信号线的接触孔（182,185） 信号线 通过接触孔在第一信号的暴露表面上形成接触层（700）; 以及形成经由所述接触层连接到所述第一信号线的第二信号线（82,190）。 其中第一信号线由Al或Al合金制成，第二信号线由ITO或IZO制成。

公开(公告)号：US20140174352A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US14048303

申请日：2013-10-08

申请人： Yong-Kyu JOO ,  Sang-Jun NOH ,  Nam-Kyu KIM ,  Dae-Ok KIM

发明人： Yong-Kyu JOO ,  Sang-Jun NOH ,  Nam-Kyu KIM ,  Dae-Ok KIM

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578

摘要： A wafer processing apparatus includes a first tube extending in a vertical direction, a second tube arranged in the first tube and defining a reaction chamber, the reaction chamber being configured to receive a boat that holds a plurality of wafers, first and second gas nozzles in the second tube, the first and second gas nozzles being configured to supply first and second reaction gases, respectively, and being spaced apart from each other along a circumferential direction of the second tube to define a central angle of at about 50° to about 130° with respect to a center of the second tube, and an exhaust portion configured to exhaust residual gas from the reaction chamber, the exhaust portion including an exhaust slit in the second tube and an exhaust space between the first tube and the second tube.

摘要翻译： 晶片处理装置包括沿垂直方向延伸的第一管，布置在第一管中并限定反应室的第二管，反应室被配置为接收容纳多个晶片的船，第一和第二气体喷嘴在 所述第二管，所述第一和第二气体喷嘴被分别供应第一和第二反应气体，并且沿着所述第二管的圆周方向彼此间隔开以限定约50°至约130°的中心角 相对于第二管的中心的角度以及排出部，其被配置为排出来自反应室的残留气体，排气部分包括第二管中的排气狭缝和第一管与第二管之间的排气空间。

公开(公告)号：US20060258059A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：US10554718

申请日：2005-02-11

申请人： Jong-Hyun Seo ,  Mun-Pyo Hong ,  Dae-Ok Kim

发明人： Jong-Hyun Seo ,  Mun-Pyo Hong ,  Dae-Ok Kim

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/84 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A method of manufacturing a contact portion is provided, which includes: forming a first signal line on a substrate (110), forming a insulating layer (140) covering the first signal line and having a contact hole (182, 185) exposing the first signal line; forming a contact layer (700) on the exposed surface of the first signal through the contact hole; and forming a second signal line (82, 190) connected to the first signal line via the contact layer. Wherein the first signal line is made of Al or Al alloy, and the second signal line is made of ITO or IZO.

摘要翻译： 提供一种制造接触部分的方法，其包括：在衬底（110）上形成第一信号线，形成覆盖第一信号线的绝缘层（140），并具有暴露第一信号线的接触孔（182,185） 信号线 通过接触孔在第一信号的暴露表面上形成接触层（700）; 以及形成经由所述接触层连接到所述第一信号线的第二信号线（82,190）。 其中第一信号线由Al或Al合金制成，第二信号线由ITO或IZO制成。