公开(公告)号：US08487390B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12418911

申请日：2009-04-06

申请人： Dimitar V. Dimitrov ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Shuiyuan Huang ,  Antoine Khoueir ,  Brian Lee ,  John Daniel Stricklin ,  Olle Gunnar Heinonen ,  Insik Jin

发明人： Dimitar V. Dimitrov ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Shuiyuan Huang ,  Antoine Khoueir ,  Brian Lee ,  John Daniel Stricklin ,  Olle Gunnar Heinonen ,  Insik Jin

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/14

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161

摘要： A magnetic memory element that has a stress-induced magnetic anisotropy. The memory element has a ferromagnetic free layer having a switchable magnetization orientation switchable, a ferromagnetic reference layer having a pinned magnetization orientation, and a non-magnetic spacer layer therebetween. The free layer may be circular, essentially circular or nearly circular.

摘要翻译： 具有应力诱导的磁各向异性的磁记忆元件。 存储元件具有可切换的磁化方向可转换的铁磁自由层，具有钉扎​​磁化取向的铁磁参考层和它们之间的非磁性间隔层。 自由层可以是圆形的，基本上是圆形的或近似圆形的。

公开(公告)号：US20120138884A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13396731

申请日：2012-02-15

申请人： Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Yang Dong ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Ming Sun ,  Dimitar V. Dimitrov

发明人： Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Yang Dong ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Ming Sun ,  Dimitar V. Dimitrov

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0011 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/16

摘要： Programmable metallization memory cells having a planarized silver electrode and methods of forming the same are disclosed. The programmable metallization memory cells include a first metal contact and a second metal contact, an ion conductor solid electrolyte material is between the first metal contact and the second metal contact, and either a silver alloy doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact or the second metal contact, or a silver doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact. The silver electrode includes a silver layer and a metal seed layer separating the silver layer from the first metal contact.

公开(公告)号：US20100330800A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12492206

申请日：2009-06-26

申请人： Ivan Petrov Ivanov ,  Wei Tian ,  Mallika Kamarajugadda ,  Paul E. Anderson

发明人： Ivan Petrov Ivanov ,  Wei Tian ,  Mallika Kamarajugadda ,  Paul E. Anderson

IPC分类号： H01L21/768 ,  B05D1/36 ,  C23C14/24 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  C23C14/34 ,  C23C14/38

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C14/024 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a layer of alpha-tantalum on a substrate including the steps of depositing a layer of titanium nitride on a substrate; and depositing a layer of alpha-tantalum on the layer of titanium nitride, wherein the deposition of the alpha-tantalum is carried out at temperatures below about 300° C.

摘要翻译： 一种在衬底上形成α钽层的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积氮化钛层; 以及在所述氮化钛层上沉积一层α-钽，其中所述α-钽的沉积在低于约300℃的温度下进行。

公开(公告)号：US20100084724A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12418911

申请日：2009-04-06

申请人： Dimitar V. Dimitrov ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Shuiyuan Huang ,  Antoine Khoueir ,  Brian Lee ,  John Stricklin ,  Olle Gunnar Heinonen ,  Insik Jin

发明人： Dimitar V. Dimitrov ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Shuiyuan Huang ,  Antoine Khoueir ,  Brian Lee ,  John Stricklin ,  Olle Gunnar Heinonen ,  Insik Jin

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161

摘要： A magnetic memory element that has a stress-induced magnetic anisotropy. The memory element has a ferromagnetic free layer having a switchable magnetization orientation switchable, a ferromagnetic reference layer having a pinned magnetization orientation, and a non-magnetic spacer layer therebetween. The free layer may be circular, essentially circular or nearly circular.

摘要翻译： 具有应力诱导的磁各向异性的磁记忆元件。 存储元件具有可切换的磁化方向可转换的铁磁自由层，具有钉扎​​磁化取向的铁磁参考层和它们之间的非磁性间隔层。 自由层可以是圆形的，基本上是圆形的或近似圆形的。

公开(公告)号：US07679062B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US12099184

申请日：2008-04-08

申请人： Jeffery Richard Hawver ,  Ivan Petrov Mollov

发明人： Jeffery Richard Hawver ,  Ivan Petrov Mollov

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： G01T7/00 ,  G01T1/247

摘要： A digital radiography detector has a two-dimensional array of photosensors disposed in rows and columns. Multiple signal traces connect to the photosensors and extend in a first direction along the two-dimensional array. A switching power supply is connected to a power source and has first and second storage inductors that are substantially matched, are electrically connected in series, include flux fields that are opposite in phase, and are aligned along the first direction of the signal traces.

摘要翻译： 数字放射线检测器具有排列成行和列的光电传感器的二维阵列。 多个信号迹线连接到光电传感器并沿着二维阵列沿第一方向延伸。 开关电源连接到电源，并且具有基本匹配的串联电连接的第一和第二存储电感器包括相位相反并沿着信号迹线的第一方向排列的磁通场。

公开(公告)号：US20080008844A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11758448

申请日：2007-06-05

申请人： Martin Bettge ,  Stephan Burdin ,  Scott MacLaren ,  Ivan Petrov ,  Ernie Sammann

发明人： Martin Bettge ,  Stephan Burdin ,  Scott MacLaren ,  Ivan Petrov ,  Ernie Sammann

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B82Y30/00

摘要： The invention provides methods for growing an array of elongated nanostructures projecting from a surface. The nanostructures of the array are aligned substantially perpendicularly to the surface. In one aspect of the invention, the diameter of the nanostructures is between 10 nm and 200 nm. The methods of the invention can produce nanostructure growth at temperatures less than 350 degrees Celsius. Alignment of the nanostructures does not rely on epitaxial growth from a single crystal substrate, allowing a variety of substrates to be used.

摘要翻译： 本发明提供了用于生长从表面突出的细长纳米结构阵列的方法。 阵列的纳米结构基本上垂直于表面排列。 在本发明的一个方面，纳米结构的直径在10nm和200nm之间。 本发明的方法可以在低于350摄氏度的温度下产生纳米结构生长。 纳米结构的对准不依赖于单晶衬底的外延生长，允许使用各种衬底。

公开(公告)号：US08134138B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12362532

申请日：2009-01-30

申请人： Tian Wei ,  Dexin Wang ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Yang Dong ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Ming Sun ,  Dimitar Velikov Dimitrov

发明人： Tian Wei ,  Dexin Wang ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Yang Dong ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Ming Sun ,  Dimitar Velikov Dimitrov

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0011 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/16

摘要： Programmable metallization memory cells having a planarized silver electrode and methods of forming the same are disclosed. The programmable metallization memory cells include a first metal contact and a second metal contact, an ion conductor solid electrolyte material is between the first metal contact and the second metal contact, and either a silver alloy doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact or the second metal contact, or a silver doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact. The silver electrode includes a silver layer and a metal seed layer separating the silver layer from the first metal contact.

摘要翻译： 公开了具有平面化银电极的可编程金属化存储单元及其形成方法。 可编程金属化存储单元包括第一金属触点和第二金属触点，离子导体固体电解质材料位于第一金属触点和第二金属触点之间，并且银合金掺杂电极将离子导体固体电解质材料与 第一金属接触或第二金属接触，或银掺杂电极将离子导体固体电解质材料与第一金属接触分离。 银电极包括银层和将银层与第一金属触点分开的金属种子层。

公开(公告)号：US08133348B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US11914954

申请日：2006-04-26

申请人： Ivan Petrov Ganachev ,  Yoshikazu Tsugami ,  Kohei Shimatani ,  Masashi Yamage

发明人： Ivan Petrov Ganachev ,  Yoshikazu Tsugami ,  Kohei Shimatani ,  Masashi Yamage

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

摘要： A plasma generating apparatus includes a coaxial convertor for coaxial-converting a microwave, a generally annular ring slot that passes the coaxial-converted microwave, and a dielectric window that propagates the microwave passed through the ring slot. A plasma is produced by the microwave propagated through the dielectric window. This enables stable formation of a plasma having a uniform distribution over a large area.

摘要翻译： 等离子体发生装置包括用于同轴转换微波的同轴转换器，通过同轴转换的微波的大致环形的环槽，以及传播通过环形槽的微波的介电窗口。 通过介电窗口传播的微波产生等离子体。 这使得能够在大面积上稳定地形成具有均匀分布的等离子体。

公开(公告)号：US20100193758A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12362532

申请日：2009-01-30

申请人： Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Yang Dong ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Ming Sun ,  Dimitar V. Dimitrov

发明人： Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Yang Dong ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Ivan Petrov Ivanov ,  Ming Sun ,  Dimitar V. Dimitrov

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0011 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/16

摘要： Programmable metallization memory cells having a planarized silver electrode and methods of forming the same are disclosed. The programmable metallization memory cells include a first metal contact and a second metal contact, an ion conductor solid electrolyte material is between the first metal contact and the second metal contact, and either a silver alloy doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact or the second metal contact, or a silver doping electrode separates the ion conductor solid electrolyte material from the first metal contact. The silver electrode includes a silver layer and a metal seed layer separating the silver layer from the first metal contact.

摘要翻译： 公开了具有平面化银电极的可编程金属化存储单元及其形成方法。 可编程金属化存储单元包括第一金属触点和第二金属触点，离子导体固体电解质材料位于第一金属触点和第二金属触点之间，并且银合金掺杂电极将离子导体固体电解质材料与 第一金属接触或第二金属接触，或银掺杂电极将离子导体固体电解质材料与第一金属接触分离。 银电极包括银层和将银层与第一金属触点分开的金属种子层。

公开(公告)号：US20100193398A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12365698

申请日：2009-02-04

申请人： CHARLES P. MARSH ,  ERIC OLSON ,  TODOR I. DONCHEV ,  IVAN PETROV ,  JIANGUO WEN ,  RYAN FRANKS ,  DONGXIANG LIAO

发明人： CHARLES P. MARSH ,  ERIC OLSON ,  TODOR I. DONCHEV ,  IVAN PETROV ,  JIANGUO WEN ,  RYAN FRANKS ,  DONGXIANG LIAO

IPC分类号： B65D85/00 ,  B23P11/00

CPC分类号： H01J37/26 ,  G02B21/34 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2004 ,  H01J2237/2005 ,  H01J2237/28 ,  Y10T29/49826

摘要： A reusable sample-holding device for readily loading very small wet samples for observation of the samples by microscopic equipment, in particular in a vacuum environment. Embodiments may be used with a scanning electron microscope (SEM), a transmission electron microscope (TEM), an X-ray microscope, optical microscope, and the like. For observation of the sample, embodiments provide a thin-membrane window etched in the center of each of two silicon wafers abutting to contain the sample in a small uniform gap formed between the windows. This gap may be adjusted by employing spacers. Alternatively, the thickness of a film established by the fluid in which the sample is incorporated determines the gap without need of a spacer. To optimize resolution each window may have a thickness on the order of 50 nm and the gap may be on the order of 50 nm.

摘要翻译： 一种可重复使用的样品保持装置，用于容易地加载非常小的湿样品，以通过显微设备，特别是在真空环境中观察样品。 实施例可以用扫描电子显微镜（SEM），透射电子显微镜（TEM），X射线显微镜，光学显微镜等来使用。 为了观察样品，实施方案提供了在两个硅晶片的每一个的中心蚀刻的薄膜窗口，其邻接以将样品容纳在窗口之间形成的小的均匀间隙中。 该间隙可以通过使用间隔物来调节。 或者，通过其中包含样品的流体建立的膜的厚度确定了间隙而不需要间隔物。 为了优化分辨率，每个窗口可以具有大约50nm的厚度，并且间隙可以在50nm量级。