公开(公告)号：US5139960A

公开(公告)日：1992-08-18

申请号：US700101

申请日：1991-05-08

申请人： James D. Chadi

发明人： James D. Chadi

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207

CPC分类号： H01L29/207 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/205 ,  Y10S148/084 ,  Y10S148/097

摘要： Interstitial incorporation of Group III or Group V dopants, such as As, Sb, Ga, Al or B, in a III-V semiconductor, such as GaAs or Al.sub.x Ga.sub.1-x As, in the absence of any substitutional doping via a Group IV or Group VI dopant, will substantially eliminate, if not completely suppress, the formation of deep donor levels or DX centers in the III-V semiconductor.

摘要翻译： 在Ⅲ-Ⅴ族半导体中，例如GaAs或Al x Ga 1-x As中的III族或Ⅴ族掺杂剂，例如As，Sb，Ga，Al或B的掺杂，在没有通过IV族或组的任何取代掺杂的情况下 VI掺杂剂将基本上消除III-V半导体中深施主电位或DX中心的形成（如果不完全抑制）。

公开(公告)号：US5379313A

公开(公告)日：1995-01-03

申请号：US115306

申请日：1993-08-31

申请人： James D. Chadi ,  Tohru Zuzuki

发明人： James D. Chadi ,  Tohru Zuzuki

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/30 ,  H01S5/32 ,  H01S5/327 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/327 ,  H01S5/3059 ,  H01S5/3211

摘要： An injection laser for operation in the yellow to violet portion of optical spectrum utilizes an indium phosphide substrate on which are lattice matched three successive layers each of the form (MgSe).sub.x (ZnSeTe).sub.1-x, where x has a positive value for each layer up to 1 in the first and third layers but in the second layer has a value less than that of either the first or third layer and the first and third layers are doped to be of opposite conductivity type.

摘要翻译： 用于在光谱的黄色至紫色部分中操作的注入激光器使用磷化铟衬底，其上形成（MgSe）x（ZnSeTe）1-x的晶格匹配的三个连续层，其中x对于每个 在第一层和第三层中最多达1层，但在第二层中的层具有小于第一层或第三层的值，并且第一和第三层被掺杂为具有相反导电类型的层。

公开(公告)号：US5920409A

公开(公告)日：1999-07-06

申请号：US820491

申请日：1996-05-31

申请人： James D. Chadi ,  George E. Devlin ,  Richard A. Linke ,  Robert L. MacDonald ,  Tineke Thio

发明人： James D. Chadi ,  George E. Devlin ,  Richard A. Linke ,  Robert L. MacDonald ,  Tineke Thio

IPC分类号： G02B5/18 ,  G11C7/00 ,  G11C13/04 ,  H01L31/00 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  G03H1/02 ,  G02B5/32 ,  G03H1/08 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L31/0352 ,  G11C13/04 ,  G11C7/005 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  Y02E10/544

摘要： A compound semiconductor that is suitably doped to exhibit the DX effect is irradiated with an optical beam of spatially varying intensity whereby localized regions of persistently higher conductivity and lower refractive index are created in the semiconductor where sufficient intensity of the beam was incident. The persistently higher conductive region can be used to bridge selected gaps in conductive paths on a support member use in memory device and the regions of lower refractive index can be used to providing guiding in a wave guide, to form high resolution gratings, or to form holograms.

摘要翻译： 用空间变化强度的光束照射适当掺杂以表现DX效应的化合物半导体，从而在半导体中产生持续更高导电性和更低折射率的局部区域，其中梁的入射强度足够强。 持续更高的导电区域可以用于在存储器件中的支撑构件上的导电路径中桥接选定的间隙，并且可以使用较低折射率的区域来提供波导中的引导，以形成高分辨率光栅，或形成 全息图。

公开(公告)号：US5107314A

公开(公告)日：1992-04-21

申请号：US670057

申请日：1991-03-15

申请人： Dawon Kahng ,  James D. Chadi

发明人： Dawon Kahng ,  James D. Chadi

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A complementary MISFET uses gallium antimonide as the active material to utilize the high mobilities of both holes and electrons in such material. To avoid interfacial states at the gate interface, the gate insulator is an epitaxial composite layer formed by an appropriate superlattice of which the portion adjacent the channel region is free of intentional doping. The superlattice may comprise, for example, alternating layers of aluminum antimonide and aluminum arsenide or of aluminum antimonide and gallium arsenide.

摘要翻译： 互补MISFET使用锑化镓作为活性材料，以利用这种材料中空穴和电子的高迁移率。 为了避免栅极界面处的界面状态，栅极绝缘体是由合适的超晶格形成的外延复合层，其中邻近沟道区的部分没有有意掺杂。 超晶格可以包括例如交替的锑化铝和砷化铝或锑化铝和砷化镓的层。