公开(公告)号：US06645550B1

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US09599125

申请日：2000-06-22

申请人： Robin Cheung ,  Yezdi Dordi ,  Jennifer Tseng

发明人： Robin Cheung ,  Yezdi Dordi ,  Jennifer Tseng

IPC分类号： B05D102

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/288 ,  Y10S134/902

摘要： A method of treating a substrate. The method comprises forming a metal-containing layer on at least a selected portion of the substrate during a substrate cleaning process.

摘要翻译： 一种处理基材的方法。 该方法包括在衬底清洗过程中在衬底的至少一部分选择部分上形成含金属层。

公开(公告)号：US06291343B1

公开(公告)日：2001-09-18

申请号：US09008796

申请日：1998-01-20

申请人： Jennifer Tseng ,  Mei Chang ,  Ling Chen ,  David C. Smith ,  Karl A. Littau ,  Chyi Chern ,  Marvin Liao

发明人： Jennifer Tseng ,  Mei Chang ,  Ling Chen ,  David C. Smith ,  Karl A. Littau ,  Chyi Chern ,  Marvin Liao

IPC分类号： H01L2124

CPC分类号： H01L21/76856 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/481 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/336 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864

摘要： A layer of material is formed on a substrate in a partially formed integrated circuit on a wafer. The substrate undergoes a plasma annealing, during which the substrate is bombarded with ions. The plasma annealing may be performed by exposing the substrate to plasma that is generated from a nitrogen containing gas which is infused with energy. After the substrate is plasma annealed, a layer of a refractory metal nitride is deposited on the substrate. The layer of refractory metal nitride is then bombarded with a first set of ions. The bombardment of the refractory metal by the first set of ions may be achieved by performing a plasma annealing. The refractory metal nitride may be further bombarded by a second set of ions.

摘要翻译： 在晶片上的部分形成的集成电路中的衬底上形成一层材料。 衬底经历等离子体退火，在此期间衬底被离子轰击。 等离子体退火可以通过将衬底暴露于由注入能量的含氮气体产生的等离子体来进行。 在对衬底进行等离子体退火之后，在衬底上沉积难熔金属氮化物层。 然后用第一组离子轰击难熔金属氮化物层。 可以通过进行等离子体退火来实现第一组离子对难熔金属的轰击。 耐火金属氮化物可以被第二组离子进一步轰击。