-
公开(公告)号：US07847315B2
公开(公告)日：2010-12-07
申请号：US11684261
申请日：2007-03-09
申请人： Roman J. Hamerski , Zerui Chen , James Man-Fai Hong , Johnny Duc Van Chiem , Christopher D. Hruska , Timothy Eastman
发明人： Roman J. Hamerski , Zerui Chen , James Man-Fai Hong , Johnny Duc Van Chiem , Christopher D. Hruska , Timothy Eastman
CPC分类号： H01L29/365 , H01L29/0619 , H01L29/66136 , H01L29/66151 , H01L29/66356 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L29/8618 , H01L29/868 , H01L29/88
摘要： A high-efficiency power semiconductor rectifier device (10) comprising a δP++ layer (12), a P-body (14), an N-drift region (16), an N+ substrate (18), an anode (20), and a cathode (22). The method of fabricating the device (10) comprises the steps of depositing the N-drift region (16) on the N+ substrate (18), implanting boron into the N-drift region (16) to create a P-body region (14), forming a layer of titanium silicide (56) on the P-body region (14), and concentrating a portion of the implanted boron at the interface region between the layer of titanium silicide (56) and the P-body region (14) to create the δP++ layer (12) of supersaturated P-doped silicon.
摘要翻译： 一种高效率功率半导体整流器件（10），包括δP++层（12），P体（14），N漂移区（16），N +衬底（18），阳极（20）和 阴极（22）。 制造器件（10）的方法包括以下步骤：在N +衬底（18）上沉积N漂移区（16），将硼注入N漂移区（16）以产生P体区（14） ），在P体区域（14）上形成硅化钛层（56），并将一部分注入的硼在硅化钛层（56）和P体区域（14）之间的界面区域集中 ）以产生过饱和P掺杂硅的δP++层（12）。
-
公开(公告)号：US09536679B2
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：US14988626
申请日：2016-01-05
申请人： Johnny Duc Van Chiem
发明人： Johnny Duc Van Chiem
摘要： A method of manufacturing trenched electrochemical double layer capacitors is provided. One aspect of the method employs state-of-the art processes used in semi-conductor wafer manufacturing such as photolithography etching for creating trenches in the electrodes of the double layer capacitor. Another aspect of the method employs a die-saw process, which is scalable and low-cost. The trenched super/ultra capacitors made by the disclosed methods have the combined advantage of higher energy storage capacity than conventional planar super/ultra capacitors due to the increased surface area and higher power density than commonly used Li-ion batteries due to the faster charging time and higher instantaneous energy burst power. The manufacturing processes also have the advantage of better manufacturability, scalability and reduced manufacturing cost.
摘要翻译： 提供一种制造沟槽电化学双层电容器的方法。 该方法的一个方面采用半导体晶片制造中使用的最先进的工艺，例如用于在双层电容器的电极中产生沟槽的光刻蚀刻。 该方法的另一方面采用可视化和低成本的模锯工艺。 通过所公开的方法制造的沟槽式超/超电容器具有比常规平面超/超级电容器更高的能量存储容量的组合优点，这是由于比通常使用的锂离子电池增加的表面积和更高的功率密度，这是由于更快的充电时间 和更高的瞬时能量突发功率。 制造工艺也具有更好的可制造性，可扩展性和降低制造成本的优点。
-
公开(公告)号：US20160196932A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：US14988626
申请日：2016-01-05
申请人： Johnny Duc Van CHIEM
发明人： Johnny Duc Van CHIEM
摘要： A method of manufacturing trenched electrochemical double layer capacitors is provided. One aspect of the method employs state-of-the art processes used in semi-conductor wafer manufacturing such as photolithography etching for creating trenches in the electrodes of the double layer capacitor. Another aspect of the method employs a die-saw process, which is scalable and low-cost. The trenched super/ultra capacitors made by the disclosed methods have the combined advantage of higher energy storage capacity than conventional planar super/ultra capacitors due to the increased surface area and higher power density than commonly used Li-ion batteries due to the faster charging time and higher instantaneous energy burst power. The manufacturing processes also have the advantage of better manufacturability, scalability and reduced manufacturing cost.
摘要翻译： 提供一种制造沟槽电化学双层电容器的方法。 该方法的一个方面采用半导体晶片制造中使用的最先进的方法，例如用于在双层电容器的电极中产生沟槽的光刻蚀刻。 该方法的另一方面采用可视化和低成本的模锯工艺。 通过所公开的方法制造的沟槽式超/超电容器具有比常规平面超/超级电容器更高的能量存储容量的组合优点，这是由于比通常使用的锂离子电池增加的表面积和更高的功率密度，这是由于更快的充电时间 和更高的瞬时能量突发功率。 制造工艺也具有更好的可制造性，可扩展性和降低制造成本的优点。
-
公开(公告)号：US20080217721A1
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：US11684261
申请日：2007-03-09
申请人： Roman J. Hamerski , Zerui Chen , James Man-Fai Hong , Johnny Duc Van Chiem , Christopher D. Hruska , Timothy Eastman
发明人： Roman J. Hamerski , Zerui Chen , James Man-Fai Hong , Johnny Duc Van Chiem , Christopher D. Hruska , Timothy Eastman
IPC分类号： H01L31/00 , H01L21/425
CPC分类号： H01L29/365 , H01L29/0619 , H01L29/66136 , H01L29/66151 , H01L29/66356 , H01L29/7391 , H01L29/861 , H01L29/8618 , H01L29/868 , H01L29/88
摘要： A high-efficiency power semiconductor rectifier device (10) comprising a δP++ layer (12), a P-body (14), an N-drift region (16), an N+ substrate (18), an anode (20), and a cathode (22). The method of fabricating the device (10) comprises the steps of depositing the N-drift region (16) on the N+ substrate (18), implanting boron into the N-drift region (16) to create a P-body region (14), forming a layer of titanium silicide (56) on the P-body region (14), and concentrating a portion of the implanted boron at the interface region between the layer of titanium silicide (56) and the P-body region (14) to create the δP++ layer (12) of supersaturated P-doped silicon.
摘要翻译： 一种高效率功率半导体整流器件（10），包括δP++层（12），P体（14），N漂移区（16），N +衬底（18），阳极（20）和 阴极（22）。 制造器件（10）的方法包括以下步骤：在N +衬底（18）上沉积N漂移区（16），将硼注入N漂移区（16）以产生P体区（14） ），在P体区域（14）上形成硅化钛层（56），并将一部分注入的硼在硅化钛层（56）和P体区域（14）之间的界面区域集中 ）以产生过饱和P掺杂硅的δP++层（12）。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.012 秒)
