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    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20150060988A1

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：US14519821

    申请日：2014-10-21

    申请人： Bo-Young LEE ,  Jongwan CHOI ,  Myoungbum LEE

    发明人： Bo-Young LEE ,  Jongwan CHOI ,  Myoungbum LEE

    IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528

    CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/764 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Semiconductor devices, and methods of fabricating the same, include forming a trench between a plurality of patterns on a substrate to be adjacent to each other, forming a first sacrificial layer in the trench, forming a first porous insulation layer having a plurality of pores on the plurality of patterns and on the first sacrificial layer, and removing the first sacrificial layer through the plurality of pores of the first porous insulation layer to form a first air gap between the plurality of patterns and under the first porous insulation layer.

    摘要翻译： 半导体器件及其制造方法包括在彼此相邻的衬底上的多个图案之间形成沟槽，在沟槽中形成第一牺牲层，形成具有多个孔的第一多孔绝缘层 所述多个图案和所述第一牺牲层上，并且通过所述第一多孔绝缘层的所述多个孔去除所述第一牺牲层，以在所述多个图案之间和所述第一多孔绝缘层下方形成第一气隙。

    SEMICONDUCTOR DEVICES WITH AN AIR GAP IN TRENCH ISOLATION DIELECTRIC
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES WITH AN AIR GAP IN TRENCH ISOLATION DIELECTRIC 审中-公开
    具有气隙隔离绝缘电介质的半导体器件

    公开(公告)号：US20100230741A1

    公开(公告)日：2010-09-16

    申请号：US12711033

    申请日：2010-02-23

    申请人： Jongwan Choi ,  Eunkee Hong ,  Bo-Young Lee ,  Tae-Jong Han ,  Juseon Goo ,  Kyungmun Byun

    发明人： Jongwan Choi ,  Eunkee Hong ,  Bo-Young Lee ,  Tae-Jong Han ,  Juseon Goo ,  Kyungmun Byun

    IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/764 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/0649

    摘要： A tunnel insulating layer and a charge storage layer are sequentially stacked on a substrate. A recess region penetrates the charge storage layer, the tunnel insulating layer and a portion of the substrate. The recess region is defined by a bottom surface and a side surface extending from the bottom surface. A first dielectric pattern includes a bottom portion covering the bottom surface and inner walls extending from the bottom portion and covering a portion of the side surface of the recess region. A second dielectric pattern is in the recess region between the inner walls of the first dielectric pattern, and the second dielectric pattern enclosing an air gap. The air gap that is enclosed by the second dielectric pattern may extend through a major portion of the second dielectric pattern in a direction away from the bottom surface of the recess region.

    摘要翻译： 隧道绝缘层和电荷存储层依次层叠在基板上。 凹陷区域穿透电荷存储层，隧道绝缘层和基底的一部分。 凹陷区域由底表面和从底表面延伸的侧表面限定。 第一电介质图案包括覆盖底面的底部和从底部延伸并覆盖凹部区域的侧表面的一部分的内壁。 第二电介质图案位于第一电介质图案的内壁之间的凹陷区域中，并且第二电介质图案包围气隙。 由第二电介质图案包围的空气间隙可以沿着远离凹部区域的底表面的方向延伸穿过第二电介质图案的主要部分。