公开(公告)号：US20120287507A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13350995

申请日：2012-01-16

申请人： Chang-seung Lee ,  Jun-seong Kim ,  Ki-deok Bae

发明人： Chang-seung Lee ,  Jun-seong Kim ,  Ki-deok Bae

IPC分类号： G02B5/30 ,  C03C15/02 ,  B29C35/08 ,  C03C15/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： G02B5/3058 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S359/90 ,  Y10S977/888

摘要： Wire grid polarizers, methods of fabricating a wire grid polarizer and display panels including a wire grid polarizer are provided, the methods include preparing a mold having a lower surface in which a plurality of parallel fine grooves are formed, and arranging the mold on a transparent substrate. The plurality of parallel fine grooves are filled with a conductive liquid ink. A plurality of parallel conductive nano wires are formed on the transparent substrate by curing the conductive liquid ink. The mold is removed.

摘要翻译： 提供了线栅偏振器，制造线栅偏振器的方法和包括线栅偏振器的显示面板，所述方法包括制备具有下表面的模具，其中形成有多个平行细槽，并将模具布置在透明 基质。 多个平行细槽被导电液体墨水填充。 通过固化导电液体油墨，在透明基板上形成多个平行的导电纳米线。 去除模具。

公开(公告)号：US07863111B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11898126

申请日：2007-09-10

申请人： Jun-seong Kim ,  Euk-che Hwang ,  Ki-deok Bae ,  Chang-seung Lee ,  Hyeon-Jin Shin

发明人： Jun-seong Kim ,  Euk-che Hwang ,  Ki-deok Bae ,  Chang-seung Lee ,  Hyeon-Jin Shin

IPC分类号： H01L51/05

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L51/444 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/753 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857

摘要： Provided are a thin film transistor for display devices and a manufacturing method of the thin film transistor. The thin film transistor for display devices includes: a flexible substrate; a gate electrode layer formed on the flexible substrate; a first insulating layer formed on the flexible substrate and the gate electrode; a source and a drain formed on the first insulating layer; an active layer formed on the first insulating layer between the source and the drain; a second insulating layer formed on the first insulating layer, the source, the drain, and the active layer; and a drain electrode that opens the second insulating layer to be connected to the drain and is formed of a CNT dispersed conductive polymer.

摘要翻译： 提供了一种用于显示装置的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。 用于显示装置的薄膜晶体管包括：柔性基板; 形成在柔性基板上的栅电极层; 形成在柔性基板和栅电极上的第一绝缘层; 形成在所述第一绝缘层上的源极和漏极; 形成在源极和漏极之间的第一绝缘层上的有源层; 形成在第一绝缘层上的第二绝缘层，源极，漏极和有源层; 以及漏极，其打开与漏极连接并由CNT分散的导电聚合物形成的第二绝缘层。

公开(公告)号：US20080144173A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11832921

申请日：2007-08-02

申请人： Ki-deok Bae ,  Jun-seong Kim ,  Euk-che Hwang ,  Chan-bong Jun

发明人： Ki-deok Bae ,  Jun-seong Kim ,  Euk-che Hwang ,  Chan-bong Jun

IPC分类号： G03B21/56

CPC分类号： G03B21/56

摘要： A multi-display apparatus includes a plurality of panels connected to each other and displaying an image, wherein the plurality of panels comprise a top emission type display apparatus and a bottom emission type display apparatus, and the top emission type display apparatus and the bottom emission type display apparatus are connected to each other such that the top emission type display apparatus and the bottom emission type display apparatus emit light in a same direction, and the top emission type display apparatus and the bottom emission type display apparatus are arranged with a step difference therebetween such that pixel boundaries of adjacent side boundary surfaces of the top emission type display apparatus and of the bottom emission type display apparatus overlap each other.

摘要翻译： 多显示装置包括彼此连接并显示图像的多个面板，其中多个面板包括顶部发射型显示装置和底部发射型显示装置，并且顶部发射型显示装置和底部发射 上述发光型显示装置和底部发光型显示装置以相同的方向发光，顶部发光型显示装置和底部发光型显示装置以阶差形式配置 使得顶部发射型显示装置和底部发射型显示装置的相邻侧边界面的像素边界彼此重叠。

公开(公告)号：US20070122721A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11505018

申请日：2006-08-16

申请人： Ki-deok Bae ,  In-Sung Song ,  Chang-seung Lee ,  Jun-seong Kim ,  Sung-woong Kim ,  Wou-sik Kim

发明人： Ki-deok Bae ,  In-Sung Song ,  Chang-seung Lee ,  Jun-seong Kim ,  Sung-woong Kim ,  Wou-sik Kim

IPC分类号： G02B5/20

CPC分类号： G02B5/22 ,  G02B5/201 ,  G02F1/133512

摘要： A method of fabricating a black matrix of a color filter is provided. In the method, a black matrix layer formed of a hydrophobic organic material is formed on an upper surface of a transparent substrate. A black matrix is formed by patterning the black matrix layer. Side surfaces of the black matrix are made hydrophilic by irradiating a lower surface of the transparent substrate with ultraviolet rays while heating the black matrix. A black matrix provided by the method is also disclosed.

摘要翻译： 提供一种制造滤色器的黑矩阵的方法。 在该方法中，在透明基板的上表面上形成由疏水性有机材料形成的黑矩阵层。 通过构图黑矩阵层形成黑矩阵。 通过在加热黑色矩阵的同时用紫外线照射透明基板的下表面，使黑色矩阵的侧表面变得亲水。 还公开了由该方法提供的黑矩阵。

公开(公告)号：US07371487B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11505018

申请日：2006-08-16

申请人： Ki-deok Bae ,  In-Sung Song ,  Chang-seung Lee ,  Jun-seong Kim ,  Sung-woong Kim ,  Wou-sik Kim

发明人： Ki-deok Bae ,  In-Sung Song ,  Chang-seung Lee ,  Jun-seong Kim ,  Sung-woong Kim ,  Wou-sik Kim

IPC分类号： G02B5/20

CPC分类号： G02B5/22 ,  G02B5/201 ,  G02F1/133512

摘要： A method of fabricating a black matrix of a color filter is provided. In the method, a black matrix layer formed of a hydrophobic organic material is formed on an upper surface of a transparent substrate. A black matrix is formed by patterning the black matrix layer. Side surfaces of the black matrix are made hydrophilic by irradiating a lower surface of the transparent substrate with ultraviolet rays while heating the black matrix. A black matrix provided by the method is also disclosed.

摘要翻译： 提供一种制造滤色器的黑矩阵的方法。 在该方法中，在透明基板的上表面上形成由疏水性有机材料形成的黑矩阵层。 通过构图黑矩阵层形成黑矩阵。 通过在加热黑色矩阵的同时用紫外线照射透明基板的下表面，使黑色矩阵的侧表面变得亲水。 还公开了由该方法提供的黑矩阵。

公开(公告)号：US20130193412A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13595580

申请日：2012-08-27

申请人： Chang-seung LEE ,  Joo-ho LEE ,  Yong-sung KIM ,  Jun-seong KIM ,  Chang-youl MOON

发明人： Chang-seung LEE ,  Joo-ho LEE ,  Yong-sung KIM ,  Jun-seong KIM ,  Chang-youl MOON

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7831 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381

摘要： Transistors and methods of manufacturing the same may include a gate on a substrate, a channel layer having a three-dimensional (3D) channel region covering at least a portion of a gate, a source electrode over a first region of the channel layer, and a drain electrode over a second region of the channel layer.

摘要翻译： 晶体管及其制造方法可以包括衬底上的栅极，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域的沟道层，沟道层的第一区域上的源电极，以及 在沟道层的第二区域上方的漏电极。

公开(公告)号：US20080283831A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11960567

申请日：2007-12-19

申请人： Myung-kwan RYU ,  Jun-seong KIM ,  Sang-yoon LEE ,  Euk-che HWANG ,  Tae-sang KIM ,  Jang-yeon KWON ,  Kyung-bae PARK ,  Kyung-seok SON ,  Ji-sim JUNG

发明人： Myung-kwan RYU ,  Jun-seong KIM ,  Sang-yoon LEE ,  Euk-che HWANG ,  Tae-sang KIM ,  Jang-yeon KWON ,  Kyung-bae PARK ,  Kyung-seok SON ,  Ji-sim JUNG

IPC分类号： H01L29/227 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A ZnO-based thin film transistor (TFT) is provided herein, as is a method of manufacturing the TFT. The ZnO-based TFT has a channel layer that comprises ZnO and ZnCl, wherein the ZnCl has a higher bonding energy than ZnO with respect to plasma. The ZnCl is formed through the entire channel layer, and specifically is formed in a region near THE surface of the channel layer. Since the ZnCl is strong enough not to be decomposed when exposed to plasma etching gas, an increase in the carrier concentration can be prevented. The distribution of ZnCl in the channel layer, may result from the inclusion of chlorine (Cl) in the plasma gas during the patterning of the channel layer.

摘要翻译： 这里提供了一种ZnO基薄膜晶体管（TFT），以及TFT的制造方法。 ZnO基TFT具有包含ZnO和ZnCl的沟道层，其中ZnCl相对于等离子体具有比ZnO高的结合能。 ZnCl是通过整个沟道层形成的，具体地形成在沟道层表面附近的区域。 由于ZnCl强度足够暴露于等离子体蚀刻气体时不会分解，因此可以防止载流子浓度的增加。 ZnCl在沟道层中的分布可能是由于在沟道层图案化期间在等离子体气体中包含氯（Cl）。

公开(公告)号：US09257508B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US13595580

申请日：2012-08-27

申请人： Chang-seung Lee ,  Joo-ho Lee ,  Yong-sung Kim ,  Jun-seong Kim ,  Chang-youl Moon

发明人： Chang-seung Lee ,  Joo-ho Lee ,  Yong-sung Kim ,  Jun-seong Kim ,  Chang-youl Moon

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L21/683 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7831 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381

摘要： Transistors and methods of manufacturing the same may include a gate on a substrate, a channel layer having a three-dimensional (3D) channel region covering at least a portion of a gate, a source electrode over a first region of the channel layer, and a drain electrode over a second region of the channel layer.

摘要翻译： 晶体管及其制造方法可以包括衬底上的栅极，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域的沟道层，沟道层的第一区域上的源电极，以及 在沟道层的第二区域上方的漏电极。

公开(公告)号：US08861080B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13350995

申请日：2012-01-16

申请人： Chang-seung Lee ,  Jun-seong Kim ,  Ki-deok Bae

发明人： Chang-seung Lee ,  Jun-seong Kim ,  Ki-deok Bae

IPC分类号： G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  B29C35/08 ,  B82Y20/00 ,  G03F7/00

CPC分类号： G02B5/3058 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10S359/90 ,  Y10S977/888

摘要： Wire grid polarizers, methods of fabricating a wire grid polarizer and display panels including a wire grid polarizer are provided, the methods include preparing a mold having a lower surface in which a plurality of parallel fine grooves are formed, and arranging the mold on a transparent substrate. The plurality of parallel fine grooves are filled with a conductive liquid ink. A plurality of parallel conductive nano wires are formed on the transparent substrate by curing the conductive liquid ink. The mold is removed.

摘要翻译： 提供了线栅偏振器，制造线栅偏振器的方法和包括线栅偏振器的显示面板，所述方法包括制备具有下表面的模具，其中形成有多个平行细槽，并将模具布置在透明 基质。 多个平行细槽被导电液体墨水填充。 通过固化导电液体油墨，在透明基板上形成多个平行的导电纳米线。 去除模具。

公开(公告)号：US07915610B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US12615315

申请日：2009-11-10

申请人： Myung-kwan Ryu ,  Jun-seong Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Euk-che Hwang ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Kyung-seok Son ,  Ji-sim Jung

发明人： Myung-kwan Ryu ,  Jun-seong Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Euk-che Hwang ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Kyung-seok Son ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A ZnO-based thin film transistor (TFT) is provided herein, as is a method of manufacturing the TFT. The ZnO-based TFT has a channel layer that comprises ZnO and ZnCl, wherein the ZnCl has a higher bonding energy than ZnO with respect to plasma. The ZnCl is formed through the entire channel layer, and specifically is formed in a region near the surface of the channel layer. Since the ZnCl is strong enough not to be decomposed when exposed to plasma etching gas, an increase in the carrier concentration can be prevented. The distribution of ZnCl in the channel layer, may result from the inclusion of chlorine (Cl) in the plasma gas during the patterning of the channel layer.

摘要翻译： 这里提供了一种ZnO基薄膜晶体管（TFT），以及TFT的制造方法。 ZnO基TFT具有包含ZnO和ZnCl的沟道层，其中ZnCl相对于等离子体具有比ZnO高的结合能。 ZnCl是通过整个沟道层形成的，具体地形成在沟道层表面附近的区域。 由于ZnCl强度足够暴露于等离子体蚀刻气体时不会分解，因此可以防止载流子浓度的增加。 ZnCl在沟道层中的分布可能是由于在沟道层图案化期间在等离子体气体中包含氯（Cl）。