公开(公告)号：US4795529A

公开(公告)日：1989-01-03

申请号：US109318

申请日：1987-10-19

申请人： Yoshinao Kawasaki ,  Hironobu Kawahara ,  Yutaka Kakehi ,  Kado Hirobe ,  Katsuyoshi Kudo

发明人： Yoshinao Kawasaki ,  Hironobu Kawahara ,  Yutaka Kakehi ,  Kado Hirobe ,  Katsuyoshi Kudo

IPC分类号： H05H1/02 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  B05D3/06 ,  B44C1/22 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01J37/32706 ,  C23C16/517 ,  H01L21/30655 ,  H01J2237/3348

摘要： This invention relates to a plasma treating method and apparatus therefor. The plasma treating method comprises rendering a gas having a critical potential plasmic under a reduced pressure and changing an acceleration voltage for accelerating ions in the plasma towards a sample interposing the critical potential. The plasma treating apparatus comprises means for rendering a gas having a critical potential plasmic under a reduced pressure and means for changing an acceleration voltage for accelerating ions in the plasma towards a sample interposing the critical potential. According to the present invention, the etching step and the film formation step can be carried out alternately and the plasma treating time can be shortened.

摘要翻译： 本发明涉及等离子体处理方法及其装置。 等离子体处理方法包括在减压下制备具有临界电位等离子体的气体，并且改变用于将等离子体中的离子加速到插入临界电位的样品的加速电压。 等离子体处理装置包括用于在减压下形成具有临界电位等离子体的气体的装置，以及用于改变用于将等离子体中的离子加速到插入临界电位的样品的加速电压的装置。 根据本发明，蚀刻步骤和成膜步骤可以交替进行，并且可以缩短等离子体处理时间。

公开(公告)号：US4308089A

公开(公告)日：1981-12-29

申请号：US148283

申请日：1980-05-09

申请人： Shinya Iida ,  Kazuyoshi Ueki ,  Tatsumi Mizutani ,  Hideo Komatsu ,  Kado Hirobe

发明人： Shinya Iida ,  Kazuyoshi Ueki ,  Tatsumi Mizutani ,  Hideo Komatsu ,  Kado Hirobe

IPC分类号： C23F4/00 ,  C23F15/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52 ,  C23F1/02 ,  C23C15/00 ,  C23G1/02

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C23F4/00 ,  H01L21/321

摘要： Disclosed is a method for preventing corrosion of Al and Al alloys processed by the dry-etching method, which comprises (i) the step of sputtering Al or Al alloy in an ammonia-containing atmosphere and (ii) the step of washing the sputtered Al or Al alloy with an alkaline aqueous solution and then with water after termination of the step (i).According to this method, corrosion of Al or Al alloy by halogen element-containing substances stuck to Al or Al alloy during the dry-etching treatment can be effectively prevented.

摘要翻译： 本发明公开了一种防腐蚀方法，该方法包括：（i）在含氨气氛中溅射Al或Al合金的步骤，以及（ii）将溅射的Al 或Al合金与碱性水溶液反应，然后在步骤（i）终止后与水合并。 根据该方法，可以有效地防止在干法蚀刻处理中在Al或Al合金上粘附含卤素元素的Al或Al合金的腐蚀。