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    CMP PROCESS
    1.
    发明申请
    CMP PROCESS 有权
    CMP工艺

    公开(公告)号：US20070259525A1

    公开(公告)日：2007-11-08

    申请号：US11308794

    申请日：2006-05-05

    申请人： Chih-Yueh Li ,  Kai-Chun Yang ,  Tzu-Yi Chuang ,  Chien-Hsuan Chen ,  Min-Hao Yeh

    发明人： Chih-Yueh Li ,  Kai-Chun Yang ,  Tzu-Yi Chuang ,  Chien-Hsuan Chen ,  Min-Hao Yeh

    IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/7684 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/042 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  Y10T156/1056

    摘要： A CMP process is provided. A first polishing process on a wafer is performed using a first hard polishing pad with a first slurry. Then, a buffering process on the wafer is performed using a soft polishing pad with a cleaning agent to buffer the pH value in the first polishing process and to remove at least portion of the first slurry and the cleaning agent by the contact with the first soft polishing pad simultaneously. Thereafter, a second polishing process on the wafer is performed using a second hard polishing pad with a second slurry such that the pH value after the buffering process is between the pH value in the first polishing process and the pH value in the second polishing process. The method can avoid the scratch issue of wafer surface by particles resulting from pH shock and cross contamination.

    摘要翻译： 提供CMP工艺。 使用具有第一浆料的第一硬质抛光垫进行晶片上的第一抛光工艺。 然后，使用具有清洁剂的软抛光垫进行晶片上的缓冲处理，以缓冲第一抛光工艺中的pH值，并且通过与第一软件的接触来去除第一浆料和清洁剂的至少一部分 抛光垫同时。 此后，使用具有第二浆料的第二硬质抛光垫进行晶片上的第二抛光工艺，使得缓冲过程之后的pH值在第一抛光工艺中的pH值和第二抛光工艺中的pH值之间。 该方法可以避免由pH冲击和交叉污染引起的颗粒对晶片表面的划痕问题。

    CMP process
    3.
    发明授权
    CMP process 有权
    CMP工艺

    公开(公告)号：US07510974B2

    公开(公告)日：2009-03-31

    申请号：US11308794

    申请日：2006-05-05

    申请人： Chih-Yueh Li ,  Kai-Chun Yang ,  Tzu-Yi Chuang ,  Chien-Hsuan Chen ,  Min-Hao Yeh

    发明人： Chih-Yueh Li ,  Kai-Chun Yang ,  Tzu-Yi Chuang ,  Chien-Hsuan Chen ,  Min-Hao Yeh

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/7684 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/042 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  Y10T156/1056

    摘要： A CMP process is provided. A first polishing process on a wafer is performed using a first hard polishing pad with a first slurry. Then, a buffering process on the wafer is performed using a soft polishing pad with a cleaning agent to buffer the pH value in the first polishing process and to remove at least portion of the first slurry and the cleaning agent by the contact with the first soft polishing pad simultaneously. Thereafter, a second polishing process on the wafer is performed using a second hard polishing pad with a second slurry such that the pH value after the buffering process is between the pH value in the first polishing process and the pH value in the second polishing process. The method can avoid the scratch issue of wafer surface by particles resulting from pH shock and cross contamination.

    摘要翻译： 提供CMP工艺。 使用具有第一浆料的第一硬质抛光垫进行晶片上的第一抛光工艺。 然后，使用具有清洁剂的软抛光垫进行晶片上的缓冲处理，以缓冲第一抛光工艺中的pH值，并且通过与第一软件的接触来去除第一浆料和清洁剂的至少一部分 抛光垫同时。 此后，使用具有第二浆料的第二硬质抛光垫进行晶片上的第二抛光工艺，使得缓冲过程之后的pH值在第一抛光工艺中的pH值和第二抛光工艺中的pH值之间。 该方法可以避免由pH冲击和交叉污染导致的颗粒对晶片表面的划痕问题。

    METHOD FOR CLEANING SURFACE CONTAINING Cu
    4.
    发明申请
    METHOD FOR CLEANING SURFACE CONTAINING Cu 审中-公开
    清洗含Cu表面的方法

    公开(公告)号：US20110189855A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：US12699071

    申请日：2010-02-03

    申请人： Jen-Chieh Lin ,  Kai-Chun Yang ,  Chih-Yueh Li ,  Geng-Yu Fan ,  Jeng-Yu Fang ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Lin Hsu

    发明人： Jen-Chieh Lin ,  Kai-Chun Yang ,  Chih-Yueh Li ,  Geng-Yu Fan ,  Jeng-Yu Fang ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Lin Hsu

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/306

    摘要： A method for cleaning a surface is disclosed. First, a substrate including Cu and a barrier layer is provided. Second, a first chemical mechanical polishing procedure is performed on the substrate. Then, a second chemical mechanical polishing procedure is performed on the barrier layer. The second chemical mechanical polishing procedure includes performing a main chemical mechanical polishing procedure to partially remove the barrier layer and performing a chemical buffing procedure on the substrate using a chemical solution which has a pH value of about 6 to about 8 to remove residues on the substrate after the main chemical mechanical polishing procedure. Later, a water rinsing procedure is performed on the substrate. Afterwards, a post clean procedure is performed on the substrate after the second chemical mechanical polishing procedure.

    摘要翻译： 公开了一种清洁表面的方法。 首先，提供包含Cu和阻挡层的基板。 其次，在基板上进行第一化学机械抛光工序。 然后，在阻挡层上进行第二化学机械抛光工序。 第二化学机械抛光方法包括执行主要的化学机械抛光方法以部分去除阻挡层并使用pH值为约6至约8的化学溶液在基底上进行化学抛光过程以去除基底上的残留物 经过主要的化学机械抛光程序。 之后，在基板上进行水洗工序。 之后，在第二化学机械抛光程序之后，在基板上执行后清洁程序。