公开(公告)号：US20060124593A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11141162

申请日：2005-05-31

申请人： Gert Moyaerts ,  Ken Delbridge ,  Nichole Koontz ,  Saeed Mohseni ,  Gerome Sayles ,  Deepak Mahulikar

发明人： Gert Moyaerts ,  Ken Delbridge ,  Nichole Koontz ,  Saeed Mohseni ,  Gerome Sayles ,  Deepak Mahulikar

IPC分类号： C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  C09K13/00 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22 ,  H01L21/302 ,  C09C1/68 ,  C23F1/00 ,  B24D3/02

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C23F3/04 ,  H01L21/30625

摘要： A composition for chemical mechanical polishing a surface of a substrate having a plurality of ultra high purity sol gel processed colloidal silica particles for chemical mechanical polishing having alkali metals Li, Na, K, Rb, Cs, Fr and a combination thereof, at a total alkali concentration of about 300 ppb or less, with the proviso that the concentration of Na, if present, is less than 200 ppb; and a medium for suspending the particles is provided. Also, provided are methods of chemical mechanical polishing which included a step of contacting a substrate and a composition according to the present invention. The contacting is carried out at a temperature and for a period of time sufficient to planarize the substrate.

摘要翻译： 一种用于化学机械抛光基底表面的组合物，其具有多个超高纯度溶胶凝胶加工的用于具有碱金属Li，Na，K，Rb，Cs，Fr及其组合的化学机械抛光的胶体二氧化硅颗粒，其总计 碱浓度为约300ppb以下，条件是Na（如果存在）的浓度小于200ppb; 并提供用于悬浮颗粒的介质。 此外，提供了化学机械抛光的方法，其包括使基底和根据本发明的组合物接触的步骤。 接触在足以使基材平坦化的温度下进行一段时间。

公开(公告)号：US20070075292A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US11526132

申请日：2006-09-22

申请人： Deepak Mahulikar ,  Yuhu Wang ,  Ken Delbridge ,  Gert Moyaerts ,  Saeed Mohseni ,  Nichole Koontz ,  Bin Hu ,  Liqing Wen

发明人： Deepak Mahulikar ,  Yuhu Wang ,  Ken Delbridge ,  Gert Moyaerts ,  Saeed Mohseni ,  Nichole Koontz ,  Bin Hu ,  Liqing Wen

IPC分类号： C23F1/14 ,  C09K13/00

CPC分类号： C23F3/04 ,  C01B33/1435 ,  C01B33/1485 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/80 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： A method of chemical mechanical polishing a surface of a substrate including the step of: contacting the substrate and a composition including a plurality of colloidal silica particles having less than 200 ppb of each trace metal impurity, excluding potassium and sodium, have less than 2 ppm residual alcohol and wherein the cumulative concentration of the trace metal, excluding potassium and sodium, is in the range from about 0.5 to about 5 ppm; and a medium for suspending the particles; wherein the composition is an ultrapure colloidal silica dispersion; and wherein the contacting is carried out at a temperature and for a period of time sufficient to planarize the substrate.

摘要翻译： 一种对基材表面进行化学机械抛光的方法，包括以下步骤：使除了钾和钠之外的每种微量金属杂质含有少于200ppb的多种胶体二氧化硅颗粒的组合物接触，其含量小于2ppm 残余醇，其中不包括钾和钠的痕量金属的累积浓度在约0.5至约5ppm的范围内; 和用于悬浮颗粒的介质; 其中所述组合物是超纯胶体二氧化硅分散体; 并且其中所述接触在足以平坦化基底的温度和时间段内进行。

公开(公告)号：US20070254964A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11818730

申请日：2007-06-15

申请人： Deepak Mahulikar ,  Yuhu Wang ,  Ken Delbridge ,  Gert Moyaerts ,  Saeed Mohseni ,  Nichole Koontz ,  Bin Hu ,  Liqing Wen

发明人： Deepak Mahulikar ,  Yuhu Wang ,  Ken Delbridge ,  Gert Moyaerts ,  Saeed Mohseni ,  Nichole Koontz ,  Bin Hu ,  Liqing Wen

IPC分类号： B01F3/12 ,  B08B7/00

CPC分类号： C23F3/04 ,  C01B33/1435 ,  C01B33/1485 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/80 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： An ultrapure colloidal silica dispersion comprising colloidal silica particles having a mean or aggregate particle size from about 10 to about 200 nm, wherein the colloidal silica dispersion has less than 200 ppb of each trace metal impurity disposed therein, excluding potassium and sodium, and have less than 2 ppm residual alcohol.

摘要翻译： 一种超纯胶体二氧化硅分散体，其包含平均或聚集体粒径为约10至约200nm的胶体二氧化硅颗粒，其中所述胶体二氧化硅分散体在其中排列的不含钾和钠的痕量金属杂质少于200ppb， 超过2 ppm的残留酒精。