公开(公告)号：US6066572A

公开(公告)日：2000-05-23

申请号：US241338

申请日：1999-02-01

申请人： Le-Yen Lu ,  Yau-Kae Sheu

发明人： Le-Yen Lu ,  Yau-Kae Sheu

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

摘要： A method of removing carbon contamination. On a semiconductor substrate having carbon contamination thereon, a sacrificial oxide layer is formed. During the formation of the sacrificial oxide layer, an agent is introduced to help and improve the growth of the sacrificial oxide layer, and to trap the carbon contamination. The sacrificial oxide layer is then removed, and the carbon contamination is removed with the sacrificial oxide layer.

摘要翻译： 一种去除碳污染的方法。 在其上具有碳污染的半导体衬底上形成牺牲氧化物层。 在牺牲氧化物层的形成期间，引入试剂以帮助和改善牺牲氧化物层的生长，并捕获碳污染。 然后去除牺牲氧化物层，并用牺牲氧化物层除去碳污染物。