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    Seed layers and process of manufacturing seed layers
    1.
    发明授权
    Seed layers and process of manufacturing seed layers 有权
    种子层和制造种子层的过程

    公开(公告)号：US08882077B2

    公开(公告)日：2014-11-11

    申请号：US12695193

    申请日：2010-01-28

    申请人： Nathan G. Stoddard

    发明人： Nathan G. Stoddard

    IPC分类号： C01B33/02 ,  B29C65/02 ,  B29C65/16 ,  B29C65/14 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  B32B38/10 ,  C30B11/14 ,  C30B29/06 ,  B28B7/36 ,  C30B28/04 ,  C30B28/06

    CPC分类号： C30B33/06 ,  C30B1/023 ,  C30B11/14 ,  C30B28/04 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B33/04 ,  Y10T156/1043

    摘要： This invention relates seed layers and a process of manufacturing seed layers for casting silicon suitable for use in solar cells or solar modules. The process includes the step of positioning tiles with aligned edges to form seams on a suitable surface, and the step of joining the tiles at the seams to form a seed layer. The step of joining includes heating the tiles to melt at least a portion of the tiles, contacting the tiles at both ends of at least one seam with electrodes, using plasma deposition of amorphous silicon, applying photons to melt a portion of the tiles, and/or layer deposition. Seed layers of this invention include a rectilinear shape of at least about 500 millimeters in width and length.

    摘要翻译： 本发明涉及种子层和制造适用于太阳能电池或太阳能电池组件的用于铸造硅的种子层的方法。 该方法包括将具有对准边缘的瓦片定位以在合适的表面上形成接缝的步骤，以及在接缝处接合瓦片以形成种子层的步骤。 接合的步骤包括加热瓦片以熔化至少一部分瓦片，使至少一个接缝的两端的电极与电极接触，使用非晶硅等离子体沉积，应用光子来熔化瓷砖的一部分，以及 /或层沉积。 本发明的种子层包括宽度和长度至少约500毫米的直线形状。

    Methods for manufacturing geometric multi-crystalline cast materials
    3.
    发明授权
    Methods for manufacturing geometric multi-crystalline cast materials 失效
    制造几何多晶铸造材料的方法

    公开(公告)号：US08591649B2

    公开(公告)日：2013-11-26

    申请号：US12670236

    申请日：2008-07-23

    申请人： Nathan G. Stoddard

    发明人： Nathan G. Stoddard

    IPC分类号： C30B9/04

    CPC分类号： C30B11/14 ,  C30B11/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Methods are provided for casting one or more of a semi-conductor, an oxide, and an intermetallic material. With such methods, a cast body of a geometrically ordered multi-crystalline form of the one or more of a semiconductor, an oxide, and an intermetallic material may be formed that is free or substantially free of radially-distributed impurities and defects and having at least two dimensions that are each at least about 10 cm.

    摘要翻译： 提供用于铸造半导体，氧化物和金属间材料中的一种或多种的方法。 通过这样的方法，可以形成半导体，氧化物和金属间化合物材料中的一种或多种的几何有序的多晶形式的铸造体，其是游离的或基本上没有径向分布的杂质和缺陷，并且具有 至少两个尺寸至少约10厘米。

    Methods Apparatus for Manufacturing Geometric Multi-Crystalline Cast Materials
    7.
    发明申请
    Methods Apparatus for Manufacturing Geometric Multi-Crystalline Cast Materials 失效
    方法制造几何多晶铸造材料的方法

    公开(公告)号：US20100193989A1

    公开(公告)日：2010-08-05

    申请号：US12670236

    申请日：2008-07-23

    申请人： Nathan G. Stoddard

    发明人： Nathan G. Stoddard

    IPC分类号： C04B35/00 ,  C04B35/653

    CPC分类号： C30B11/14 ,  C30B11/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Methods are provided for casting one or more of a semi-conductor, an oxide, and an intermetallic material. With such methods, a cast body of a geometrically ordered multi-crystalline form of the one or more of a semiconductor, an oxide, and an intermetallic material may be formed that is free or substantially free of radially-distributed impurities and defects and having at least two dimensions that are each at least about 10 cm.

    摘要翻译： 提供用于铸造半导体，氧化物和金属间材料中的一种或多种的方法。 通过这样的方法，可以形成半导体，氧化物和金属间化合物材料中的一种或多种的几何有序的多晶形式的铸造体，其是游离的或基本上没有径向分布的杂质和缺陷，并且具有 至少两个尺寸至少约10厘米。