公开(公告)号：US4734152A

公开(公告)日：1988-03-29

申请号：US73905

申请日：1987-07-13

申请人： Michael W. Geis ,  Nikolay N. Efremow ,  Stella W. Pang

发明人： Michael W. Geis ,  Nikolay N. Efremow ,  Stella W. Pang

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/465 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/465

摘要： A new anisotropic dry etching system using a hot jet tube to heat and dissociate non-reactive source gas to form a directed flux of reactive specie or radicals for etching materials through openings in a resist or a reusable stencil of SiN.sub.x wherein x is in the range of 1.5 to 0.5. Si and GaAs may be etched using Cl.sub.2, F.sub.3, Br.sub.2 or SF.sub.6 source gasses. Pb or Hg, Cd, Te may be etched using n-butane, dimethyl ether or acetone as a source gas for CH.sub.3 radicals. The tube may be formed of tungsten or where fluorine is used as a source gas, an irridium tube is preferred. Alternatively, a tube formed of rhenium or an alloy of rhenium and tungsten is preferred for some applications.

摘要翻译： 一种新的各向异性干蚀刻系统，其使用热喷射管来加热和解离非反应性源气体，以形成反应物质或自由基的定向通量，以通过SiN x的抗蚀剂或可再利用的模板中的开口蚀刻材料，其中x在 为1.5〜0.5。 可以使用Cl2，F3，Br2或SF6源气体来蚀刻Si和GaAs。 可以使用正丁烷，二甲醚或丙酮作为CH3自由基的源气体来蚀刻Pb或Hg，Cd，Te。 管可以由钨形成或者使用氟作为原料气体，优选为铱管。 或者，对于一些应用，优选由铼或铼和钨的合金形成的管。