公开(公告)号：US20090212435A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12036718

申请日：2008-02-25

申请人： Robert Montgomery ,  Hugo Burke ,  Philip Parsonage ,  Susan Johns ,  David Paul Jones

发明人： Robert Montgomery ,  Hugo Burke ,  Philip Parsonage ,  Susan Johns ,  David Paul Jones

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/56 ,  H01L24/02 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05494 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor device that includes a stack of a thin metal layer and a thick metal layer over the active region thereof, and a method for the fabrication thereof.

摘要翻译： 一种功率半导体器件及其制造方法，其包括在其有源区上的薄金属层和厚金属层的堆叠。

公开(公告)号：US08791525B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US12036718

申请日：2008-02-25

申请人： Robert Montgomery ,  Hugo Burke ,  Philip Parsonage ,  Susan Johns ,  David Paul Jones

发明人： Robert Montgomery ,  Hugo Burke ,  Philip Parsonage ,  Susan Johns ,  David Paul Jones

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/56 ,  H01L24/02 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05494 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor device that includes a stack of a thin metal layer and a thick metal layer over the active region thereof, and a method for the fabrication thereof.

摘要翻译： 一种功率半导体器件及其制造方法，其包括在其有源区上的薄金属层和厚金属层的堆叠。