公开(公告)号：US20080227291A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12128499

申请日：2008-05-28

申请人： KEN K. LAI ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

发明人： KEN K. LAI ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： Embodiments of the invention provide methods for depositing tungsten materials. In one embodiment, a method for forming a composite tungsten film is provided which includes positioning a substrate within a process chamber, forming a tungsten nucleation layer on the substrate by subsequently exposing the substrate to a tungsten precursor and a reducing gas containing hydrogen during a cyclic deposition process, and forming a tungsten bulk layer during a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) process. The PE-CVD process includes exposing the substrate to a deposition gas containing the tungsten precursor while depositing the tungsten bulk layer over the tungsten nucleation layer. In some example, the tungsten nucleation layer has a thickness of less than about 100 Å, such as about 15 Å. In other examples, a carrier gas containing hydrogen is constantly flowed into the process chamber during the cyclic deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了沉积钨材料的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于形成复合钨膜的方法，其包括将衬底定位在处理室内，通过在循环中随后将衬底暴露于钨前体和含氢的还原气体，在衬底上形成钨成核层 沉积工艺，以及在等离子体增强化学气相沉积（PE-CVD）工艺期间形成钨体层。 PE-CVD工艺包括将衬底暴露于含有钨前体的沉积气体，同时在钨成核层上沉积钨体层。 在一些实例中，钨成核层的厚度小于约，例如约15。 在其他实例中，在循环沉积过程中，含有氢气的载气不断地流入处理室。

公开(公告)号：US07384867B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11206491

申请日：2005-08-18

申请人： Ken K. Lai ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

发明人： Ken K. Lai ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： Methods for the deposition of tungsten films are provided. The methods include depositing a nucleation layer by alternatively adsorbing a tungsten precursor and a reducing gas on a substrate, and depositing a bulk layer of tungsten over the nucleation layer.

摘要翻译： 提供了沉积钨膜的方法。 所述方法包括通过交替地将钨前体和还原气体吸附在基底上沉积成核层，以及在成核层上沉积钨层。

公开(公告)号：US06939804B2

公开(公告)日：2005-09-06

申请号：US10299212

申请日：2002-11-18

申请人： Ken K. Lai ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

发明人： Ken K. Lai ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/08 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： Methods for the deposition of tungsten films are provided. The methods include depositing a nucleation layer by alternatively adsorbing a tungsten precursor and a reducing gas on a substrate, and depositing a bulk layer of tungsten over the nucleation layer.

公开(公告)号：US07605083B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US12128499

申请日：2008-05-28

申请人： Ken K. Lai ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

发明人： Ken K. Lai ,  Jeong Soo Byun ,  Frederick C. Wu ,  Ramanujapuran A. Srinivas ,  Avgerinos Gelatos ,  Mei Chang ,  Moris Kori ,  Ashok K. Sinha ,  Hua Chung ,  Hongbin Fang ,  Alfred W. Mak ,  Michael X. Yang ,  Ming Xi

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： Embodiments of the invention provide methods for depositing tungsten materials. In one embodiment, a method for forming a composite tungsten film is provided which includes positioning a substrate within a process chamber, forming a tungsten nucleation layer on the substrate by subsequently exposing the substrate to a tungsten precursor and a reducing gas containing hydrogen during a cyclic deposition process, and forming a tungsten bulk layer during a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) process. The PE-CVD process includes exposing the substrate to a deposition gas containing the tungsten precursor while depositing the tungsten bulk layer over the tungsten nucleation layer. In some example, the tungsten nucleation layer has a thickness of less than about 100 Å, such as about 15 Å. In other examples, a carrier gas containing hydrogen is constantly flowed into the process chamber during the cyclic deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了沉积钨材料的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于形成复合钨膜的方法，其包括将衬底定位在处理室内，通过在循环中随后将衬底暴露于钨前体和含氢的还原气体，在衬底上形成钨成核层 沉积工艺，以及在等离子体增强化学气相沉积（PE-CVD）工艺期间形成钨体层。 PE-CVD工艺包括将衬底暴露于含有钨前体的沉积气体，同时在钨成核层上沉积钨体层。 在一些实例中，钨成核层的厚度小于约，例如约为15。 在其他实例中，在循环沉积过程中，含有氢气的载气不断地流入处理室。