公开(公告)号：US20150266767A1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：US13840987

申请日：2013-03-15

申请人： Richard L. Glover ,  William F. Seng

发明人： Richard L. Glover ,  William F. Seng

IPC分类号： C03B37/025 ,  G02B1/00 ,  C03C25/10 ,  C03B37/012 ,  C03B37/026 ,  C03B37/03 ,  G02B6/02 ,  C03C13/04

CPC分类号： C03B37/0253 ,  C03B37/01211 ,  C03B37/0126 ,  C03B37/027 ,  C03B37/029 ,  C03B37/032 ,  C03B2201/78 ,  C03B2201/82 ,  C03B2201/86 ,  C03B2205/00 ,  C03B2205/30 ,  C03B2205/40 ,  C03C13/04 ,  C03C13/042 ,  C03C13/043 ,  C03C25/106 ,  C03C2218/32 ,  G02B6/00 ,  G02B6/02

摘要： Optical fibers with previously unattainable characteristics and the method of producing the same are disclosed and claimed herein. Specifically, the application discloses and claims a method to produce ZBLAN, Indium Fluoride, Germanate and Chalcogenide optical fibers and other similar optical fibers in a microgravity environment. The resulting optical fibers have unique molecular structures not attainable when optical fibers with the identical chemical composition are produced in a standard 1 gravity environment.The method of the invention requires a novel draw tower and modified preform, which are specifically designed to operate in microgravity environments. A lead wire is inserted into the preform that, when wound onto a spool in the draw tower, causes a fiber to form. The pull rate of the lead wire controls the diameter of the fiber.

摘要翻译： 具有先前无法实现的特性的光纤及其制造方法在此公开和要求保护。 具体地，本申请公开了一种在微重力环境中生产ZBLAN，氟化铟，德国酸盐和硫族化物光纤和其他类似光纤的方法。 当在标准1重力环境中产生具有相同化学成分的光纤时，所得到的光纤具有不可获得的独特的分子结构。 本发明的方法需要一种新颖的拉制塔和改进的预制件，其被专门设计成在微重力环境中操作。 将引线插入预成型件中，当将其引导到拉制塔中的线轴上时，导致形成纤维。 引线的拉伸速度控制纤维的直径。

公开(公告)号：US20140353682A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：US13904918

申请日：2013-05-29

申请人： William F. Seng ,  Richard L. Glover

发明人： William F. Seng ,  Richard L. Glover

IPC分类号： C30B30/08 ,  C30B9/00 ,  C30B7/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16

CPC分类号： C30B30/08 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/10 ,  C30B29/36 ,  C30B29/40 ,  C30B33/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/872

摘要： Wide band gap semiconductor wafers with previously unattainable characteristics and the method of processing and producing the same are disclosed and claimed herein. Specifically, the application discloses and claims a method to process silicon carbide and other similar wide band gap semiconductors in a microgravity environment. The wafers are placed onto stackable containment systems that create an appropriate gap between each wafer to allow for homogeneous heating and processing. The resulting wide band gap semiconductors have unique molecular structures not attainable when wide band gap semiconductors with the identical chemical composition are produced in a standard 1 gravity environment.

摘要翻译： 具有先前无法实现的特性的宽带隙半导体晶片及其加工和制造方法在此公开和要求保护。 具体地，该申请公开了一种在微重力环境中处理碳化硅和其它类似的宽带隙半导体的方法。 将晶片放置在可堆叠的容纳系统上，其在每个晶片之间产生适当的间隙，以允许均匀的加热和加工。 当在标准1重力环境中产生具有相同化学成分的宽带隙半导体时，所得到的宽带隙半导体具有不可获得的独特的分子结构。

公开(公告)号：US09340445B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US13840987

申请日：2013-03-15

申请人： Richard L. Glover ,  William F. Seng

发明人： Richard L. Glover ,  William F. Seng

IPC分类号： G02B6/02 ,  G02B6/00 ,  C03B37/023 ,  C03B37/014 ,  F27B1/26 ,  F27B1/28 ,  C03B37/025 ,  C03B37/012 ,  C03B37/03 ,  C03B37/029 ,  C03C13/04 ,  C03C25/10 ,  C03B37/027

CPC分类号： C03B37/0253 ,  C03B37/01211 ,  C03B37/0126 ,  C03B37/027 ,  C03B37/029 ,  C03B37/032 ,  C03B2201/78 ,  C03B2201/82 ,  C03B2201/86 ,  C03B2205/00 ,  C03B2205/30 ,  C03B2205/40 ,  C03C13/04 ,  C03C13/042 ,  C03C13/043 ,  C03C25/106 ,  C03C2218/32 ,  G02B6/00 ,  G02B6/02

摘要： Optical fibers with previously unattainable characteristics and the method of producing the same are disclosed and claimed herein. Specifically, the application discloses and claims a method to produce ZBLAN, Indium Fluoride, Germanate and Chalcogenide optical fibers and other similar optical fibers in a microgravity environment. The resulting optical fibers have unique molecular structures not attainable when optical fibers with the identical chemical composition are produced in a standard 1 gravity environment.The method of the invention requires a novel draw tower and modified preform, which are specifically designed to operate in microgravity environments. A lead wire is inserted into the preform that, when wound onto a spool in the draw tower, causes a fiber to form. The pull rate of the lead wire controls the diameter of the fiber.

摘要翻译： 具有先前无法实现的特性的光纤及其制造方法在此公开和要求保护。 具体地，本申请公开了一种在微重力环境中生产ZBLAN，氟化铟，德国酸盐和硫族化物光纤和其他类似光纤的方法。 当在标准1重力环境中产生具有相同化学成分的光纤时，所得到的光纤具有不可获得的独特的分子结构。 本发明的方法需要一种新颖的拉制塔和改进的预制件，其被专门设计成在微重力环境中操作。 将引线插入预成型件中，当将其引导到拉制塔中的线轴上时，导致形成纤维。 引线的拉伸速度控制纤维的直径。

公开(公告)号：US09041010B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13904918

申请日：2013-05-29

申请人： William F. Seng ,  Richard L. Glover

发明人： William F. Seng ,  Richard L. Glover

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L29/40 ,  C30B30/08 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/10 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  H01L29/10 ,  C30B29/40 ,  H01L29/872

CPC分类号： C30B30/08 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/10 ,  C30B29/36 ,  C30B29/40 ,  C30B33/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66053 ,  H01L29/872

摘要： Wide band gap semiconductor wafers with previously unattainable characteristics and the method of processing and producing the same are disclosed and claimed herein. Specifically, the application discloses and claims a method to process silicon carbide and other similar wide band gap semiconductors in a microgravity environment. The wafers are placed onto stackable containment systems that create an appropriate gap between each wafer to allow for homogeneous heating and processing. The resulting wide band gap semiconductors have unique molecular structures not attainable when wide band gap semiconductors with the identical chemical composition are produced in a standard 1 gravity environment.

摘要翻译： 具有先前无法实现的特性的宽带隙半导体晶片及其加工和制造方法在此公开和要求保护。 具体地，该申请公开了一种在微重力环境中处理碳化硅和其它类似宽带隙半导体的方法。 将晶片放置在可堆叠的容纳系统上，其在每个晶片之间产生适当的间隙，以允许均匀的加热和加工。 当在标准1重力环境中产生具有相同化学成分的宽带隙半导体时，所得到的宽带隙半导体具有不可获得的独特的分子结构。