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    Atomic resolution storage device configured as a redundant array of independent storage devices
    1.
    发明授权
    Atomic resolution storage device configured as a redundant array of independent storage devices 失效
    原子分辨率存储设备配置为独立存储设备的冗余阵列

    公开(公告)号：US06671778B2

    公开(公告)日：2003-12-30

    申请号：US09922436

    申请日：2001-08-03

    申请人： Steven Louis Naberhuis ,  Kenneth J. Eldredge

    发明人： Steven Louis Naberhuis ,  Kenneth J. Eldredge

    IPC分类号： G06F1200

    CPC分类号： G06F3/0655 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0689 ,  G06F11/1076 ,  G06F2211/1042 ,  G11B9/10 ,  Y02D10/154

    摘要： A redundant array of independent storage devices is disclosed herein. The redundant storage device includes one or more atomic resolution storage devices and a control system. The atomic resolution storage device is configured to communicate with the control system as a redundant array of independent storage devices. Each atomic resolution storage device is a non-volatile memory component including a plurality of electron emitters, a medium having medium partitions, and a plurality of micromovers wherein each micromover is independently operable to move a medium partition relative to one or more electron emitters for redundant reading and writing of data at the media.

    摘要翻译： 本文公开了独立存储设备的冗余阵列。 冗余存储设备包括一个或多个原子分辨率存储设备和控制系统。 原子分辨率存储装置被配置为作为独立存储装置的冗余阵列与控制系统进行通信。 每个原子分辨率存储装置是包括多个电子发射器，具有介质分隔器的介质和多个小型的非易失性存储器组件，其中每个微型单元可独立地可操作以相对于一个或多个电子发射器移动介质分区用于冗余 在媒体上阅读和写入数据。

    Field-enhanced MIS/MIM electron emitters
    4.
    发明授权
    Field-enhanced MIS/MIM electron emitters 失效
    场增强MIS / MIM电子发射器

    公开(公告)号：US06822380B2

    公开(公告)日：2004-11-23

    申请号：US09975296

    申请日：2001-10-12

    申请人： Xia Sheng ,  Henryk Birecki ,  Si-Ty Lam ,  Huei-Pei Kuo ,  Steven Louis Naberhuis

    发明人： Xia Sheng ,  Henryk Birecki ,  Si-Ty Lam ,  Huei-Pei Kuo ,  Steven Louis Naberhuis

    IPC分类号： H01J1312

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312

    摘要： In an electron emitter based on Metal-Insulator-Semiconductor or Metal-Insulator-Metal emitters, field emission structures are enclosed within the emitter structure. The electron emitter may include a conductive substrate and an electron supply layer formed on the conductive substrate. The electron supply layer, for example undoped polysilicon, has protrusions formed on its surface. The sharpness and density of protrusions may be controlled. Above the electron supply layer and the protrusions, an insulator may be formed thereby enclosing the protrusions. A top conductive layer may be formed above the insulator. The enclosed protrusions are relatively insensitive to vacuum contamination. The thinness of the insulator allows high intensity electric fields at the protrusions to be generated with low applied voltage. Field-enhanced injection of electrons into the insulator and thence through the top conductive layer results. Furthermore, electron beam dispersion and divergence are minimized.

    摘要翻译： 在基于金属绝缘体半导体或金属 - 绝缘体 - 金属发射体的电子发射器中，场致发射结构被封装在发射极结构内。 电子发射器可以包括形成在导电衬底上的导电衬底和电子供给层。 电子供应层，例如未掺杂的多晶硅，在其表面上形成突起。 可以控制突起的清晰度和密度。 在电子供给层和突起之上，可以形成绝缘体，从而包围突起。 可以在绝缘体上方形成顶部导电层。 封闭的突起对真空污染相对不敏感。 绝缘体的薄度允许在低的施加电压下产生突起处的高强度电场。 电场增强注入绝缘体，从而通过顶​​层导电层注入电子。 此外，电子束分散和发散最小化。