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    Wafer and method of processing wafer
    1.
    发明授权
    Wafer and method of processing wafer 有权
    晶圆和晶圆加工方法

    公开(公告)号：US08592297B2

    公开(公告)日：2013-11-26

    申请号：US13328346

    申请日：2011-12-16

    Applicant: Tung-Ti Yeh ,  Wu-Chang Lin ,  Chung-Yi Huang ,  Ya Wen Wu ,  Hui-Mei Jao ,  Ting-Chun Wang ,  Chia-Hung Chung

    Inventor： Tung-Ti Yeh ,  Wu-Chang Lin ,  Chung-Yi Huang ,  Ya Wen Wu ,  Hui-Mei Jao ,  Ting-Chun Wang ,  Chia-Hung Chung

    IPC: H01L21/44

    CPC classification number: H01L21/02087 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76883

    Abstract: A wafer including a substrate, a dielectric layer over the substrate, and a conductive layer over the dielectric layer is disclosed. The substrate has a main portion. A periphery of the dielectric layer and the periphery of the main portion of the substrate are separated by a first distance. A periphery of the conductive layer and the periphery of the main portion of the substrate are separated by a second distance. The second distance ranges from about a value that is 0.5% of a diameter of the substrate less than the first distance to about a value that is 0.5% of the diameter greater than the first distance.

    Abstract translation: 公开了一种包括衬底，在衬底上的电介质层和介电层上的导电层的晶片。 基板具有主要部分。 电介质层的周边和基板的主要部分的周边分开第一距离。 导电层的周边和基板的主要部分的周边分开第二距离。 所述第二距离的范围从小于所述第一距离的所述基板的直径的0.5％的值的大约为大于所述第一距离的直径的0.5％的值。

    SOFT MATERIAL WAFER BONDING AND METHOD OF BONDING
    4.
    发明申请
    SOFT MATERIAL WAFER BONDING AND METHOD OF BONDING 有权
    软质材料的粘结和粘结方法

    公开(公告)号：US20130207098A1

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：US13371198

    申请日：2012-02-10

    Applicant: Tung-Ti YEH ,  Chung-Yi HUANG ,  Ya Wen WU ,  Hui-Mei JAO ,  Ting-Chun WANG ,  Shiu-Ko JiangJian ,  Chia-Hung CHUNG

    Inventor： Tung-Ti YEH ,  Chung-Yi HUANG ,  Ya Wen WU ,  Hui-Mei JAO ,  Ting-Chun WANG ,  Shiu-Ko JiangJian ,  Chia-Hung CHUNG

    IPC: H01L29/12

    CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L27/1464

    Abstract: A semiconductor device including a first wafer assembly having a first substrate and a first oxide layer over the first substrate. The semiconductor device further includes a second wafer assembly having a second substrate and a second oxide layer over the second substrate. The first oxide layer and the second oxide layer are bonded together by van der Waals bonds or covalent bonds. A method of bonding a first wafer assembly and a second wafer assembly including forming a first oxide layer over a first substrate. The method further includes forming a second oxide layer over a second wafer assembly. The method further includes forming van der Waals bonds or covalent bonds between the first oxide layer and the second oxide layer.

    Abstract translation: 一种半导体器件，包括具有第一衬底和第一衬底上的第一氧化物层的第一晶片组件。 半导体器件还包括第二晶片组件，其具有第二衬底和在第二衬底上的第二氧化物层。 第一氧化物层和第二氧化物层通过范德华力键或共价键键合在一起。 一种接合第一晶片组件和第二晶片组件的方法，包括在第一衬底上形成第一氧化物层。 该方法还包括在第二晶片组件上形成第二氧化物层。 该方法还包括在第一氧化物层和第二氧化物层之间形成范德华氏键或共价键。

    WAFER AND METHOD OF PROCESSING WAFER
    5.
    发明申请
    WAFER AND METHOD OF PROCESSING WAFER 有权
    WAFER和WAFER加工方法

    公开(公告)号：US20130154060A1

    公开(公告)日：2013-06-20

    申请号：US13328346

    申请日：2011-12-16

    Applicant: Tung-Ti YEH ,  Wu-Chang LIN ,  Chung-Yi HUANG ,  Ya Wen WU ,  Hui-Mei JAO ,  Ting-Chun WANG ,  Chia-Hung CHUNG

    Inventor： Tung-Ti YEH ,  Wu-Chang LIN ,  Chung-Yi HUANG ,  Ya Wen WU ,  Hui-Mei JAO ,  Ting-Chun WANG ,  Chia-Hung CHUNG

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/44

    CPC classification number: H01L21/02087 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76883

    Abstract: A wafer including a substrate, a dielectric layer over the substrate, and a conductive layer over the dielectric layer is disclosed. The substrate has a main portion. A periphery of the dielectric layer and the periphery of the main portion of the substrate are separated by a first distance. A periphery of the conductive layer and the periphery of the main portion of the substrate are separated by a second distance. The second distance ranges from about a value that is 0.5% of a diameter of the substrate less than the first distance to about a value that is 0.5% of the diameter greater than the first distance.

    Abstract translation: 公开了一种包括衬底，在衬底上的电介质层和介电层上的导电层的晶片。 基板具有主要部分。 电介质层的周边和基板的主要部分的周边分开第一距离。 导电层的周边和基板的主要部分的周边分开第二距离。 所述第二距离的范围从小于所述第一距离的所述基板的直径的0.5％的值的大约为大于所述第一距离的直径的0.5％的值。

    Soft material wafer bonding and method of bonding
    8.
    发明授权
    Soft material wafer bonding and method of bonding 有权
    软材料晶圆接合和粘合方法

    公开(公告)号：US08748885B2

    公开(公告)日：2014-06-10

    申请号：US13371198

    申请日：2012-02-10

    Applicant: Tung-Ti Yeh ,  Chung-Yi Huang ,  Ya Wen Wu ,  Hui Mei Jao ,  Ting-Chun Wang ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chia-Hung Chung

    Inventor： Tung-Ti Yeh ,  Chung-Yi Huang ,  Ya Wen Wu ,  Hui Mei Jao ,  Ting-Chun Wang ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chia-Hung Chung

    IPC: H01L29/12

    CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L27/1464

    Abstract: A semiconductor device including a first wafer assembly having a first substrate and a first oxide layer over the first substrate. The semiconductor device further includes a second wafer assembly having a second substrate and a second oxide layer over the second substrate. The first oxide layer and the second oxide layer are bonded together by van der Waals bonds or covalent bonds. A method of bonding a first wafer assembly and a second wafer assembly including forming a first oxide layer over a first substrate. The method further includes forming a second oxide layer over a second wafer assembly. The method further includes forming van der Waals bonds or covalent bonds between the first oxide layer and the second oxide layer.

    Abstract translation: 一种半导体器件，包括具有第一衬底和第一衬底上的第一氧化物层的第一晶片组件。 半导体器件还包括第二晶片组件，其具有第二衬底和在第二衬底上的第二氧化物层。 第一氧化物层和第二氧化物层通过范德华力键或共价键键合在一起。 一种接合第一晶片组件和第二晶片组件的方法，包括在第一衬底上形成第一氧化物层。 该方法还包括在第二晶片组件上形成第二氧化物层。 该方法还包括在第一氧化物层和第二氧化物层之间形成范德华氏键或共价键。

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